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[发明专利]平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极-CN201010113804.4有效
发明人：孙莉莉;闫发旺;张会肖;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-02-24 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极，属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为非矩形的平行四边形，N型焊盘位于平行四边形的一个角上，N型条形电极自N型焊盘出发沿平行四边形边缘环绕一周，P型电极的焊盘位于平行四边形芯片的中心，P型条形电极首先沿N型焊盘所在角对应的对角线方向分布，然后再平行于平行四边形芯片的边缘分布，在LED芯片内部N电极与P电极对称分布，保证了平行四边形LED芯片的电流分布均匀，从而达到提高平行四边形LED芯片的出光效率和寿命的目的。
平行四边形 gan 发光二极管芯片对称电极

[发明专利]三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极-CN201010113816.7有效
发明人：孙莉莉;闫发旺;张会肖;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-02-24 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极，属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为三角形，N型电极的焊盘位于三角形芯片的顶角，N型条形电极自N型焊盘出发沿三角形LED芯片的边缘环绕一周，P型电极的焊盘位于三角形芯片的中心，P型条形电极首先沿垂直于三角形底边方向进行分布，然后再平行于三角形芯片的边缘分布，在LED芯片内部N电极与P电极对称分布，以保证三角形LED芯片的电流分布均匀，从而达到提高三角形LED芯片的出光效率和寿命的目的。
三角形 gan 发光二极管芯片对称电极

[发明专利]全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法-CN201010113819.0无效
发明人：闫发旺;孙莉莉;张会肖;伊晓燕;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-02-24 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及LED芯片技术领域，公开了一种全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法。该方法基于传统LED工艺流程，在不增加任何工艺步骤的基础上，通过合理的版图设计，实现LED芯片全侧壁粗化。在不增加任何生产成本的前提下，能有效提高LED的发光效率。本发明可通过常规LED工艺流程予以实现：首先对GaN外延片进行台面刻蚀，形成侧壁锯齿状粗化的GaN台面和N型GaN沟槽，其中GaN台面包括P型GaN、量子阱和N型GaN，在P型GaN表面制备侧壁锯齿状粗化的透明导电薄膜，然后在导电薄膜上制备P型电极，在沟槽内制备N型电极。
侧壁锯齿状发光二极管芯片制备方法

[发明专利]一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法-CN200910241699.X无效
发明人：纪攀峰;李京波;闫建昌;刘乃鑫;刘喆;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-12-02 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高镁在III-V族氮化物中激活效率的方法，该方法是在镁掺杂的p型III-V族氮化物的表面蒸镀一层2nm至10nm的金属钛，然后在N2气氛下退火，并用酸性液体洗掉蒸镀在p型III-V族氮化物上的金属钛。利用本发明，使镁在III-V族氮化物中的激活效率大大的提高，增加了p型III-V族氮化物中空穴的浓度。
一种提高氮化物激活效率方法

[发明专利]一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法-CN200910241697.0无效
发明人：纪攀峰;李京波;闫建昌;刘乃鑫;刘喆;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-12-02 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法，在蓝宝石、SiC、GaN等衬底上外延生长的n型和p型III-V族氮化物，使用SiH4和/或Cp2Mg作为掺杂剂，使用交替供源气体的方式来实现n型和p型的有效掺杂。利用本发明，实现了利用Si和Mg对III-V氮化物进行n型和p型的有效掺杂，不但能够改善材料的晶体质量，降低材料的位错，而且能够提高III-V氮化物的n型和p型的掺杂效率和浓度。在提高了n型和p型III-V氮化物的掺杂效率和浓度之后，可以对GaN基LED和LD的n型和p型掺杂区域进行减薄，提高了利用MOCVD外延的效率，节约了外延的材料和消耗的能源。
一种氮化物进行掺杂方法

