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[发明专利]基板处理系统、基板清洗方法-CN201910477249.4有效
发明人：相原明德;吉田祐希;河野央;山下刚秀;菅野至;望田宪嗣;岛基之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。
处理系统清洗方法

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN201811136956.9有效
发明人：大野宏树;佐藤秀明;稻田尊士;河野央;西脇良典;大津孝彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，该基板处理装置和基板处理方法提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、磷酸处理液供给部、循环路径、SiO2析出防止剂供给部以及混合部。磷酸处理液供给部供给在基板处理槽中的蚀刻处理中使用的磷酸处理液。循环路径用于使被供给到基板处理槽中的磷酸处理液循环。SiO2析出防止剂供给部向循环路径供给SiO2析出防止剂。混合部将含硅化合物混合到供给至循环路径之前的磷酸处理液中。
处理装置方法

[发明专利]基板处理方法及基板处理系统-CN201611185615.1有效
发明人：丸本洋;河野央;清濑浩巳;中森光则;光冈一行 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法及基板处理系统，能够使倒塌的图案复原。基板处理方法包括：向在表面形成了具有多个凸部(2)的图案的基板供给处理液的液处理工序；将存在于所述基板的表面的所述处理液除去、使基板干燥的干燥工序；在所述干燥工序之后、使彼此相邻的所述凸部的粘连部(2a)分离开的分离工序。
处理方法系统

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质-CN201811214795.0有效
发明人：张健;稻田尊士;河野央;藤津成吾;佐藤秀明;小西辉明;盐川俊行;小仓康司;吉田博司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，其能够缩短蚀刻处理时间。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、混合部以及供给线路。基板处理槽用于利用蚀刻液进行蚀刻处理。混合部将新液与含硅化合物或含有含硅化合物的液体混合。供给线路用于向基板处理槽供给通过混合部进行混合所得的混合液。
处理装置方法以及存储介质

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202010079765.4在审
发明人：平山司;稻田尊士;百武宏展;高山和也;河野央 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-02-04 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种即使为高层叠有氮化硅膜和氧化硅膜的基板也能够得到氧化硅膜的良好的图案形状的基板处理方法和基板处理装置，本公开的一个方式的基板处理方法包括第一蚀刻工序、加工工序以及第二蚀刻工序。第一蚀刻工序通过蚀刻液对形成有氧化硅膜和氮化硅膜的基板进行蚀刻。加工工序在第一蚀刻工序之后通过图案形状加工液对在基板中由氧化硅膜形成的图案进行加工。第二蚀刻工序在加工工序之后通过蚀刻液对基板进行蚀刻。
处理方法装置

[发明专利]基板清洗方法-CN201510463686.2有效
发明人：相原明德;吉田祐希;河野央;山下刚秀;菅野至;望田宪嗣;岛基之 -专利权人：东京毅力科创株式会社;JSR株式会社
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决手段]本实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、和去除液供给工序。成膜处理液供给工序向基板供给成膜处理液，所述成膜处理液包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于上述有机溶剂中的聚合物。去除液供给工序对处理膜供给去除处理膜的去除液，所述处理膜是成膜处理液在基板上固化或硬化而成的。
清洗方法

[发明专利]基板处理方法、基板处理装置以及存储介质-CN201911089883.7在审
发明人：稻田尊士;百武宏展;河野央 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种即使是高层叠有氮化硅膜和氧化硅膜的基板也能够高精度地蚀刻氮化硅膜的基板处理方法、基板处理装置以及存储介质。本公开的一个方式的基板处理方法包括通过磷酸处理液对形成有氧化硅膜和氮化硅膜的基板进行蚀刻的蚀刻工序。在蚀刻工序中，在从开始时间点起到经过第一时间间隔为止的期间，使磷酸处理液中的硅浓度为蚀刻氧化硅膜的第一硅浓度。
处理方法装置以及存储介质

[实用新型]基板处理装置-CN201920567123.1有效
发明人：川渕洋介;河野央 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基板处理装置，包括：基板旋转机构；处理液喷出部，其设置在上述基板旋转机构的上方；置换液喷出部，其设置在上述基板旋转机构的上方；以及惰性气体喷出部，其设置在上述基板旋转机构的上方。
基板旋转机构喷出部处理液喷出部基板处理装置本实用新型惰性气体置换液

