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[发明专利]360度发光的LED球泡灯-CN201310380402.4有效
发明人：郭金霞;谢海忠;卢鹏志;田婷;赵勇兵;詹腾;伊晓燕;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-08-28 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明提供一种360度发光的LED球泡灯，包括：一球形外壳和与之连接的基座；一导热支柱，其设置在基座上；多个透明陶瓷基板，其设置在导热支柱上，多个透明陶瓷基板上分别设置多个LED管芯，所述导热支柱与透明陶瓷基板为垂直设置；一驱动电路，其位于基座内，所述LED管芯与驱动电路电连接。本发明可提高整灯的出光效率，具有成本低和寿命长的优点。
360 发光 led 球泡灯

[发明专利]全彩发光二极管模组的制备方法-CN201310379858.9无效
发明人：薛斌;卢鹏志;谢海忠;于飞;杨华;李璟;伊晓燕;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-08-28 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：一种全彩发光二极管模组的制备方法，包括以下步骤：取一外延片；在外延片上制备发光二极管阵列；在制备有发光二极管阵列的外延片上进行减薄划裂，得到发光二极管单元；取一基板，基板的一面制备有导电通孔、金属焊点和导电通道，基板的另一面制备有与导电通孔连接的金属电极，将电路导入基板的背面；将每个发光二极管的电极与基板上对应的金属焊点连接，将发光二极管单元固定在基板上，并且使发光二极管单元中的生长衬底朝上；利用激光剥离或化学腐蚀将发光二极管单元的生长衬底剥离，在剥离后的发光二极管单元的表面涂覆荧光粉；将基板划裂切割开来，形成发光二极管模组，完成全彩发光二极管模组的制备。本方法具有简化工艺路径，降低工艺成本。可以对发光二极管模组进行精确控制。
全彩发光二极管模组制备方法

[发明专利]具有可调输出光色的发光二极管模组的制备方法-CN201310379728.5无效
发明人：薛斌;谢海忠;卢鹏志;于飞;杨华;李璟;伊晓燕;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-08-28 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种具有可调输出光色的发光二极管模组的制备方法，包括以下步骤：步骤1：取一外延片；步骤2：在外延片上制备发光二极管阵列；步骤3：在制作有发光二极管阵列的外延片上涂覆荧光粉；步骤4：对外延片进行减薄划裂，得到发光二极管单元；步骤5：取一基板，基板的一面制备有导电通孔、金属焊点和导电通道，基板的另一面制备有与导电通孔连接的金属电极，将电路导入基板的背面；步骤6：将发光二极管单元的电极与基板上对应的金属焊点连接，将发光二极管单元固定在基板上，将基板划裂切割开来，形成发光二极管模组，完成具有可调输出光色的发光二极管模组的制备。本方法具有简化工艺路径，降低工艺成本的优点。可以对发光二极管模组的尺寸和模组中发光二极管的间距进行精确控制。
具有可调输出发光二极管模组制备方法

[发明专利]半导体发光器件或模组在线多功能测试系统及方法-CN201310296013.3有效
发明人：赵丽霞;周子超;杨华;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-07-15 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光器件或模组在线多功能测试系统及方法，该系统包括电特性发生及测试装置、多个光特性探测及控制装置、光信号处理分析装置、多个热特性探测装置、中央监控及处理计算机、多通道驱动集成控制装置、多个加速多应力控制装置、多个LED器件模组负载装置。利用本发明，实现了在多应力加速老化环境下同时进行加速老化并原位在线监控测试的功能。
半导体发光器件模组在线多功能测试系统方法

[发明专利]一种可提高LED发光效率的金属纳米颗粒的制备方法-CN201310136057.X无效
发明人：孙莉莉;闫建昌;董鹏;魏同波;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可提高LED发光效率的金属纳米颗粒的制备方法。该方法包括：在光电器件需要形成金属纳米颗粒的薄膜表面生长金属薄膜；在金属薄膜表面旋涂光刻胶；刻蚀光刻胶，形成光刻胶纳米颗粒；以光刻胶纳米颗粒为掩模，刻蚀所述金属薄膜，形成金属纳米颗粒；去除光刻胶，完成金属纳米颗粒的制备。目前制备金属纳米颗粒的方法主要包括电子束光刻、自组装以及退火技术。基于氧等离子体刻蚀光刻胶会生成光刻胶纳米颗粒这一物理现象，本发明提出一种低温、低成本、无污染的制备高密度金属纳米颗粒的方法，为金属等离激元技术在光电器件研究领域的广泛应用提供一种方法。
一种提高 led 发光效率金属纳米颗粒制备方法

