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[发明专利]一种适用于交流电的过流检测电路和方法-CN202210715903.2在审
发明人：郑良广;张坡;吕阳;任浩;侯晓伟;王文武;武鹏 -专利权人：宁波中车时代传感技术有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G01R19/25 文献下载
摘要：本发明属于过流保护技术领域，提供了一种适用于交流电的过流检测电路和方法，包括：数字转换单元，其被配置为将采集的交流电模拟信号转化为数字信号；过流检测单元，其被配置为对输入的数字信号进行计算并判断是否对设备或芯片产生过流保护。本发明的优点在于与目前纯模拟电路、分立器件电路相比，减少了分立器件的使用，提高了系统的稳定性且使芯片或设备能够稳定地检测过流；并且该电路采用数字电路，便于集成、稳定性好、易于设计、可编程。
一种适用于交流电检测电路方法

[发明专利]四驱控制方法、装置、系统、车辆和拖拉机-CN202111374127.6有效
发明人：李思宇;许鸿江;杨帆;王文武;贺龙钊 -专利权人：广东皓耘科技有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： B60K23/08 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种四驱控制方法、装置、系统、车辆和拖拉机，涉及四驱控制技术领域。该四驱控制方法包括获取四驱启动信号和车辆的第一状态信息，在获取四驱启动信号后，若车辆的第一状态信息满足预设四驱启动条件，则控制车辆进入四驱模式。该控制方法简单，自动化和智能化程度高，能够实现无人化的四驱自动控制。该四驱控制装置、四驱控制系统、车辆和拖拉机，能够实现全无人化自动作业，适时进入四驱模式，以提高作业效率。
控制方法装置系统车辆拖拉机

[发明专利]动态随机存储器的芯片测试方法及装置-CN202110050366.X在审
发明人：朴灿圭;杨红;杨涛;王文武;李俊峰;殷华湘 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本发明提供一种动态随机存储器的芯片测试方法及装置。所述方法包括：对极板节点施加初始化电压并对选中的一列位线预充电；打开选中的字线对目标单元写“1”，在对目标单元写“1”的过程中对极板节点施加大于初始化电压的第一电压；在目标单元写“1”之后，关闭字线，对极板节点施加小于初始化电压的第二电压；等待设定时间之后，读取目标单元；根据读取结果判断目标单元是否正常。本发明能够检测出极板节点噪声电压造成的不良单元。
动态随机存储器芯片测试方法装置

[实用新型]一种氨基树脂生产过程中的甲醛回收装置-CN202220645273.1有效
发明人：钟力;王文武;叶富钰;张健康 -专利权人：重庆建峰浩康化工有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： B01D5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氨基树脂生产过程中的甲醛回收装置，涉及氨基树脂生产技术领域，具体为一种氨基树脂生产过程中的甲醛回收装置，包括冷却桶，所述冷却桶的内部固定连接有冷凝管，所述冷却桶的顶部固定连接有进气斗，所述进气斗的顶部固定连接有进气管，所述进气斗的内部固定安装有涡旋气体分布装置和多孔气体导流板。该氨基树脂生产过程中的甲醛回收装置，通过冷却桶的内部设置冷凝管，从冷却液进液口处向冷却桶的内部注入冷却液，甲醛气体在经过冷凝管时会冷却冷凝成液体，方便对甲醛进行回收利用，避免造成浪费。
一种氨基树脂生产过程中的甲醛回收装置

[实用新型]一种吊烧式高温窑炉用碳化硅拱砖结构-CN202220589554.X有效
发明人：万龙刚;刘云;马昭阳;郑翰;张新华;黄一飞;常赪;石会营;王文武;吴吉光 -专利权人：中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： F27D1/04 文献下载
摘要：本实用新型属于高温耐火材料技术产品领域，具体涉及一种吊烧式高温窑炉用碳化硅拱砖结构。涉及一种吊烧式高温窑炉用碳化硅拱砖结构中碳化硅拱砖与其它碳化硅拱砖的其中一个结合面具有平面和凸面，另一个结合面具有平面和凹面；相邻两块碳化硅拱砖凸凹扣合为一体；每块所述碳化硅长度为250mm～500mm；所述碳化硅转轴半径为40mm～200mm；所述碳化硅转轴旋转幅度为1mm～5mm。本实用新型能够使拱砖在发生微转动过程中始终保持面接触，能有效解决拱砖之间应力集中的问题，从而解决了原有拱砖存在掉块、裂纹、断裂等方面的不足，大幅度提高窑炉使用寿命，提高生产效率。
一种吊烧式高温窑炉用碳化硅结构

