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[发明专利]一种散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构-CN202010339245.2有效
发明人：刘志宏;郝璐;张进成;赵胜雷;周弘;张雅超;张苇杭;段小玲;陈大正;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，其特征在于，包括：硅衬底层；高热导率介质层，位于所述硅衬底层的上表面；缓冲层，位于所述高热导率介质层的上表面；沟道层，位于所述缓冲层的上表面；复合势垒层，位于所述沟道层的上表面，以构成散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构。本发明提供的散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，由于采用高热导率介质层来实现硅衬底层与缓冲层之间的键合，既保持了高键合强度、高机械强度、高稳定性，又减小了器件的热阻，从而提高了硅基氮化镓微波器件的散热性能。
一种散热增强氮化微波器件材料结构

[发明专利]一种用于精神病护理用的约束椅-CN202211313226.8在审
发明人： 段小玲;张晓明;汪荣;杨成磊;方姿 -专利权人：池州市第三人民医院（池州市精神病医院）
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： A61F5/37 文献下载
摘要：一种用于精神病护理用的约束椅，本发明涉及医疗器械技术领域；座板的左侧通过连接机构与靠背板活动连接，靠背板前后两侧的下侧通过转轴和轴承与座板左侧的前后两侧旋转连接；座板右侧的前后两侧对称通过合页旋转设置有腿部固定板；小腿部固定机构为两个，且分别设置在前后两侧的腿部固定板上；大腿部固定机构设置在支撑腿之间；臂部固定机构为两个，且分别设置在前后两侧的扶手上；能够对椅背和座板之间的角度进行调节，增加了患者背部躺靠的舒适性，能够根据患者的腿长以及所需固定的腿部折弯程度进行调节，更能够适应不同患者的需要，同时能够对患者的小腿、大腿和臂部进行分别固定，固定方式操作简单，稳定性强。
一种用于精神病护理约束

[实用新型]一种绿色建筑桩基结构-CN202222409655.7有效
发明人： 段小玲;苏文灿;周海敏;黄梅玲;钱建忠 -专利权人：中城投集团第八工程局有限公司
申请日： 2022-09-10 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： E02D27/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种绿色建筑桩基结构，涉及建筑施工的技术领域，其包括预制桩分体和连接件，所述预制桩分体和连接件均设置有若干件，各所述预制桩分体与各件连接件间隔交错排布，且各所述连接件的两端均分别与任意相邻设置的两根预制桩分体相向的一端可拆卸连接。本申请具有便于长度过长的桩基结构运输的效果。
一种绿色建筑桩基结构

[发明专利]基于神经网络的TFET器件结构优化和性能预测方法-CN202110658454.8有效
发明人：王树龙;马兰;王刚;段小玲;吴介豫;刘钰;孙承坤 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明属于微电子器件技术与人工智能技术领域，具体公开了一种基于神经网络的TFET器件结构优化和性能预测方法，本发明以TFET的物理机制为基础选取特征变量：栅氧化层厚度、沟道掺杂浓度、源漏掺杂浓度、栅长，通过构建神经网络，与TFET的电学特性之间建立关联，作为正向设计。将正向设计中的网络输入数据作为输出数据，输出数据作为输入数据，进行相应的反向设计，本发明使用神经网络建立隧穿场效应晶体管的结构与其电性能之间的关系，能够加速隧穿场效应晶体管的结构优化和性能预测的研究。
基于神经网络 tfet 器件结构优化性能预测方法

[发明专利]一种高效转化的太赫兹探测器及制备方法-CN202210716336.2在审
发明人：刘志宏;唐从威;樊雨佳;陈淑莹;危虎;周瑾;冯欣;杨伟涛;段小玲;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效转化的太赫兹探测器及制备方法，太赫兹探测器包括：衬底层、复合缓冲层、沟道层、势垒层、栅电极、源电极和漏电极，其中，衬底层的背面呈凸起状以对从背面入射的太赫兹波进行聚焦；复合缓冲层、沟道层、势垒层依次层叠于衬底层的上表面；栅电极、源电极、漏电极均位于势垒层上，且栅电极位于源电极和漏电极之间。本发明实施例在太赫兹探测器里面将衬底层设置为凸起状用来聚焦太赫兹波，从而提高探测器接受背面入射太赫兹波的效率，提高了太赫兹探测器各项指标，整体上提高了该太赫兹探测器的探测信号的性能。
一种高效转化赫兹探测器制备方法

