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[发明专利]一种体声波器件的制备方法-CN201610751285.1在审
发明人：孙莉莉;张韵;程哲;张连;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种体声波器件的制备方法。采用垂直结构发光二极管工艺中常见的激光剥离、电镀铜和倒装焊工艺，有效解决了单晶体声波器件制备过程中难以在底部金属电极上制备高质量单晶氮化物材料这一技术难题，为高性能体声波器件的制备奠定了基础。
一种声波器件制备方法

[发明专利]一种III族氮化物生物探针及其制备方法-CN201610753068.6在审
发明人：袁国栋;张璐;王克超;吴瑞伟;李晋闽;王军喜 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种III族氮化物生物探针及其制备方法，属于半导体材料制备及生物医学交叉领域。本发明采用具有潜在应用前景的III‑V族材料作为探针基本材料，通过调节多组量子阱的材料组分、厚度及组数，得到可调的量子线结构，满足发光强度和波长一定范围内可调的要求，又由于成熟的制备工艺，使得生物探针在生物体内高度稳定，不易淬灭，寿命长，可代谢。
一种 iii 氮化物生物探针及其制备方法

[发明专利]在Si衬底上利用应变调制层减少GaN层穿透位错的结构及方法-CN201610595054.6在审
发明人：刘波亭;马平;张烁;吴冬雪;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种在Si衬底上利用应变调制层减少GaN层穿透位错的结构，包括：一Si衬底；一AlN缓冲层，其生长在Si衬底的上面；一AlN层，其生长在AlN缓冲层的上面；一GaN三维岛状成核层，其生长在AlN层的上面；一SiN_x掩膜层，其生长在GaN三维岛状成核层之上；一GaN恢复层，其生长在GaN三维岛状成核层上，并覆盖SiN_x掩膜层；一GaN层，其生长在GaN恢复层上。本发明是通过应变调制层的引入，有效降低GaN外延层中的穿透位错密度。
si 衬底利用应变调制减少 gan 穿透结构方法

[发明专利]一种H型喷头的MOCVD匀气上下盘组件-CN201610597251.1在审
发明人：梁勇;胡国新;曾一平;王军喜;段瑞飞;李辉 -专利权人：北京中科优唯科技有限公司
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了提供了一种气盘，和使用该气盘的MOCVD设备，包括：第一进气口、第二进气口第三进气口；第一腔室、第二腔室以及与第三腔室；第一种气体喷头区域、第二种气体喷头区域、第三种气体喷头区域；所述第一种气体喷头与第一腔室连通；所述第二种气体喷头与第二腔室连通；所述第三种气体喷头区域与第三腔室连通；所述第一种气体喷头区域设置在所述气盘外表面靠外的部分，所述第二种气体喷头区域设置在所述气盘外表面居中的部分，所述第三气体喷头区域设置在所述第一种气体喷头区域和第二种气体喷头区域之间。通过采用上述技术方案，合理利用了所述气盘底部的空间，减小预反应，避免了在MOCVD托盘上出现不均匀生长的情况。
一种喷头 mocvd 匀气上下盘组件

[发明专利]利用石墨烯插入层在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法-CN201610370844.4在审
发明人：安平博;赵丽霞;魏同波;陈召龙;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用石墨烯插入层在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法及该方法制成的AlN薄膜外延结构。所述方法包括：S1、在一临时衬底上生长单层石墨烯；S2、将所述临时衬底上的生长的单层石墨烯转移到所述玻璃衬底上；S3、在表面具有单层石墨烯的玻璃衬底上生长AlN薄膜。本发明利用石墨烯作为插入层，可以解决外延薄膜和非晶玻璃衬底晶格不匹配问题，为AlN外延提供模版，改善了在非晶衬底上外延AlN的薄膜质量。
利用石墨插入玻璃衬底外延 aln 薄膜方法