[发明专利]基板液处理装置和基板液处理方法-CN201510217206.4有效
发明人：井户泰幸;新藤尚树;折居武彦;江头佳祐;八谷洋介;大石幸太郎;河野央;下村伸一郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供能够降低因喷嘴内的水解劣化而导致的甲硅烷基化液的废弃量的基板液处理装置和基板液处理方法。通过向喷嘴(43)内的甲硅烷基化液流路(431)供给阻隔流体，从而利用在比位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液靠近喷出口(434)的一侧存在的阻隔流体将位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液与喷出口的外部的气氛阻隔开。
甲硅烷基化液流路基板液处理装置阻隔喷嘴喷出口液处理流体基板劣化水解废弃外部

[发明专利]基板处理系统、基板清洗方法-CN201510463688.1有效
发明人：相原明德;吉田祐希;河野央;山下刚秀;菅野至;望田宪嗣;岛基之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。
处理系统清洗方法

[实用新型]基板处理装置-CN201821587754.1有效
发明人：大野宏树;佐藤秀明;稻田尊士;河野央;西脇良典;大津孝彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基板处理装置，该基板处理装置提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、磷酸处理液供给部、循环路径、SiO₂析出防止剂供给部以及混合部。磷酸处理液供给部供给在基板处理槽中的蚀刻处理中使用的磷酸处理液。循环路径用于使被供给到基板处理槽中的磷酸处理液循环。SiO₂析出防止剂供给部向循环路径供给SiO₂析出防止剂。混合部将含硅化合物混合到供给至循环路径之前的磷酸处理液中。
磷酸处理液基板处理装置析出循环路径供给部基板处理防止剂蚀刻本实用新型含硅化合物氮化硅膜硅氧化物蚀刻处理混合部

[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质-CN201811219721.6在审
发明人：稻田尊士;河野央;大野宏树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。实施方式的基片处理装置包括基片处理槽和控制部。基片处理槽通过将基片浸渍在磷酸处理液中，来进行蚀刻处理。控制部随着蚀刻处理的进展，控制用于对磷酸处理液进行温度调节的温度调节部，来降低磷酸处理液的温度。本发明能够抑制硅氧化物析出。
基片处理基片处理装置磷酸处理液存储介质蚀刻处理浸渍温度调节部析出硅氧化物温度调节

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质-CN201811222568.2在审
发明人：大野宏树;稻田尊士;河野央 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，能够抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备处理部和控制部。处理部使基板浸在包含磷酸和含硅化合物的处理液中来进行蚀刻处理。控制部以如下方式控制处理液，该方式是：在蚀刻处理的第一处理时间，利用第一磷酸浓度及第一硅浓度的处理液对基板进行处理，在第一处理时间之后的第二处理时间，利用比第一磷酸浓度低的第二规定磷酸浓度及比第一硅浓度低的第二规定硅浓度的处理液或者第二规定磷酸浓度及第一硅浓度的处理液对基板进行处理。
磷酸处理液基板处理装置存储介质基板处理蚀刻处理对基板含硅化合物析出处理液中方式控制硅氧化物基板

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质-CN201811139670.6在审
发明人：佐藤秀明;大野宏树;西脇良典;稻田尊士;河野央 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，能够提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备SiO₂析出防止剂供给部和控制部。SiO₂析出防止剂供给部供给要混合到在基板处理槽中进行蚀刻处理的磷酸处理液中的SiO₂析出防止剂。控制部基于磷酸处理液的温度来设定磷酸处理液中含有的SiO₂析出防止剂的浓度，并且控制SiO₂析出防止剂的供给量，使得成为所设定的SiO₂析出防止剂的浓度。
析出防止剂基板处理装置磷酸处理液基板处理存储介质供给部蚀刻氮化硅膜硅氧化物蚀刻处理供给量

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN201310230866.7有效
发明人： 河野央;伊藤规宏;八谷洋介;野上淳;大石幸太郎;菅野至 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-06-09 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在不对基板的基底层造成损伤的情况下良好地将去除对象层去除。在本发明中，基板处理装置（1）用于向在基底层的表面上形成有去除对象层的基板（3）供给硫酸与过氧化氢水的混合液而将去除对象层去除，包括基板处理室（16），用于处理基板；基板保持部件（12），设于基板处理室内，用于保持基板；混合液供给部件（13），用于以不会对基底层造成损伤的温度和过氧化氢水的混合比向由基板保持部件保持着的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液；OH基供给部件（14），用于向基板供给含有OH基的流体，OH基供给部件供给含有在混合液与OH基在基板上混合时不会对基底层造成损伤的量的OH基的流体。
处理装置方法

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