[发明专利]一种安装角度可调式电缆桥架转角托臂及其使用方法-CN202210942398.5在审
发明人：郑宝荣;段小玲;陈杨;林伟鹏;刘波 -专利权人：中城投集团第八工程局有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H02G3/04 文献下载
摘要：本发明涉及电缆桥架转角托臂技术领域，且公开了一种安装角度可调式电缆桥架转角托臂，包括安装板，所述安装板通过螺栓可拆卸安装在被固定物上，所述安装板上活动安装有调节板，所述调节板上固定安装有固定筒，所述固定筒内形成有内腔，所述内腔内转动设置有转动柱，所述转动柱上横向开设有两个插槽，两个所述插槽内均活动插设有插杆；通过插杆、定位杆、防脱杆、螺纹帽、驱动轴、第一丝杆和第二丝杆等机构的设置，不仅可以大幅度的调整托臂的水平安装角度和安装长度，同时也可以对托臂的竖直安装角度进行调整，同时调整起来简单方便，大大提高了托臂的调节效率，能够使托臂以不同的安装位置应对不同的使用工况。
一种安装角度调式电缆转角及其使用方法

[发明专利]一种GaN基异质结横向肖特基二极管及其制备方法-CN202210492878.6在审
发明人：陈晓今;刘志宏;郝璐;高广杰;李蔚然;邢伟川;赵胜雷;段小玲;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基异质结横向肖特基二极管及其制备方法，制备出的二极管包括：自下而上依次层叠设置的衬底层、成核层、过渡层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层、帽层；从帽层表面开始自上而下直至沟道层内部刻蚀有凹槽，在凹槽内设置有阳极，阳极覆盖帽层的部分区域；在凹槽还设置有介质层，介质层包裹阳极直至插入层内部或势垒层内部，阳极与帽层部分区域之间设置有介质层；阳极的部分区域覆盖介质层，可以减少由阳极向各层内壁泄露电流的路径，从而降低器件工作漏电流。另外介质层可以增加阳极金属与二维电子气沟道的等效电学距离，有效减少二极管的阳极寄生电容。
一种 gan 基异质结横向肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]基于深度学习的纳米天线阵列电磁性能预测方法-CN202110658416.2有效
发明人：王树龙;马兰;段小玲;王国生;刘晨钰;赵蓉;吴介豫 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明属于光电器件与人工智能技术领域，具体公开了一种基于深度学习的纳米天线阵列电磁性能预测方法，本发明利用传统的机器学习来自行建立超表面性能预测模型，对纳米天线阵列超表面的电磁性能即散射截面积进行精准预测，建立了纳米天线阵列的结构参数与电磁性能之间的映射关系，从而利用网络的推断能力和计算力来解决纳米天线阵列设计过程中费时费力的问题，有望突破纳米光学领域中器件设计的问题，也为工程师带来便利。
基于深度学习纳米天线阵列电磁性能预测方法

[发明专利]一种氮化镓反射式单刀八掷开关-CN202210654437.1在审
发明人：黎培森;刘志宏;李蔚然;周瑾;邢伟川;段小玲;周弘;危虎;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓反射式单刀八掷开关，包括：输入端、输入电容、第一微带传输线和八条支路，各支路包括：第二微带传输线、第三微带传输线、氮化镓HEMT、控制电压信号端、隔离电阻、输出电容、隔直电容、输出端和第一节点；其中，第一微带传输线的一端经输入电容连接至输入端、另一端与第二微带传输线连接，第二微带传输线串接第三微带传输线和输出电容，输出电容与输出端连接；第一节点位于第二微带传输线与第三微带传输线之间，氮化镓HEMT的漏电极与第一节点连接、栅电极经隔离电阻连接至控制电压信号端、源电极经隔直电容接地。上述单刀八掷开关工作于24.25GHz～33GHz，具有工作频带宽、在导通状态下插入损耗小的优点。
一种氮化反射单刀开关

[发明专利]内嵌肖特基二极管的复合功率开关器件及其制作方法-CN202210568442.0在审
发明人：毛维;裴晨;杨翠;杜鸣;马佩军;赵胜雷;段小玲;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种内嵌肖特基二极管的复合功率开关器件，主要解决现有功率开关器件只能单向导通的问题。其包括：衬底、过渡层、第一沟道层、第一势垒层、第二沟道层、第二势垒层；第二势垒层上部依次设有P型块和栅极；第一沟道层、第一势垒层、第二沟道层、第二势垒层的左、右两侧均设有第一台面，这两个第一台面上分别为阳极与漏极，左侧的第一台面右侧依次为第二台面和源极。第一沟道层与第一势垒层的接触界面形成电子通道，该通道与漏极、阳极构成肖特基二极管结构；第二沟道层、第二势垒层、P型块、漏极、源极、栅极共同构成功率开关晶体管。本发明可降低损耗，提升器件集成度，且能实现双向导通特性，用作开关器件。
内嵌肖特基二极管复合功率开关器件及其制作方法