[发明专利]垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法-CN201310193970.3有效
发明人：于治国;赵丽霞;魏学成;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法，其中垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED，包括：一衬底；一GaN基LED结构纳米柱阵列，其制作在衬底上；一纳米柱侧壁隔离层，其制作在GaN基LED结构纳米柱阵列的侧壁上；一三明治结构填充层，其制作在纳米柱侧壁隔离层外，且填满GaN基LED结构纳米柱阵列的间隙，形成基片；一p面电极，其制作在基片的上表面；一n面电极，其制作在衬底的背面。本发明可以独立于材料生长过程和干法刻蚀过程实现表面等离激元与GaN基LED的耦合。
垂直结构表面离激元增强 gan 纳米 led 制备方法

[发明专利]可调控能带的UV LED多量子阱结构装置及生长方法-CN201310244191.1无效
发明人：张连;曾建平;魏同波;闫建昌;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调控能带的UV LED多量子阱结构装置及生长方法，其能够提高紫外发光二极管有源区多量子阱中辐射复合效率。所述可调控能带的UV LED多量子阱结构装置，其包括至少一个能带被调控的量子阱结构，该能带调控量子阱结构由量子阱势垒层和组分渐变量子阱势阱层交替生长而成。该可调控能带的UV-LED量子阱结构能够实现对量子阱区域的能带调控，提高量子阱有源区中的电子空穴波函数叠加，提高UV-LED量子阱区域的辐射复合效率，进而提高UV-LED的功率和效率。
调控能带 uv led 多量结构装置生长方法

[发明专利]在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法-CN201310196493.6无效
发明人：董鹏;王军喜;闫建昌;张韵;曾建平;孙莉莉;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法，包括以下步骤：步骤1：在一蓝宝石衬底上制备一单晶薄膜；步骤2：在单晶薄膜上旋涂一层光刻胶；步骤3：在光刻胶上制备一有序排列的微纳米球单层膜；步骤4：利用微纳米球的聚光作用，通过光刻机对光刻胶进行曝光；步骤5：去掉微纳米球单层膜，并显影出有序排列的光刻胶微纳米孔阵列；步骤6：通过干法刻蚀将微纳米孔阵列转移到单晶薄膜上，在单晶薄膜上形成单晶薄膜微纳米孔阵列；步骤7：利用单晶薄膜微纳米孔阵列作为掩膜，湿法腐蚀蓝宝石衬底，从而在蓝宝石衬底上获得有序的微纳米图形阵列；步骤8：去除单晶薄膜掩膜后，完成制备。
蓝宝石衬底制备纳米图形方法

[发明专利]一种可调控能带的LED量子阱结构-CN201310244179.0有效
发明人：张连;曾建平;路红喜;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高发光二极管有源区多量子阱中辐射复合效率的可调控能带的量子阱结构及其外延生长方法。该可调控能带的LED量子阱结构包括至少一个组分渐变的量子阱势阱层，实现对量子阱区域的能带调控，提高量子阱有源区中的电子空穴波函数叠加，提高LED量子阱区域的辐射复合效率。该多量子阱结构可应用于InGaN基蓝光和绿光LED，提高InGaN基蓝光和绿光LED有源区的内量子效率，进而提高LED的功率和效率。
一种调控能带 led 量子结构

[发明专利]一种双加热气相外延生长系统-CN201310179053.X无效
发明人：胡强;魏同波;羊建坤;霍自强;王军喜;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种双加热氢化物气相外延生长系统(HVPE)，包括：水平或竖直放置的外延生长室；双加热装置，其包括外加热器和内加热器；样品台，其上放置样品；金属源反应物放置器，其内部放置有金属源；喷淋器，其位于所述样品台正上方，其与所述外延生长室外部的第二进气孔相连；所述喷淋器用于将从第二进气孔输入的反应气体和从金属源反应物放置器进入的金属化合物喷洒在所述样品表面，以进行材料生长。本发明通过双加热装置提高HVPE反应系统的生长温度，在石英反应腔内得到1500以上的高温区，从而可以实现AlN等材料的外延生长。且本发明提出的双加热氢化物气相外延生长系统(HVPE)能够降低能耗，提高控温精度。
一种热气外延生长系统