[发明专利]金属有机物化学气相沉积装置-CN200810118737.8无效
发明人：段瑞飞;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-08-20 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：一种金属有机物化学气相沉积装置，其特征在于，包括：一反应室，该反应室用于同时生长氮化物和氧化锌的半导体外延薄膜材料；一有机源通道，该有机源通道的一端与反应室的一入口连接，用于为反应室生长氮化物或者氧化锌材料提供金属源材料；一气源通道，该气源通道的一端与反应室的另一入口连接，用于为反应室生长氮化物或者氧化锌材料提供氮源或者氧源；一气路分配单元，该气路分配单元的输出端与有机源通道和气源通道的另一端连接；一有机源，该有机源通过管路与气路分配单元的输入端连接；一载气，该载气通过管路与气路分配单元的输入端连接；一气源，该气源通过管路与气路分配单元的输入端连接。
金属有机物化学沉积装置

[实用新型]电磁式自动无针注射器-CN200920099502.9无效
发明人： 王军喜 -专利权人： 王军喜
申请日： 2009-04-03 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： A61M5/303 文献下载
摘要：电磁式自动无针注射器，它涉及一种无针注射器。本实用新型解决了现有的无针注射器存在无法控制给药量、不能连续注射、无法实现自动注射的问题。安瓿瓶的尾端装在调节杆的内腔中并与调节杆的一端螺纹连接，活塞的一端从安瓿瓶的尾端插装在安瓿瓶的内腔中，活塞的另一端装在调节杆的内腔中，调节杆的另一端装在调节套筒内并与调节套筒螺纹连接，撞击杆的一端插装在调节杆的内腔中并与活塞的端面相接触，撞击杆的另一端穿出盖板位于壳体内，盖板固装在壳体的台肩孔内，电磁铁安装在壳体的内腔中，撞击轴的一端插装在电磁铁的内腔中，弹簧套装在电磁铁上。本实用新型结构紧凑、无需拆洗、操作简单易学、可自动注射，并实现了给药量可调。
电磁式自动注射器

[发明专利]一种垂直结构氮化物LED的制备方法-CN200810102801.3无效
发明人：段瑞飞;王军喜;曾一平;王国宏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-03-26 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种垂直结构氮化物LED的制备方法，包括：取一生长氮化物的衬底；在衬底上生长辅助剥离层，该剥离层使得衬底和后续外延材料之间的键合相对较弱；在辅助剥离层上，采用MOCVD方法生长氮化物成核层，保证氮化物的高质量；在氮化物成核层上生长一层氮化镓厚层材料；在氮化镓厚层材料上，采用MOCVD方法生长多量子阱LED结构层，形成氮化物LED的发光层，其中p型氮化物的制备可以通过HVPE来实现；剥离衬底和辅助剥离层以及部分氮化物成核层，得到垂直结构的氮化物LED外延片；在多量子阱LED结构层上制作上电极；在与外延层相连的氮化物成核层下面制作一下电极，完成垂直结构氮化物LED的制备。
一种垂直结构氮化物 led 制备方法

[发明专利]一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN厚膜的方法-CN200810100953.X有效
发明人：魏同波;段瑞飞;霍自强;王军喜;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-02-27 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN外延层的制备方法，以m面蓝宝石为衬底，用磁控溅射方法沉积ZnO缓冲层，再用氢化物气相外延方法生长低温GaN保护层，之后升温到高温，在NH₃气氛中退火，最后使用氢化物气相外延快速生长GaN厚膜。本发明的非极性m面GaN厚膜可用于GaN的同质外延生长以及非极性LED、LD等光电器件的制备。
一种蓝宝石衬底生长极性 gan 方法

[发明专利]一种氮化物材料的外延方法-CN200710304210.X无效
发明人：段瑞飞;王军喜;曾一平;王国宏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明是一种高性能氮化物材料的低成本外延方法。包括：采用图形衬底或者应力释放层作为衬底；采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)模式生长成核层；采用氢化物气相外延(HVPE)模式生长铝镓铟氮(AlGaIn)N缓冲层；采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)模式生长光电子材料的器件结构。通过本发明可以实现高性能氮化物外延材料的低成本生长，发挥HVPE和MOCVD结合的最大性能。
一种氮化物材料外延方法

