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[发明专利]一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制备方法-CN201610318436.4有效
发明人：刘波亭;马平;张烁;吴冬雪;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供了一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制备方法，方法依次在一衬底上生长GaN或AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层及InGaN帽层，并在AlGaN势垒层上制作源极和漏极，并在InGaN帽层上制作栅极，得到增强型的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。本发明中的InGaN帽层含有大量In空位，由于In空位的大量存在会吸附电子，整个帽层呈现电负性，这样使势垒层导带能级抬高，从而耗尽沟道的二维电子气，实现器件的增强型，并且避免了传统P型帽层较难实现高浓度p掺杂的难点，增强了器件制备的可操作性。
一种增强 algan gan 电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]肖特基二极管及制备方法-CN201810810551.2在审
发明人：冉军学;魏同波;王军喜 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明一种肖特基二极管，包含：一重掺杂的N型SiC衬底；一轻掺杂的N型SiC层，其生长在重掺杂的N型SiC衬底上；一非掺杂的SiC层，其生长在轻掺杂的N型SiC层上；一石墨烯层，其是在非掺杂的SiC层上高温热解生成的；一欧姆接触电极，其制作在重掺杂的N型SiC衬底的背面，形成阴极电极；一肖特基接触电极，其制作在石墨烯层上，形成阳极电极。本发明可以降低肖特基二极管正向开启电压，减小反向漏电流。
肖特基二极管重掺杂衬底石墨烯层非掺杂欧姆接触电极反向漏电流肖特基接触高温热解开启电压阳极电极阴极电极电极生长掺杂的轻掺杂减小正向制备制作背面

[外观设计]太阳能移动电源-CN201830387066.X有效
发明人： 王军喜 -专利权人： 王军喜
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： 13-99 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：太阳能移动电源。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于将太阳能转化成电能，为用电设备提供电源。3．本外观设计产品的设计要点：产品形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图1。
外观设计太阳能移动电源太阳能转化产品形状用电设备电源图片

[实用新型]一种可实现自动翻转的基片架-CN201721620935.5有效
发明人：李辉;段瑞飞;王军喜;曾一平;付强 -专利权人：北京中科优唯科技有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本专利公开了一种可实现自动翻转的基片架，用于在基片上形成溅射层环境下，包括：翻转机构、旋转机构和棘轮机构；所述棘轮机构与夹持所述夹爪相连接，用于传递翻转的动力，从而驱动所述夹爪带动基片翻转。所述旋转机构与设置多个夹爪的圆盘啮合，从而驱动所述转盘旋转带动所述转盘上的夹爪转动。所述翻转机构与所述转盘上的棘轮机构配合，并带动所述棘轮机构翻转所述夹爪。通过设置棘轮和棘爪的配合，同时利用了杠杆的升降和转盘转动的力同时驱动基片卡具的翻转，在保证了翻转稳定可靠的工作的情况下，节约了有限的利用空间。
夹爪棘轮机构翻转翻转机构旋转机构自动翻转基片架驱动转盘卡具啮合翻转稳定转盘旋转转盘转动溅射层棘轮棘爪夹持转动配合升降杠杆传递节约保证

[实用新型]一种深紫外发光二极管-CN201721870609.X有效
发明人：王晓东;段瑞飞;王军喜;曾一平;付强 -专利权人：北京中科优唯科技有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种深紫外发光二极管，包括：衬底，所述基底衬底是深紫外发光二极管的基础，在所述基底衬底上生长各种功能层；AlN单晶溅射层，通过溅射的方式形成在所述衬底上，所述AlN单晶溅射层表面具有在退火温度1400‑1600℃、退火环境为氮气气氛、退火30‑120min退火后形成的团簇；纳米图案，所述纳米图案形成在所述AlN单晶溅射层的上表面上，纳米图案的深度为300‑600nm；宽度为100‑300nm；间距为800‑1000nm；UV‑LED结构层，所述UV‑LED结构层根据通电产生深紫外光。利用特定结构的AlN单晶层表面形成团簇和图案使得在衬底表面附着UV‑LED结构变得更加容易，解决了UV‑LED难于生产，难于工业化大量制作的问题。
深紫外发光二极管退火溅射层纳米图案基底衬衬底团簇纳米图案形成本实用新型表面形成衬底表面深紫外光退火环境功能层上表面溅射附着通电图案生长制作生产

