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[发明专利]一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法-CN201310118141.9有效
发明人：曾建平;闫建昌;王军喜;丛培沛;孙莉莉;董鹏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-04-07 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaN基DBR高反射紫外发光二极管及制作方法。该紫外发光二极管依次包括：衬底、AlN成核层、n型AlGaN势垒层、有源区、p型AlGaN势垒层和p型GaN冒层；其中，所述p型AlGaN势垒层上制作有DBR高反射结构。本发明提出的紫外发光二极管中被p型GaN冒层吸收的光线经过所述DBR高反射结构反射后，由底部发出，极大的提高了出射光的功率和效率。本发明提出的上述其外发光二极管器件及其制作方法工艺简单，重复性好，可靠性高，可用于空气/水净化，医疗，生物医学，白光照明以及空间通信等领域。
一种具有 dbr 反射结构紫外发光二极管及其制备方法

[发明专利]高压发光二极管芯片及其制造方法-CN201310091232.8无效
发明人：郭金霞;闫建昌;伊晓燕;田婷;詹腾;赵勇兵;宋昌斌;王军喜 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种高压发光二极管芯片的制作方法，包括：在衬底形成绝缘缓冲层；在绝缘缓冲层上形成n型半导体层、有源层和p型半导体层；图形化后蚀刻所述n型半导体层、有源层和p型半导体层形成沟槽，直至沟槽底部暴露出绝缘缓冲层，从而形成多个通过沟槽隔离的发光单元；形成金属互连线，将相邻发光单元串联起来；其特征在于：所述沟槽的深度为2.5um-4um。本发明可减少长时间的等离子轰击对LED有源区造成损伤，提高LED的发光亮度。
高压发光二极管芯片及其制造方法

[发明专利]植入空气隙光子晶体的氮化镓基发光二极管的制备方法-CN201310088324.0无效
发明人：杜成孝;郑海洋;魏同波;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-03-19 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种植入空气隙光子晶体的氮化镓基发光二极管的制备方法，其包括：在n-GaN模板上铺单层自组装密排小球；将单层自组装密排小球缩小，形成单层非密排小球；在铺有所述单层非密排小球的n-GaN模板上蒸镀掩蔽层，其中在单层非密排小球上面覆盖了一定厚度的掩蔽层，形成球上掩蔽层，在所述单层非密排小球间隙处形成掩蔽层网格；去除所述单层非密排小球和球上掩蔽层，留下掩蔽层网格；将掩蔽层网格的孔洞图形转移至n-GaN模板，并去除掩蔽层网格，形成带有孔洞图形的n-GaN模板；在所述带有孔洞图形的n-GaN模板生长成植入空气隙PhC结构的氮化镓基发光二极管(LED)外延片。
植入空气光子晶体氮化发光二极管制备方法

[发明专利]一种具有高反射薄膜的紫外发光二极管及其制作方法-CN201310117217.6无效
发明人：曾建平;闫建昌;王军喜;丛培沛;孙莉莉;董鹏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-04-07 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高反射薄膜结构的AlGaN基紫外发光二极管器件及制作方法，其涉及微电子技术领域，主要解决紫外发光二极管背面出光结构中出光效率低的问题。该器件依次包括：衬底、AlN成核层、n型AlGaN势垒层、有源区、p型AlGaN势垒层和p型GaN冒层；其中，所述p型AlGaN势垒层上制作有高反射薄膜，用于将光反射后从器件底部发射出去。本发明提出的紫外发光二极管中被p型GaN冒层吸收的光线经过高反射薄膜的反射，由底部发出，极大的提高了出射光的功率和效率。本发明工艺简单，重复性好，可靠性高，可用于空气/水净化，医疗，生物医学，白光照明以及空间通信等领域中。
一种具有反射薄膜紫外发光二极管及其制作方法

[发明专利]折射率渐变的光子晶体发光二极管结构-CN201310095993.0无效
发明人：赵玲慧;马平;甄爱功;王军喜;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种折射率渐变的光子晶体发光二极管结构，其包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底的上面；一缓冲层，该缓冲层制作在成核层的上面；一n型接触层，该n型接触层制作在缓冲层的上面，该n型接触层的一侧形成有一台面；一活性发光层，该活性发光层制作在n型接触层台面另一侧的上面；一p型电子阻挡层，该p型电子阻挡层制作在活性发光层的上面；一p型接触层，该p型接触层制作在p型电子阻挡层的上面；一折射率渐变阵列式光子晶体，该折射率渐变阵列式光子晶体制作在p型接触层上；一负电极，该负电极制作在n型接触层一侧的台面的上面；一正电极，该正电极制作在折射率渐变阵列式光子晶体的上面。
折射率渐变光子晶体发光二极管结构