[发明专利]氮化镓纳米锥和氮化镓纳米柱混合阵列的制作方法-CN201610373179.4在审
发明人：任鹏;张宁;薛斌;刘喆;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化镓纳米锥和氮化镓纳米柱混合阵列的制作方法，方法首先在一衬底上依次沉积氮化镓层、掩模层和光刻胶层，然后在光刻胶层上排列一层紧密排列的聚苯乙烯小球，并以聚苯乙烯小球为透镜，对光刻胶层进行曝光并显影，以在光刻胶层形成圆形孔洞阵列，接着采用刻蚀工艺将光刻胶层的图形转移到氧化硅层上，刻蚀直到暴露出下方氮化镓层，以在掩模层形成圆形孔洞阵列，最后在掩模层的圆形孔洞阵列中生长氮化镓纳米柱和和氮化镓纳米锥混合阵列。本发明能大规模生产出氮化镓纳米锥和氮化镓纳米柱混合阵列，并且氮化镓纳米锥和氮化镓纳米柱的尺寸可控。
氮化纳米混合阵列制作方法

[发明专利]一种增强型AlGaN/GaN晶体管的制备方法-CN201610319778.8在审
发明人：刘波亭;马平;张烁;吴冬雪;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供了一种增强型AlGaN/GaN晶体管的制备方法，方法在衬底依次生长GaN或AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层及AlGaN极化掺杂层，并对AlGaN极化掺杂层刻蚀后制作源极、漏极及栅极，以得到增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。本发明在生长AlGaN极化掺杂层时，令Al组分沿生长方向线性变少，实现了极化p型掺杂，可以使沟道层中的二维电子气完全耗尽，同时，刻蚀掉栅极以外的极化掺杂AlGaN帽层，保证了器件工作时具有低的通态电阻。
一种增强 algan gan 晶体管制备方法

[实用新型]一种可实现自然光谱的LED光源-CN201521126964.7有效
发明人：卢鹏志;杨华;裴艳荣;薛斌;李璟;王国宏;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可实现自然光谱的LED光源，该LED光源包括：封装基板、电路层、第一光源分区和第二光源分区，其中：所述封装基板的表面铺设有电路层；所述封装基板的表面设有第一光源分区和第二光源分区；所述第一光源分区将第二光源分区包含在内，第一光源分区与第二光源分区之间的区域用于放置多个白光LED芯片；所述第二光源分区位于第一光源分区的中央，用于放置多颗补光LED芯片，所述补光LED芯片发出的光谱填补所述白光LED芯片发出的光谱与自然光谱相比缺失的部分。本实用新型光源显色指数高，使用寿命长，舒适度高，适合应用在家用照明以及对光源有特殊要求的场合。
一种实现自然光谱 led 光源

[发明专利]增强型高电子迁移率晶体管及制备方法、半导体器件-CN201610274590.6在审
发明人：黄宇亮;程哲;张连;张韵;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种增强型高电子迁移率晶体管，包括栅极、源极、漏极、p型层、势垒层和设置在势垒层上的钝化层，钝化层上的部分区域设置有刻蚀至势垒层上表面形成的二次外延图形；势垒层还包括在所述图形的局部区域进一步向势垒层内刻蚀形成的凹槽；图形以及凹槽内有二次外延生长的p型层，其中，凹槽内的p型层与位于其上方的栅极金属接触，非凹槽内的p型层与位于其上方的漏极金属接触。以及晶体管的制备方法和包含该晶体管的半导体器件。所述晶体管通过槽栅结合选区二次外延p型层，增大器件阈值电压，而且由于只是部分刻蚀势垒层，器件饱和电流比槽栅型HEMT更大。另外，在漏极金属下也选区生长p型层，可以提高器件关断效果。
增强电子迁移率晶体管制备方法半导体器件

[发明专利]一种光色可调发光二极管及其制备方法-CN201610085664.1在审
发明人：熊卓;魏同波;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-02-15 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种光色可调发光二极管，包括衬底和外延层，所述外延层包括第一多量子阱层，所述第一多量子阱层上具有贯穿该层的微纳米孔洞，在所述孔洞内沉积有与所述第一多量子阱层上下表面齐平的第二多量子阱结构。还提供一种制备光色可调发光二极管的方法。通过在与衬底平行的横向方向上分布不同的量子阱，改变传统的纵向堆叠多量子阱结构的生长模式，既可以解决在一定注入电流下纵向堆叠多量子阱结构无荧光粉单芯片白光发光二极管的有源区中电子和空穴分布不均的问题，也可以通过不同多量子阱的组合来实现光色可调的发光二极管。
一种可调发光二极管及其制备方法