[发明专利]基于Ga₂O₃衬底的垂直结构紫外LED及其制备方法-CN201810370861.7在审
发明人：魏同波;张翔;闫建昌;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：一种基于Ga2O3衬底的垂直结构紫外LED及其制备方法，该紫外LED的结构自下而上依次包括β‑Ga2O3衬底、低温AlN缓冲层、AlGaN应力释放层、n型AlGaN层、多量子阱有源区、p型AlGaN层、p型GaN层以及反射镜层；并在反射镜层上制作p电极，在β‑Ga2O3衬底底面上制作n电极，从而可实现高效率、大功率垂直结构紫外LED。
紫外LED 衬底垂直结构反射镜层制备多量子阱有源区应力释放层高效率制作

[发明专利]一种具有极化诱导掺杂高阻层的GaN基HEMT结构及生长方法-CN201410505205.5有效
发明人：张连;张韵;闫建昌;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基HEMT外延结构及其生长方法，该外延结构沿外延生长方向依次包括：衬底、缓冲层、高阻层、沟道层和势垒层，其中：缓冲层外延生长在衬底上；高阻层外延生长在缓冲层上，其中，高阻层为极化诱导掺杂；沟道层外延生长在高阻层上；势垒层外延生长在沟道层上。本发明通过极化诱导掺杂实现无掺杂杂质的高阻层，从而降低器件缓冲层漏电，缓解由于缓冲层掺杂而加剧的电流崩塌，实现提高器件击穿电压、改善器件动态导通电阻可靠性的目的。
一种具有极化诱导掺杂高阻层 gan hemt 结构生长方法

[发明专利]一种氧化亚铜单晶薄膜的制备方法-CN201511025986.9有效
发明人：王晓峰;李丽娟;霍自强;王军喜;李晋闽;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化亚铜薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1，将铜源放入反应舟内，反应舟放入石英反应管内；步骤2，将清洗、吹干后的衬底放在衬底托上，放入石英反应管内；步骤3，打开铜源气路，让惰性气体通过反应舟进入石英反应管，反应舟的出口正对衬底表面；步骤4，打开氧源气路，让惰性气体携带氧源进入石英反应管；步骤5，加热石英反应管，加热石英反应管内的反应舟和衬底；步骤6，调节反应舟和衬底的工作温度，设定生长时间，在衬底上沉积氧化亚铜薄膜，完成制备。利用本发明的方法，能够大大降低氧化亚铜薄膜的制备成本。
一种氧化亚铜薄膜制备方法

[实用新型]GaN基LED器件-CN201820059394.1有效
发明人：张韵;赵璐;艾玉杰;孙莉莉;杨帅;程哲;张连;贾利芳;王军喜 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种GaN基LED器件，包括：一衬底；一成核层，其制作在衬底上；一非掺杂GaN层，其制作在成核层上；一n型层，其制作在非掺杂GaN层上；一发光层，其制作在n型层上；一p型层，其制作在发光层上。本发明具有制备时间短，成本低廉的优点，可大规模制备，提高了外延材料质量和器件性能。
制作非掺杂GaN层成核层发光层衬底制备器件性能外延材料

[发明专利]显指可调的无荧光粉单芯片白光LED器件及其制备方法-CN201810309597.6在审
发明人：魏同波;赵捷;魏学成;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种显指可调的无荧光粉单芯片白光LED器件及其制备方法，该器件包括：衬底；第一外延层；具有n个阵列排列的微/纳米孔洞的SiO2层，位于所述第一外延层的上方；n个含InGaN/GaN量子阱的三维六角梯形结构，位于各微/纳米孔洞上方；以及量子点区域，位于每两个三维六角梯形结构之间。本发明结合量子阱和量子点所形成的发光源，既能避免荧光粉所带来的缺陷，又可以充分利用量子阱与量子点结合所具有的优势，提高发光效率。通过调节量子阱中In的组分可以使所得到的三维六角梯形结构的侧面发射蓝光，上表面发射比蓝光波长长的绿和/或黄光，同时也可改变间隙中混合量子点的配比，从而调节其发光波长与强度，实现高显色性能。
量子点量子阱荧光粉梯形结构六角单芯片白光LED 三维纳米孔洞可调的外延层制备发光波长发光效率阵列排列光波发光源发射比高显色可改变上表面衬底黄光蓝光配比侧面发射

[发明专利]高温化学气相沉积设备及其加热系统-CN201510324880.2有效
发明人：胡国新;胡强;冉军学;梁勇;段瑞飞;王军喜;李晋闽;曾一平 -专利权人：北京中科优唯科技有限公司
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温化学气相沉积设备及其加热系统，所述用于高温化学气相沉积设备的加热系统包括发热体，支撑在所述加热体下部的发热体支撑部件，与所述发热体支撑部件连接的陶瓷绝缘件，设置在所述陶瓷绝缘件上部的热辐射防护件，以及设置在所述陶瓷绝缘部件底部的隔热部件。本发明提供的用于高温化学气相沉积设备的加热系统，可以起到支撑、绝缘、辐射防护及保持温度的作用，特别是对高温化学气相沉积设备的有效使用起到了完好的防护作用。
高温化学沉积设备及其加热系统