[发明专利]用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法-CN200710120612.4有效
发明人：闫发旺;高海永;樊中朝;李晋闽;曾一平;王国宏;张会肖;王军喜;张扬 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-08-22 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法，包括：在用于氮化物外延生长的衬底上淀积一层二氧化硅或氮化硅膜；在所述二氧化硅或氮化硅膜上蒸镀一层金属薄层；退火热处理，在表面形成均匀分布的纳米尺度的金属颗粒；利用形成的纳米尺度的金属颗粒作为掩膜，刻蚀所述二氧化硅或氮化硅膜，形成纳米图形结构；以所述具有纳米图形结构的二氧化硅或氮化硅膜为掩膜刻蚀衬底，将纳米图形结构转移到衬底上；腐蚀去掉所述二氧化硅或氮化硅膜，清洗衬底，得到纳米级图形衬底。利用本发明，能降低氮化物外延层中的位错密度，提高外延材料的晶体质量，改善器件的性能，并有利于实现规模化和大面积制作。
用于氮化物外延生长纳米图形衬底制作方法

[发明专利]一种氮化物材料外延装置-CN200710118634.7无效
发明人：段瑞飞;王军喜;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-07-11 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明一种氮化物材料外延装置，其特征在于，包括：一金属有机源化学气相沉积系统，该系统具有独立的金属有机源管路和气体源管路；一金属卤化物独立供应源，该金属卤化物独立供应源通过阀门和管路与金属有机源化学气相沉积系统的金属有机源管路直接相连。
一种氮化物材料外延装置

[发明专利]一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置-CN200610165539.8无效
发明人：段瑞飞;王军喜;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置，其中：金属卤化物供应炉外部设有加热装置，该供应炉设有通气管道；该供应炉内部放置金属镓、铟、铝、铁、镁中的一种或多种或者经过提纯的金属卤化物；该供应炉设有反应气体/载气通道，生成或者直接的金属卤化物通过载气携带进入氢化物气相外延炉进行氮化物材料的生长；氢化物气相外炉延生长室包括有；一外延生长室；一衬底装置设于外延生长室内，衬底装置在外延生长室外部接有调速马达；反应气体管道通过外延生长室的密封盘进入外延生长室，载气携带反应气体通过该反应气体管道进入外延生长室内，并流动到衬底上进行反应生长氮化物单晶衬底；一加热装置，环绕于外延生长室外。
一种独立供应金属卤化物氢化物外延装置

[发明专利]一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置-CN200610165541.5无效
发明人：段瑞飞;刘喆;钟兴儒;魏同波;马平;王军喜;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置，包括：一外延生长室，为竖直设置；外延生长室上、下端面装有底盘进行密封；一衬底装置设于外延生长室内上方，衬底放置方式为面朝下；衬底装置在生长室外部接有调速马达，以控制衬底装置的转速；一金属反应源放置器，位于外延生长室内衬底装置下方或反应炉之外；反应气体管道通过生长室下端面的底盘进入外延生长室，载气通过反应气体管道进入外延生长室，携带反应气体向上流动到衬底上进行反应生长氮化物单晶衬底；一副产物收集装置，与外延生长室出气口连接，收集反应副产物，以防止反应气体管道路堵塞；一加热装置环绕于外延生长室外圆周；一自动控制系统进行控制。
一种制备氮化物衬底氢化物外延装置

[发明专利]一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统-CN200610112883.0无效
发明人：王晓亮;王新华;冯春;王保柱;马志勇;王军喜;胡国新;肖红领;冉军学;王翠梅 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-09-06 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统，该系统包括：配气单元，用于为测试气体传感器气敏性能提供可控浓度且均匀混合的测试用气体，并在对气体传感器气敏性能测试完成后排出测试用气体；加热单元，用于控制测试温度，满足对气体传感器或半导体器件性能进行测试的不同温度条件需要；测试单元，用于测试在不同温度和不同浓度测试用气体下气体传感器或半导体器件电流电压特性的变化，实现对气体传感器或半导体器件性能进行的测试。利用本发明，实现了在高温下对气体传感器的气敏性能和半导体器件的电学性能进行测试，满足了对气体传感器和半导体器件研究测试的需要。
一种气体传感器半导体器件性能进行测试系统