[发明专利]无支架LED封装结构及封装方法-CN201310068303.2无效
发明人：卢鹏志;杨华;郑怀文;于飞;薛斌;伊晓燕;王国宏;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-03-04 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种无支架LED封装结构，其包括：LED芯片；一支撑电路板，该支撑电路板的中间有一通孔，所述LED芯片位于支撑电路板的通孔内，所述LED芯片通过金属引线与支撑电路板电性连接；一封胶层，该封胶层将电性连接好的LED芯片固封在支撑电路板的通孔内；该LED芯片的底面与支撑电路板的底面水平，该LED芯片的底面裸露在空气中。本发明通过该封装方法得到的该封装结构使LED芯片底部可以直接接触散热器表面，省掉传统封装结构的中间环节，热阻明显下降，亮度和可靠性得到提高，整体制作成本下降，提高了产品一致性。
支架 led 封装结构方法

[发明专利]紫外发光二极管结构-CN201310057268.4有效
发明人：孙莉莉;闫建昌;魏同波;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种紫外发光二极管结构，包括：一基底；一N型AlGaN层，其制作在基底上，该N型AlGaN层上面的一侧有一台面；一AlGaN量子阱，其制作在N型AlGaN层没有台面一侧的上面；一P型AlGaN层，其制作在AlGaN量子阱上；一P型GaN层，其制作在P型AlGaN层上；一顶电极，其制作在P型GaN层上；一底电极，其制作在N型AlGaN层一侧的台面上；一金属层，其制作在基底的背面。本发明采用等离激元技术提高出光效率和内量子效率。
紫外发光二极管结构

[发明专利]具有应力释放层的绿光LED外延结构及制作方法-CN201310057253.8无效
发明人：张宁;刘喆;李晋闽;王军喜 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：一种具有应力释放层的绿光LED外延结构及制作方法，其中该LED外延结构，包括：一衬底；一成核层，其制作在衬底上；一缓冲层，其制作在成核层上；一n型接触层，其制作在缓冲层上；一多量子阱有源区，其制作在n型接触层上面的一侧，另一侧形成一台面；一应力释放层，其制作在多量子阱有源区上；一电子阻挡层，其制作在应力释放层上；一p型层，其制作在电子阻挡层上；一正电极，其制作在p型层上；一负电极，其制作在接触层一侧的台面上。本发明可以解决白光固态照明中用绿光光激射RGB荧光粉产生白光这一方法中绿光LED输出功率低的问题。
具有应力释放 led 外延结构制作方法

[发明专利]一种白光发光二极管及其制作方法-CN201310060924.6无效
发明人：马平;甄爱功;刘波亭;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有光子晶体的白光发光二极管，其包括：衬底、n型接触层、活性发光层、p型接触层，所述活性发光层位于n型接触层和p型接触层中间；所述多孔状光子晶体制作在所述发光二极管的表层，其孔状内部填充有纳米量级的荧光粉，其表面覆盖有透明电极。本发明提出的上述发光二极管在表层光子晶体孔洞内部，填充粒径尺度为纳米量级的黄色、红色或绿色荧光粉，光子晶体表面被ITO透明电极所覆盖。
一种白光发光二极管及其制作方法

[发明专利]具有低温n型插入层的氮化镓系发光二极管及其制备方法-CN201310061427.8无效
发明人：马平;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓系发光二极管，该发光二极管包括至少一层低温插入层。所述插入层是AlxGal-xN，其中0≤x≤1或者InyAl1-yN，其中0≤y≤1或者AlaInbGal-a-bN，其中0≤a＜1，0≤b＜1。所述插入层的生长温度是500-1000℃。该发光二极管可以降低InGaN/GaN多量子阱中的应力，增加发光强度并显著改善大电流注入下的效率下降问题。
具有低温插入氮化发光二极管及其制备方法

[发明专利]晶圆级发光二极管阵列结构的制备方法-CN201310045572.7有效
发明人：杨华;薛斌;于飞;谢海忠;卢鹏志;李璟;伊晓燕;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种晶圆级发光二极管阵列结构的制备方法，包括以下步骤：步骤1：取一外延片；步骤2：在外延片上制备发光二极管单元模组，形成发光二极管阵列，该发光二极管单元模组包括多个发光二极管；步骤3：在发光二极管单元模组中的发光二极管上涂覆荧光粉，通过发光二极管激发荧光粉产生不同波长的光达到对该发光二极管的输出光色进行调整；步骤4：取一基板；步骤5：将制备有发光二极管阵列的外延片依次固定在基板上，并与基板形成电性连接，完成结构的制备。本方法可整合发光二极管的制备工艺和芯片封装工艺，具有简化工艺路径，降低工艺成本。可以通过工艺对发光二极管的尺寸和间距进行精确控制。
晶圆级发光二极管阵列结构制备方法