[发明专利]无机卤化铋钙钛矿电池及其制备方法-CN201810021993.9在审
发明人：袁国栋;刘文强;王琦;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本公开提供了一种无机卤化铋钙钛矿电池，其包括：透明导电衬底；电子传输层，形成于透明导电衬底上；钙钛矿吸光层，形成于电子传输层上，钙钛矿吸光层的材料为Cs2XBiY6，其中X＝Ag、Na、K或Rb，Y＝Cl、Br或I；空穴传输层，形成于钙钛矿吸光层上；以及电极，形成于空穴传输层上。进一步提供该无机卤化铋钙钛矿电池的制备方法，该制备方法简单、易重复。本公开利用物理化学性质稳定的全无机钙钛矿吸光层，替换了传统钙钛矿吸光层中有毒的铅组分，不仅提高钙钛矿电池在空气中的稳定性，而且有利于高效稳定安全的钙钛矿电池的工业化生产。
钙钛矿吸光层电池卤化制备电子传输层空穴传输层透明导电衬底物理化学性质无机钙钛矿稳定安全电极替换重复

[发明专利]采用氧化铟锡作为插入层的反射镜及其制备方法-CN201711485762.5在审
发明人：刘喆;梁冬冬;薛斌;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种采用氧化铟锡作为插入层后蒸镀金属的反射镜的制备方法，其包括以下步骤：步骤1、在外延片上蒸镀一层氧化铟锡ITO，并对蒸镀上氧化铟锡的外延片进行退火处理；步骤2、将退火后附有氧化铟锡的外延片进行化学腐蚀的处理；步骤3、化学腐蚀之后，对外延片的表面进行等离子体轰击处理；步骤4、经过表面处理之后进行金属蒸镀形成反射镜。根据本发明的制备方法制备的反射镜的结构自下而上包括：外延片，ITO层，金属层。本发明可以获得低阻抗、高热稳定性、高反射率的欧姆接触，达到提高芯片出光效率的效果。本发明具有制备工艺条件易控制，步骤操作简单，成本低、易于大规模生产等优点。
氧化铟锡反射镜外延片制备蒸镀化学腐蚀插入层退火等离子体轰击制备工艺条件高热稳定性出光效率高反射率金属蒸镀欧姆接触退火处理低阻抗金属层延片芯片金属

[发明专利]一种可实现自动翻转的基片架-CN201711372690.3在审
发明人：李辉;段瑞飞;王军喜;曾一平;付强 -专利权人：北京中科优唯科技有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种可实现自动翻转的基片架，用于在基片上形成溅射层环境下，包括：翻转机构、旋转机构和棘轮机构；所述棘轮机构与夹持所述夹爪相连接，用于传递翻转的动力，从而驱动所述夹爪带动基片翻转。所述旋转机构与设置多个夹爪的圆盘啮合，从而驱动所述转盘旋转带动所述转盘上的夹爪转动。所述翻转机构与所述转盘上的棘轮机构配合，并带动所述棘轮机构翻转所述夹爪。通过设置棘轮和棘爪的配合，同时利用了杠杆的升降和转盘转动的力同时驱动基片卡具的翻转，在保证了翻转稳定可靠的工作的情况下，节约了有限的利用空间。
夹爪棘轮机构翻转翻转机构旋转机构自动翻转基片架驱动转盘卡具啮合翻转稳定转盘旋转转盘转动溅射层棘轮棘爪夹持转动配合升降杠杆传递节约保证

[发明专利]可见光通信用单芯片白光LED及其制备方法-CN201511006149.1有效
发明人：杨超;赵丽霞;朱石超;刘磊;于治国;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种可见光通信用单芯片白光LED，所述LED包括：衬底；缓冲层，形成于所述衬底的上表面；n型半导体层，形成于所述缓冲层的上表面，所述n型半导体层的一侧向下形成有台面，所述台面的深度小于所述n型半导体层的厚度；复合发光区，形成于所述n型半导体层除台面外的上表面；p型半导体层，形成于所述复合发光区的上表面；透明导电层，形成于所述p型半导体层的上表面；p电极和n电极，分别形成于所述透明导电层和n型半导体层的一侧台面上。本发明还提供一种可见光通信用单芯片白光LED的制备方法。根据本发明可以得到一种高光效、高带宽的双波段可见光通信用单芯片白光光源。 1
上表面可见光通信单芯片白光LED 透明导电层复合发光缓冲层台面衬底制备白光光源向下形成单芯片高带宽高光效双波段