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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种电容器、电容器的形成方法及半导体器件-CN202210146266.1在审
发明人： 朴相荣;高建峰;杨涛;李俊峰;刘卫兵;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种电容器、电容器的形成方法及半导体器件，涉及半导体制造技术领域，以防止介电层中的氧向下电极和/或上电极移动，抑制由于隧道效应引起的漏电流，提高电容器的可靠性和稳定性。所述电容器包括：下电极；形成在下电极上的介电层；形成在介电层上的上电极；电容器还包括形成在下电极和介电层之间的五氧化二钽介电膜，和/或，形成在介电层和上电极之间的五氧化二钽介电膜。所述电容器的形成方法应用于上述电容器，所述电容器应用于半导体器件中。
一种电容器形成方法半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201911108196.5有效
发明人：金志勋;金玄永;卞成洙;朴相荣 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体器件，所述半导体器件包括形成在基板的器件区域上方的电容器结构和缓冲层。所述电容器结构包括下电极，所述下电极具有U形轮廓，所述U形轮廓的开口远离所述基板，所述U形轮廓限定了内表面和相对的外表面。介电质衬层延伸进入所述U形轮廓并保形地覆盖所述下电极的内表面；所述上电极形成在所述介电质衬层上，延伸进入并填充到所述U形轮廓中，所述上电极包括顶部导电层。所述缓冲层形成在所述上电极的顶部导电层上，其中，所述缓冲层的晶格常数大于所述顶部导电层的晶格常数。
半导体器件

[发明专利]半导体处理工艺及半导体元器件-CN202010072119.5有效
发明人： 朴相荣;金志勋;金玄永;徐康元 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种半导体处理工艺，其包括以下步骤：提供复合结构，包括层叠设置的硅基体及绝缘层，且所述绝缘层上开设有露出部分所述硅基体的开口；在第一温度下沉积第一钛层，所述第一钛层形成于所述绝缘层背离所述硅基体的表面、所述开口的侧壁及从所述开口露出的部分所述硅基体，且从所述开口露出的所述硅基体的表面与部分沉积的所述第一钛层反应形成硅化钛层；通入氨气对所述第一钛层进行氮化处理，使得所述第一钛层远离所述硅基体的部分反应形成氮化钛层；以及在第二温度下沉积第二钛层，所述第二钛层覆盖所述氮化钛层，其中，所述第一温度小于所述第二温度。本发明还提供由上述半导体处理工艺制得的半导体器件。
半导体处理工艺元器件

[发明专利]一种掩埋沟道晶体管及其制造方法、半导体器件及电子设备-CN202110021094.0在审
发明人： 朴相荣;高建峰;项金娟;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种掩埋沟道晶体管及其制造方法、半导体器件及电子设备，涉及半导体制造技术领域，以解决在现有关键尺寸要求下，栅堆叠性能差的问题。所述一种掩埋沟道晶体管包括：基底和栅堆叠；所述基底开设有沟槽，以及形成在所述沟槽内的栅堆叠；所述栅堆叠包括阻挡层和导电层；所述阻挡层位于所述沟槽与所述导电层之间；所述阻挡层的势垒大于预设势垒阈值，所述导电层的导电率大于预设导电率阈值。所述掩埋沟道晶体管用于制造半导体器件。本发明提供的半导体器件应用于电子设备中。
一种掩埋沟道晶体管及其制造方法半导体器件电子设备

[发明专利]一种半导体栅极结构及其制作方法-CN202011415788.4在审
发明人： 朴相荣;高建峰;刘卫兵;白国斌;项金娟 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体栅极结构及其制作方法，该方法包括：在衬底上形成栅极沟槽；在该栅极沟槽内壁形成栅介质层；在栅介质层上形成堆叠的多层金属阻挡层，每层金属阻挡层包括依次形成的TiN层和TiON层；在所述多层金属阻挡层上形成金属栅，采用堆叠形成TiN层和TiON层的多层金属阻挡层，不仅使得该金属阻挡层的厚度足够薄，同时，还能提高阻挡性能，以免在形成金属栅时产生的含氟气体对栅介质层造成侵蚀和破坏，进而提高了器件性能。
一种半导体栅极结构及其制作方法