[发明专利]一种基于深度学习的FDSOI器件单粒子效应预测方法-CN202210493522.4在审
发明人：王树龙;赵蓉;曹宪法;李宇航;马兰;段小玲;刘红侠 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G06F30/25 文献下载
摘要：一种基于深度学习的FDSOI器件单粒子效应预测方法，通过TCAD仿真软件获取多组单粒子入射FDSOI器件时的影响参数及对应的单粒子效应表征参数，作为样本集；单粒子入射FDSOI器件时的影响参数包含线性传输能值、粒子入射位置、粒子入射角度和漏极偏置电压，单粒子效应表征参数包括漏极瞬态电流脉冲、漏极瞬态电流峰值和总收集电荷；将样本集划分训练集、交叉验证集和测试集，构建深度学习网络预测模型并进行训练验证，满足要求的模型即可用于不同重离子入射条件下的单粒子效应表征参数。本发明解决了FDSOI器件单粒子效应的预测在传统研究过程中存在计算量大、耗时长且不收敛等问题。
一种基于深度学习 fdsoi 器件粒子效应预测方法

[发明专利]一种基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器及其制备方法-CN202210384985.7在审
发明人：刘志宏;唐从威;樊雨佳;陈淑莹;邢伟川;冯欣;杨伟涛;段小玲;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GaN MIS‑HEMT结构的太赫兹探测器及其制备方法，太赫兹探测器包括：衬底层；复合缓冲层，设置于所述衬底层之上；沟道层，置于所述复合缓冲层之上；势垒层，设置于所述沟道层之上；源电极、漏电极和栅电极，所述源电极、所述漏电极和所述栅电极均设置于所述势垒层之上，且所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间；绝缘介质层，设置于所述势垒层和所述栅电极之间。本发明在太赫兹探测器里面引用基于半导体领域的GaN MIS‑HEMT结构，并在GaN HEMT太赫兹探测器的栅电极下面引入绝缘介质层，利用GaN MIS‑HEMT结构降低栅电流，降低栅极闪烁噪声，从而达到改善太赫兹探测器噪声等效功率的性能，提升探测器的灵敏度。
一种基于 gan mis hemt 结构赫兹探测器及其制备方法

[发明专利]低欧姆接触电阻的GaN基高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202010814955.6有效
发明人：许晟瑞;艾立霞;马德濮;张雅超;段小玲;陈大正;李培咸;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种低欧姆接触电阻的GaN基高电子迁移率晶体管及制备方法，其中，该晶体管包括：自下而上依次层叠的衬底层、Ga极性GaN层和势垒层；源区，位于Ga极性GaN层和势垒层内部；漏区，位于Ga极性GaN层和势垒层内部，且与源区间隔设置；源极，设置在源区的上表面；漏极，设置在漏区的上表面；栅极，设置在势垒层的上表面，且位于源极和漏极之间；其中，势垒层的材料为n型AlxGa1‑xN，其中，0≤x≤1，源区和漏区均包括自下而上依次层叠的氮化的蓝宝石层和N极性GaN层。本发明的晶体管，采用了Ga极性GaN材料来实现AlxGa1‑xN/GaN异质结，保证高的电子迁移率，在N极性GaN材料上制作了源漏区欧姆接触电极，实现良好的欧姆接触，有效地降低了欧姆接触电阻。
欧姆接触电阻 gan 电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]一种双场板AlGaN/GaN HEMT器件的击穿电压预测方法-CN202210231250.0在审
发明人： 段小玲;刘诗杰;王树龙;张进成;张金风;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明涉及微电子器件技术领域，具体涉及一种双场板AlGaN/GaN HEMT器件的击穿电压预测方法。本发明基于神经网络，对双场板HEMT器件中栅、源场板结构与击穿电压之间的非线性关系进行学习，从而能快速且精准地预测出双场板HEMT器件的击穿电压，避免了传统TCAD仿真方法计算量大、耗时且难以收敛的缺点。
一种双场板 algan gan hemt 器件击穿电压预测方法

[发明专利]基于氧化镓衬底的高效紫外发光二极管及制备方法-CN202010826165.X有效
发明人：许晟瑞;胡琳琳;王学炜;张雅超;段小玲;陈大正;宁静;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于氧化镓衬底的高效紫外发光二极管及制备方法，其中，该发光二极管包括：自下而上依次层叠的衬底层、AlN成核层、n型GaN层、量子阱层和p型BN层；第一电极，设置在n型GaN层的上表面；第二电极，设置在p型BN层的上表面；其中，衬底层为Ga2O3材料，AlN成核层采用磁控溅射工艺制备。本发明的基于氧化镓衬底的高效紫外发光二极管，选取Ga2O3作为衬底层，Ga2O3与GaN晶格失配小，减小了材料所受应力，提高了器件的发光效率，另外，采用p型BN来提供空穴，由于Mg在BN中离化率较高，电导率也较高，从而进一步提高了器件的发光效率。
基于氧化衬底高效紫外发光二极管制备方法

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