[实用新型]一种防谐振型GIS电磁式电压互感器-CN202220698935.1有效
发明人：石志泉;吴光斌;袁刚;张诚才;周红刚;王文武;刘洪佳 -专利权人：山东泰开互感器有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01F27/24 文献下载
摘要：本实用新型提供一种防谐振型GIS电磁式电压互感器，涉及电压互感器技术领域，具体包括：壳体；壳体的顶部安装有盆式绝缘子；壳体内部设有绕组和铁心；壳体的底部设有底板；盆式绝缘子上设有屏蔽管；屏蔽管的底端连接有高压屏蔽罩；高压屏蔽罩与绕组连接；绕组套装在铁心上，铁心与底板连接。电压互感器采用低损耗高饱和铁心，铁心额定磁密小于0.55T，降低铁心的励磁损耗，改善了铁心的饱和特性；通过采用全屏蔽结构高压屏蔽罩，增加高压侧杂散电容量和高压对地电容量，保证产品内电容量大于电感量，可以消除铁磁谐振的阀。通过端子箱内安装的消谐装置，消除铁磁谐振产生的过电流。
一种谐振 gis 电磁式电压互感器

[发明专利]基于半固态金属粉末的大口径双金属复合管内壁成型装置-CN202110164656.7有效
发明人：宋剑锋;王文武;杨振熙;宋有年;王栋;时迎港;何轩 -专利权人：燕山大学
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： B22F7/08 文献下载
摘要：本发明提供一种基于半固态金属粉末的大口径双金属复合管内壁成型装置，包括送料组件、夹紧及保温组件、预热及旋压组件和床身组件。粉末输送电机的输出端和输送螺杆的第一端连接，输送螺杆位于输送管道的内部，输送管道和电磁加热器的第一端连接，加压螺杆位于加压管道内；溜板的两侧设有龙门滑槽，待加工管道通过弧形支承座和弧形夹紧头的第二端固定在溜板上；旋压辊和旋压辊底座的第一端连接，旋压辊底座的第二端和伸缩液压杆连接，壳体和出料腔的第一端固定连接，出料腔第二端的内部依次通过定位环和轴承与连接管连接，出料头和出料管连接。本发明能够在一定范围内对不同直径的金属管道进行成型，可以灵活的对复合层厚度进行调整控制。
基于固态金属粉末口径双金属复合管内壁成型装置

[发明专利]一种基于曝光区域的芯片封装处理方法-CN202110020462.X在审
发明人：崔栽荣;贺晓彬;刘金彪;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于曝光区域的芯片封装处理方法，封装处理方法包括：先利用在先光刻工艺数据确定目标晶圆的各个曝光区域，目标晶圆可为一个或多个。以各个曝光区域作为当前工序的切割单位，对目标晶圆进行切割处理，将目标晶圆分割成多个器件单元。对于包含不良裸片的器件单元，则直接以裸片作为切割单位对器件单元进行切割处理后再进行接合。对合格的器件单元进行整体接合处理，再以裸片作为当前工序的切割单位，对经过接合处理后的器件单元再进行切割处理。本公开创新利用已知曝光区域作为首次切割晶圆的依据，在两次切割处理工序之间对合格的器件单元进行接合工序，能够提升半导体器件良率和提高封装效率，本公开工艺更简单，对准精度高。
一种基于曝光区域芯片封装处理方法

[发明专利]一种半导体栅极结构及其制备方法-CN202110020527.0在审
发明人：金玄永;郭挑远;徐康元;高建峰;项金娟;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体栅极结构及其制备方法。一种半导体栅极结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上设有栅极沟槽，所述栅极沟槽内依次沉积有介质层、阻挡层和金属层；其中，所述阻挡层为无定形的金属氮化物。一种半导体栅极结构的制备方法，包括：在半导体衬底上刻蚀栅极沟槽；在所述栅极沟槽的底壁和侧壁沉积介质层；采用ALD或PEALD方法在所述栅极沟槽的底壁和侧壁沉积阻挡层，形成于所述介质层的表面；所述阻挡层为无定形的金属氮化物；然后在所述栅极沟槽内填充金属。本发明采用无定形的金属氮化物作为阻挡层，可以实现阻挡层更薄、占用空间更小，从而为金属填充留出更多的空间以及更自由的工艺余地，降低了金属填充工艺难度。
一种半导体栅极结构及其制备方法

[发明专利]一种掩埋沟道晶体管及其制造方法、半导体器件及电子设备-CN202110021094.0在审
发明人：朴相荣;高建峰;项金娟;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种掩埋沟道晶体管及其制造方法、半导体器件及电子设备，涉及半导体制造技术领域，以解决在现有关键尺寸要求下，栅堆叠性能差的问题。所述一种掩埋沟道晶体管包括：基底和栅堆叠；所述基底开设有沟槽，以及形成在所述沟槽内的栅堆叠；所述栅堆叠包括阻挡层和导电层；所述阻挡层位于所述沟槽与所述导电层之间；所述阻挡层的势垒大于预设势垒阈值，所述导电层的导电率大于预设导电率阈值。所述掩埋沟道晶体管用于制造半导体器件。本发明提供的半导体器件应用于电子设备中。
一种掩埋沟道晶体管及其制造方法半导体器件电子设备