[发明专利]一种植物补光装置及其补光方法-CN201310018383.0有效
发明人：宋昌斌;王军喜;杨华;段靖远 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED四色植物补光装置，包括：红光LED阵列、蓝光LED阵列、远红光LED阵列、绿光LED阵列、基板5和控制电路；其中所述红光LED阵列、蓝光LED阵列、远红光LED阵列和绿光LED阵列依次顺序排列固定在基板5上；所述控制电路用于控制红光LED、蓝光LED、远红光LED、绿光LED进行补光。本发明选择了特定规格的四色光LED，既考虑到尽可能集中多种对植物光合作用有特定效果的多个波长的色光，还兼顾经济实用，同时考虑到对人眼的舒适，从而选择常见的红、蓝、远红、绿四色光LED，在选择色光的同时，按照选择的各色LED的功率，通过控制电路得到合理的R/B、R/FR、R/G比值，符合植物光合作用和人眼舒适的要求，更符合需要人参与的植物定向培育需求。
一种植物装置及其方法

[发明专利]一种具有六棱锥形p型氮化镓的发光二极管制备方法-CN201310061428.2无效
发明人：杜成孝;魏同波;吴奎;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有六棱锥形p型氮化镓的发光二极管制备方法，其包括如下步骤：在发光二级管外延片上沉积掩蔽层；在所沉积掩蔽层上旋涂上光刻胶，并在光刻胶上铺单层密排自组装小球；进行曝光，去除所述单层密排自组装小球；进行显影获得带有孔洞图形的光刻胶模板；将所述孔洞图形转移至所述掩蔽层，并去除带有孔洞图形的光刻胶模板，获得带有孔洞图形的掩蔽层模板；在所述带有孔洞图形的掩蔽层模板上生长出六棱锥状p型氮化镓，并去除所述掩蔽层模板，最终获得带有六棱锥状p型氮化镓的发光二级管外延片。上述方法将选区外延和自然光刻技术相结合，在发光二级管p型氮化镓表面制作低损耗光子晶体结构，可以有效的提高发光二级管的出光效率。
一种具有棱锥氮化发光二极管制备方法

[发明专利]制备原位级发光二极管阵列结构的方法-CN201310045570.8无效
发明人：杨华;薛斌;谢海忠;卢鹏志;伊晓燕;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种制备原位级发光二极管阵列结构的方法，其中每个发光二极管包括以下步骤：在一衬底上依次生长n型层、有源层和p型层；在p型层上面的一侧向下刻蚀，分别形成第一、第二台面；在第一、第二台面上向下制备导电通孔，并填充导电金属；制备绝缘层；制备p电极和n电极；将衬底减薄；制备第一背电极和第二背电极，形成发光二极管；利用荧光粉涂覆工艺，对阵列中的发光二极管涂覆可以被激发出不同颜色的荧光粉，并封装发光二极管；在衬底的背面制备金属化图形，将每一发光二极管电性连接；切割，完成原位级发光二极管阵列结构的制备。本发明简化了工艺路径，降低了全工艺成本。
制备原位发光二极管阵列结构方法

[发明专利]利用自组装小球制作用于光刻版的金属网格模板的方法-CN201310009072.8有效
发明人：杜成孝;董鹏;郑海洋;魏同波;严清峰;吴奎;张逸韵;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用自组装小球在透明衬底上制作用于光刻版的金属网格模板的方法，包括如下步骤：选择表面平整的透明材料作为透明衬底；在透明衬底上铺上单层自组装密排小球；将单层自组装密排小球刻蚀拉开，形成非密排小球；在非密排小球层上覆盖金属层，其中非密排小球上面也覆盖了一定厚度的金属层，形成球上金属层，非密排小球间隙处是金属网格层；去除非密排小球和球上金属层，留下金属网格层；制备成带有金属网格层的透明衬底模板。本发明可以实现工艺步骤简单、成本低廉、可靠性高的技术效果，从而可以克服自然光刻长期存在的重复铺设自然掩蔽层的不方便的难题。
利用组装小球制作用于光刻金属网格模板方法