[发明专利]基板液处理装置和基板液处理方法有效
| 申请号： | 201510217206.4 | 申请日： | 2015-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN105023863B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 井户泰幸;新藤尚树;折居武彦;江头佳祐;八谷洋介;大石幸太郎;河野央;下村伸一郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够降低因喷嘴内的水解劣化而导致的甲硅烷基化液的废弃量的基板液处理装置和基板液处理方法。通过向喷嘴(43)内的甲硅烷基化液流路(431)供给阻隔流体，从而利用在比位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液靠近喷出口(434)的一侧存在的阻隔流体将位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液与喷出口的外部的气氛阻隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 甲硅烷基化 液流路 基板液处理装置 阻隔 喷嘴 喷出口 液处理 流体 基板 劣化 水解 废弃 外部 | ||
【主权项】：
1.一种基板液处理装置，其中，该基板液处理装置包括：处理部，其用于对基板供给甲硅烷基化液而对基板进行拒水化处理；喷嘴，其具有用于向位于所述处理部的基板供给所述甲硅烷基化液的喷出口并在内部具有供所述甲硅烷基化液朝向所述喷出口流动的甲硅烷基化液流路；甲硅烷基化液供给机构，其用于经由甲硅烷基化液供给管线向所述喷嘴的所述甲硅烷基化液流路供给所述甲硅烷基化液；以及阻隔流体供给机构，其用于供给将位于所述喷嘴的内部的所述甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液与所述喷出口的外部的气氛阻隔开的阻隔流体，其中，所述喷嘴仅用于向位于所述处理部的所述基板供给所述甲硅烷基化液，所述喷嘴具有阻隔流体流路，该阻隔流体流路在被设定于比所述喷出口靠上游侧的连接位置处与所述甲硅烷基化液流路相连接，所述阻隔流体流路经由阻隔流体供给管线与所述阻隔流体供给机构相连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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