[发明专利]氮化镓基微纳米锥结构发光二极管及其制备方法-CN201610108576.9在审
发明人：熊卓;魏同波;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种氮化镓基微纳米锥结构发光二极管，包括衬底和衬底上的外延层，所述外延层包括n型氮化镓层，其中所述n型氮化镓层上包括绝缘介质层，所述绝缘介质层上具有刻蚀至所述n型氮化镓层的多个微纳米孔；在所述的微纳米孔中生长有外延至绝缘介质层之上的多个n型氮化镓微纳米锥，在所述微纳米锥的锥面上设置有多量子阱层。以及一种该发光二极管的制备方法。通过该制备方法得到一种氮化镓基微纳米锥结构发光二极管，这种结构既可实现长波长发光二极管，也可以用于无荧光粉单芯片白光等领域。
氮化镓基微纳米结构发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种氧化镓薄膜的制备方法-CN201511021600.7在审
发明人：王晓峰;李丽娟;霍自强;王军喜;李晋闽;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1，将镓源放入反应舟内，反应舟放入石英反应管内；步骤2，将清洗、吹干后的衬底放在衬底托上，放入石英反应管内；步骤3，打开镓源气路，让惰性气体通过反应舟进入石英反应管，反应舟的出口正对衬底表面；步骤4，打开氧源气路，让惰性气体携带氧源进入石英反应管；步骤5，加热石英反应管；加热石英反应管内的反应舟和衬底；步骤6，调节反应舟和衬底的工作温度，设定生长时间，在衬底上沉积氧化镓薄膜，完成制备。利用本发明的方法，可以采用工业原料镓和碘作为原材料，选用商品化的蓝宝石和硅作为衬底，在常压条件下制备氧化镓薄膜。
一种氧化薄膜制备方法

[发明专利]一种基于激光器的车灯系统-CN201511005843.1在审
发明人：薛斌;任鹏;张宁;刘喆;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于激光器的车灯系统，所述车灯系统包括：激光光源，其输出的光通过输出波导分别导入混光模块、脉冲测距模块和通信模块；调制模块，用于控制激光光源中激光器的发射光强；混光模块用于将激光光源发射出的光经过混光和扩散转化后形成非相干光并输出；脉冲测距模块接收来自激光光源的输出，通过持续发射光脉冲信号和接收光脉冲反射信号得到与目标之间的距离，并发送给车辆控制系统；通信模块用于接收来自所述激光光源的输出、来自所述混光模块的输出以及来自外界的通信数据，并发送搭载有数据的光信号，实现与外界信息的交互互联。本发明实现了激光车灯功能的多样化和智能化，对提高车辆行驶的安全性具有促进作用。
一种基于激光器车灯系统

[发明专利]一种光色可调的LED叠层光源模块-CN201511005812.6在审
发明人：卢鹏志;杨华;郑怀文;薛斌;李璟;王国宏;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： F21K9/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光色可调的LED叠层光源模块，所述光源模块包括：多层基板，所述多层基板的每层基板中心均设有台阶形通孔，且每层基板的表面均布有电路层；多颗LED发光芯片，所述多颗LED发光芯片分别制作在每层基板的台阶形通孔内，并与相应基板表面的电路层电连接。本发明公开的光色可调的LED叠层光源模块具有光色可调，面积小，易混光，出光均匀，出光颜色多样性，使用寿命长的特点。
一种可调 led 光源模块

[发明专利]基于钙钛矿单晶衬底的太阳电池-CN201610110998.X在审
发明人：袁国栋;王乐;段瑞飞;李晋闽;王军喜;黄芳;吴瑞伟;王克超 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-02-29 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：一种基于钙钛矿单晶衬底的太阳电池，包括：一钙钛矿单晶衬底；一空穴传输层，其制作在钙钛矿单晶衬底的下面；一下电极，其制作在空穴传输层的下面；一空穴阻挡层，其制作在钙钛矿单晶衬底上；一上电极，其制作在空穴阻挡层上。本发明的太阳能电池对300-800nm的光有超过90％的吸收率，单晶的钙钛矿层能够减少复合中心，提高太阳能电池的光电转换效率。
基于钙钛矿单晶衬底太阳电池