[发明专利]一种电容结构、DRAM及其制造方法-CN202110019371.4在审
发明人：金玄永;郭挑远;徐康元;高建峰;项金娟;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种电容结构、DRAM及其制造方法。一种电容结构，所述电容为圆筒形结构，包括下电极和上电极，以及隔离所述下电极和所述上电极的电容介质膜；所述下电极和所述上电极中的至少一个包括等离子处理的金属氮化物层，且所述等离子处理的金属氮化物层位于与所述介质膜接触的一侧等离子处理。本发明能改善电极的光滑度、降低电极拉应力，有效降低电容的漏电问题，适宜更微型化尺寸的器件制作。
一种电容结构 dram 及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法及包括该器件的电子设备-CN201910477236.7有效
发明人：李永亮;都安彦;吴振华;李超雷;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体器件及其制作方法及包括该器件的电子设备，该半导体器件，包括：衬底，衬底为硅衬底或SOI衬底；SiGe鳍，形成在衬底上方，其中，SiGe鳍是在沿水平方向上含有不同Ge含量的SixGe1‑x/SiyGe1‑y/SizGe1‑z三明治结构，其中x取值为0.05~0.95，y取值为0.1~0.9，z取值为0.05~0.95；浅沟槽隔离区，设置在衬底上方并形成在SiGe鳍的相对侧上，SiGe鳍远离衬底的一端突出于浅沟槽隔离区。本发明提出一种不同Ge含量的类似于三明治结构的SixGe1‑x/SiyGe1‑y/SizGe1‑z的Fin的器件结构，可以通过调节Ge的含量，改变带隙，从而调节阈值，改善迁移率（有效质量改变）和漏电等电学性能。该发明可应用于FinFET或垂直纳米线等器件。
一种半导体器件及其制作方法包括器件电子设备

[发明专利]一种防谐振型GIS电磁式电压互感器-CN202210311975.0在审
发明人：吴光斌;石志泉;袁刚;周红刚;张诚才;王文武;刘洪佳;王利婧;栗刚;陈友橙 -专利权人：山东泰开互感器有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01F27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种防谐振型GIS电磁式电压互感器，涉及电压互感器技术领域，具体包括：壳体；壳体的顶部安装有盆式绝缘子；壳体内部设有绕组和铁心；壳体的底部设有底板；盆式绝缘子上设有屏蔽管；屏蔽管的底端连接有高压屏蔽罩；高压屏蔽罩与绕组连接；绕组套装在铁心上，铁心与底板连接。电压互感器采用低损耗高饱和铁心，铁心额定磁密小于0.55T，降低铁心的励磁损耗，改善了铁心的饱和特性；通过采用全屏蔽结构高压屏蔽罩，增加高压侧杂散电容量和高压对地电容量，保证产品内电容量大于电感量，可以消除铁磁谐振的阀。通过端子箱内安装的消谐装置，消除铁磁谐振产生的过电流。
一种谐振 gis 电磁式电压互感器

[发明专利]一种晶体管的制造方法-CN202210314521.9在审
发明人：李永亮;毛晓烔;程晓红;马雪丽;罗军;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体管的制造方法，涉及半导体技术领域，用于在沟道的材质含有锗的情况下，提高包括该沟道的晶体管的工作性能。所述晶体管的制造方法包括：在基底上形成晶体管包括的沟道、以及至少位于沟道上的硅层。沟道的材质含有锗。硅层中含有由沟道中扩散出的锗原子。对硅层进行交替循环的低温氧化处理和退火处理，直至位于硅层中的锗原子的浓度降低至预设阈值。
一种晶体管制造方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202210224579.4在审
发明人：李永亮;贾晓锋;殷华湘;罗军;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，以在去除对应第一区域上的第一栅极时，防止对应第二区域上的第一栅极遭到破坏。所述半导体器件的制造方法包括：在衬底具有的第一区域上形成至少一层第一纳米线或片、以及在衬底具有的第二区域上形成至少一层第二纳米线或片。形成第一掩膜层和第二掩膜层。第一掩膜层至少填充在空隙内。第二掩膜层覆盖在第二区域上。第一掩膜层和第二掩膜层的刻蚀选择比大于预设阈值。在第二掩膜层的掩膜作用下，去除第一掩膜层对应第一区域的部分，并去除对应第一区域上的第一栅极。至少在位于至少一层第一纳米线或片外周的第一栅介质层上形成第二栅极，第二栅极和第一栅极所含有的材料和/或厚度不同。
一种半导体器件制造方法