[发明专利]垂直阵列纳米柱LED的制备方法-CN201310193969.0无效
发明人：于治国;赵丽霞;魏学成;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种垂直阵列纳米柱LED的制备方法，该方法包括：步骤1：在平面结构LED外延片上生长一层Al2O3层；步骤2：在Al2O3层上制备纳米颗粒模板；步骤3：利用干法刻蚀技术将平面结构LED外延片制备成纳米柱阵列；步骤4：去掉纳米颗粒模板；步骤5：在纳米柱间隙旋涂一层电介质并完全覆盖纳米柱阵列，用于对纳米柱阵列进行平面化处理，得到样品；步骤6：利用干法刻蚀技术对样品进行反刻蚀，刻蚀深度达到LED外延片的表面；步骤7：利用湿法腐蚀掉Al2O3层；步骤8：从去掉Al2O3层的LED外延片的上面向下刻蚀，刻蚀深度小于LED外延片的厚度，在LED外延片的一侧形成台面；步骤9：利用光刻、金属蒸发、带胶剥离技术，在LED外延片的表面制备p电极，在台面上制备n电极。
垂直阵列纳米 led 制备方法

[发明专利]一种金属纳米圆环的制备方法-CN201310144380.1有效
发明人：孙莉莉;张韵;闫建昌;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属纳米圆环的制备方法，包括：步骤1、在光电器件需要形成金属纳米圆环的薄膜表面依次生长介质层和第一金属层；步骤2、通过退火工艺使所述第一金属薄膜形成金属纳米颗粒；步骤3、以金属纳米颗粒为掩模，刻蚀所述介质层形成介质纳米颗粒；步骤4、去除金属纳米颗粒，并在带有所述介质纳米颗粒的器件表面和所述介质纳米颗粒的顶部与侧壁生长至少一层第二金属薄膜，刻蚀所述至少一层第二金属薄膜，仅保留所述介质纳米颗粒侧壁的第二金属薄膜；步骤5、去除所述介质纳米颗粒，最终形成金属纳米圆环。
一种金属纳米圆环制备方法

[发明专利]任意切割式高压LED器件的制作方法-CN201310121433.8无效
发明人：詹腾;王国宏;郭金霞;李璟;伊晓燕;刘志强;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种任意切割高压LED器件的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在衬底上形成半导体外延结构，该半导体外延结构包括衬底、N型化合物半导体层、有源层和P型化合物半导体层；步骤2：对所述半导体外延结构表面图形化形成多个重复的发光芯片单元，蚀刻所述半导体外延结构至衬底表面形成隔离槽，所述隔离槽将所述每个发光芯片子单元隔离；步骤3：在每个发光芯片子单元的侧壁形成绝缘介质层；步骤4：蒸镀金属，并图形化形成p和n电极以及互连线，互连线将发光芯片子单元电互连；步骤5：在发光芯片子单元之间形成划片沟槽；沿着划片沟槽将衬底和半导体外延结构分割成多个芯片单元，每个芯片单元包含不同数量的发光芯片子单元，所述芯片单元内的发光芯片子单元之间通过互连线串联。
任意切割高压 led 器件制作方法

[发明专利]紫外共振腔发光二极管-CN201310141880.X无效
发明人：曾建平;闫建昌;王军喜;丛培沛;孙莉莉;董鹏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够发射具有峰状轮廓并具有中心波长(λ)的辐射的共振腔紫外发光二极管(RC-UVLED)装置，该装置包括：一种共振腔紫外发光二极管装置，其包括：第一腔，其用于传输共振腔紫外发光二极管装置的量子阱有源区向上辐射和经过第一反射器反射的电磁波；第二腔，其用于传输共振腔紫外发光二极管装置的量子阱有源区向下辐射和经过第二反射器反射的电磁波；其中第一腔和第二腔共同构成的共振通道，电磁波在其中来回传播。第一反射器和第二反射器，分别连接到该第一腔和第二腔，分别用于反射从第一腔和第二腔中经过并射向反射器的电磁波。
紫外共振发光二极管

[发明专利]一种无线充电系统-CN201310152822.7无效
发明人：孙莉莉;张韵;闫建昌;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可杀菌消毒的无线充电系统，其包括基座、盖子、无线充电模块和紫外LED模块；其中，盖子盖在基座上，所述无线充电模块置于基座内部，所述紫外LED模块位于所述无线充电系统内部，其用于发出能够杀菌消毒的紫外光。本发明公开的上述无线充电系统尤其适合用于对手机进行无线充电的同时，完成对智能手机的杀菌消毒。
一种无线充电系统