[发明专利]一种钨膜形成方法-CN202011173341.0在审
发明人： 朴相荣;白国斌;高建峰;王桂磊;丁云凌;崔恒玮 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨膜形成方法，该方法包括：将半导体衬底置于工艺腔室中；向工艺腔室通入含硼气体进行浸润处理；反复交替执行成核层沉积步骤以及气体脉冲处理步骤，以在半导体衬底上形成成核层，其中，成核层沉积步骤包括：向工艺腔室依次通入含硼气体以及含钨气体；气体脉冲处理步骤包括：向工艺腔室通入含硼气体；形成成核层之后，向工艺腔室通入含钨气体以及氢气，在成核层上方形成钨膜。上述方案中，能够抑制钨膜形成过程中硼污染物层的生长，有效改善了成核层表面形态，减小了最终形成的钨膜电阻。
一种形成方法

[发明专利]包括阻挡层的显示装置-CN201910018807.0在审
发明人：金重玄;李坰泽;朴相荣;崔敬硕 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括显示区域和外围区域。显示元件设置在显示区域中并电连接到薄膜晶体管。供电线设置在外围区域中。绝缘层覆盖供电线的一部分。阻挡层设置在绝缘层上并包括面对显示区域的第一侧表面和背离显示区域的第二侧表面。第一侧表面和第二侧表面中的至少一个包括凹凸表面。阻挡层相对于绝缘层的上表面形成台阶差。绝缘层的端部在阻挡层的背离显示区域的一侧处位于超出阻挡层的第二侧表面之外处。
显示区域侧表面阻挡层绝缘层显示装置外围区域供电线背离薄膜晶体管绝缘层覆盖凹凸表面显示元件电连接上表面台阶差基底

[发明专利]有机发光显示设备及其制造方法-CN201410325513.X有效
发明人：李在先;朴相荣;李雄洙 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：有机发光显示设备，其包括衬底、显示单元、封装层和保护层。在所述衬底上形成所述显示单元。所述封装层覆盖所述显示单元。在所述封装层上形成所述保护层。所述封装层由低温粘度转变(LVT)无机材料形成。所述保护层由弹性、粘性材料形成以使所述封装层免受外力。
有机发光显示设备及其制造方法

[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法-CN201410152539.9有效
发明人：李在先;李雄洙;朴相荣 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-04-16 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于形成强力密封结构的有机发光显示装置及其制造方法。该有机发光显示装置包括：下电极，设置在基板上；第一阻挡壁，突出超过下电极的顶表面；第二阻挡壁，设置在第一阻挡壁的至少顶表面上并且具有成倒锥形形状的横截面，其中，第二阻挡壁包含包括锡氧化物的低温粘度转变（LVT）无机材料。 1
阻挡壁有机发光显示装置顶表面下电极倒锥形形状低温粘度强力密封无机材料锡氧化物基板制造

[发明专利]有利于耐久性的增强燕尾表面-CN201410779870.3有效
发明人： M.E.麦坎;朴相荣 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2006-10-20 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： F01D5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有燕尾（16）的燃气涡轮发动机叶片（10），该燕尾（16）具有有利于耐久性的增强表面。叶片（10）包括翼型部分（12）和与翼型部分（12）相对布置的燕尾部分（16）。燕尾部分（16）包括外表面（44），外表面（44）的至少一部分具有由多次喷丸处理操作所导致的残余压应力。燕尾部分（16）还包括铜-镍-铟抗磨涂层（42）和润滑剂涂层（46），铜-镍-铟抗磨涂层（42）布置在具有残余压应力的外表面（44）上，润滑剂涂层（46）布置在铜-镍-铟抗磨涂层（42）上，且润滑剂涂层（46）无铅。
有利于耐久性增强燕尾表面

[发明专利]有利于耐久性的增强燕尾表面-CN200610135684.1无效
发明人： M·E·麦坎;朴相荣 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2006-10-20 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： F01D5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有燕尾(16)的燃气涡轮发动机叶片(10)，该燕尾(16)具有有利于耐久性的增强表面。叶片(10)包括翼型部分(12)和与翼型部分(12)相对布置的燕尾部分(16)。燕尾部分(16)包括外表面(44)，外表面(44)的至少一部分具有由多次喷丸处理操作所导致的残余压应力。燕尾部分(16)还包括铜－镍－铟抗磨涂层(42)和润滑剂涂层(46)，铜－镍－铟抗磨涂层(42)布置在具有残余压应力的外表面(44)上，润滑剂涂层(46)布置在铜－镍－铟抗磨涂层(42)上，且润滑剂涂层(46)无铅。
有利于耐久性增强燕尾表面

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