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[发明专利]用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法-CN200710117617.1无效
发明人：闫发旺;高海永;张扬;李晋闽;曾一平;王国宏;张会肖 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-06-20 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法，包括如下步骤：在用于氮化物外延生长的蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅膜；利用常规光刻技术制备出光刻图形的掩膜；利用氢氟酸+氟化氨+H₂O混合液，将光刻图形刻蚀到二氧化硅膜上；以图形二氧化硅膜作为掩膜，采用硫酸和磷酸的混合液湿法刻蚀蓝宝石衬底，将图形刻蚀到蓝宝石衬底上；利用稀氢氟酸溶液湿法腐蚀去掉残余的二氧化硅膜，并将蓝宝石衬底清洗干净，完成图形蓝宝石衬底的制备。该制作方法具有成本低、使蓝宝石衬底免于干法刻蚀损伤等优点。该图形蓝宝石衬底可用于低位错密度、高晶体质量氮化物的外延生长。
用于氮化物外延生长图形蓝宝石衬底制作方法

[发明专利]高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法-CN200710098702.8无效
发明人：张扬;闫发旺;高海永;曾一平;王国宏;张会肖;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-04-25 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明一种高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在衬底上淀积一层金属薄层；步骤2：进行退火处理，使金属薄层自组织形成无定形的、微米尺度的金属掩膜的图形；步骤3：进行干法刻蚀，将金属掩膜的图形转移到衬底；步骤4：采用湿法腐蚀的方法，去掉残余的金属掩膜，并将衬底清洗干净，制备完成图形衬底。
晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底制备方法

[发明专利]基于氮化铝缓冲层的硅基3C－碳化硅异质外延生长方法-CN200710065183.5无效
发明人：赵永梅;孙国胜;刘兴昉;李家业;王雷;赵万顺;李晋闽;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-04-05 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：一种基于氮化铝缓冲层的硅基3C－碳化硅异质外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将硅衬底进行氢气刻蚀处理；步骤2：通入三甲基铝，进行硅衬底表面铺铝；步骤3：不关断三甲基铝源，通入氨气，进行氮化铝缓冲层生长；步骤4：缓冲层生长结束后，关闭氨气和三甲基铝，在氢气环境中降温至室温，关闭氢气，对生长系统抽真空；步骤5：在氢气环境下升温，通入硅烷和乙烯，进行碳化硅层外延生长，完成异质外延生长。
基于氮化缓冲碳化硅外延生长方法

[发明专利]高纯氧化锌的化学气相沉积装置及其制备方法-CN200710064591.9无效
发明人：王晓峰;段垚;崔军朋;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-03-21 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明一种高纯氧化锌的化学气相沉积装置，其特征在于，包括：一气相沉积反应室，该气相沉积反应室的上部有一尾气出口；一锌舟，该锌舟由支架固定在气相沉积反应室内，该锌舟的上部为氧化锌的沉积区域；一恒温槽，该恒温槽内装有去离子水；一阀门，该阀门分别与气相沉积反应室的下部和恒温槽的上部相连接。
高纯氧化锌化学沉积装置及其制备方法

[发明专利]一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置-CN200610165539.8无效
发明人：段瑞飞;王军喜;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置，其中：金属卤化物供应炉外部设有加热装置，该供应炉设有通气管道；该供应炉内部放置金属镓、铟、铝、铁、镁中的一种或多种或者经过提纯的金属卤化物；该供应炉设有反应气体/载气通道，生成或者直接的金属卤化物通过载气携带进入氢化物气相外延炉进行氮化物材料的生长；氢化物气相外炉延生长室包括有；一外延生长室；一衬底装置设于外延生长室内，衬底装置在外延生长室外部接有调速马达；反应气体管道通过外延生长室的密封盘进入外延生长室，载气携带反应气体通过该反应气体管道进入外延生长室内，并流动到衬底上进行反应生长氮化物单晶衬底；一加热装置，环绕于外延生长室外。
一种独立供应金属卤化物氢化物外延装置

[发明专利]一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置-CN200610165541.5无效
发明人：段瑞飞;刘喆;钟兴儒;魏同波;马平;王军喜;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置，包括：一外延生长室，为竖直设置；外延生长室上、下端面装有底盘进行密封；一衬底装置设于外延生长室内上方，衬底放置方式为面朝下；衬底装置在生长室外部接有调速马达，以控制衬底装置的转速；一金属反应源放置器，位于外延生长室内衬底装置下方或反应炉之外；反应气体管道通过生长室下端面的底盘进入外延生长室，载气通过反应气体管道进入外延生长室，携带反应气体向上流动到衬底上进行反应生长氮化物单晶衬底；一副产物收集装置，与外延生长室出气口连接，收集反应副产物，以防止反应气体管道路堵塞；一加热装置环绕于外延生长室外圆周；一自动控制系统进行控制。
一种制备氮化物衬底氢化物外延装置

[发明专利]砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法-CN200610144304.0无效
发明人：高宏玲;曾一平;段瑞飞;王宝强;朱战平;崔利杰 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-12-01 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一砷化镓衬底；步骤2：将砷化镓衬底进行脱氧处理；步骤3：在砷化镓衬底上生长砷化镓缓冲层，以获得平整的表面；步骤4：在低温范围内生长一铟铝砷缓冲层，该铟铝砷缓冲层为一层、两层或多层结构，以达到外延生长过程晶格常数的改变；步骤5：在生长完铟铝砷缓冲层后，升高砷化镓衬底温度，进行高温热退火，释放外延层的应力。
砷化镓衬底多层变形缓冲制作方法

[发明专利]一种采用极化空穴注入结构的有机发光二极管-CN200610113819.4无效
发明人：秦大山;曹国华;曹俊松;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-10-18 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种采用极化空穴注入结构的有机发光二极管，其特征在于，包括：一衬底；一正极，该正极沉积在衬底上；一有机电子受体层，该有机电子受体层沉积在正极上，用于产生内载流子；一有机电子给体层，该有机电子给体层沉积在有机电子受体层上，用于产生内载流子；一有机空穴传输层，该有机空穴传输层沉积在有机电子受体层上，用于传输空穴；一有机发光层，该有机发光层沉积在有机空穴传输层上，用于发光；一有机电子传输层，该有机电子传输层沉积在有机发光层上，用于传输电子；一负极，该负极沉积在有机电子传输层上。
一种采用极化空穴注入结构有机发光二极管

[发明专利]采用微量金属掺杂有机受体薄膜的有机发光二极管-CN200610113820.7无效
发明人：秦大山;曹国华;曹俊松;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-10-18 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种采用微量金属掺杂有机受体薄膜的有机发光二极管，包括：一衬底；一个正极，该正极沉积在衬底上，用于注入空穴；一有机空穴注入层，该有机空穴注入层沉积在正极上，用于接受从正极注入的空穴；一有机空穴传输层，该有机空穴传输层沉积在有机空穴注入层上，用于接受并传输来自有机空穴注入层的空穴；一有机发光层，该有机发光层沉积在有机空穴传输层上，用于发光；一有机电子注入层，该有机电子注入层沉积在有机发光层上，用于向有机发光层传输电子；一阴极，该阴极沉积在有机电子注入层上，用于注入电子。
采用微量金属掺杂有机受体薄膜发光二极管

[发明专利]用于MEMS器件的大面积3C－SiC薄膜的制备方法-CN200610126999.X无效
发明人：刘兴昉;孙国胜;李晋闽;赵永梅;王雷;赵万顺;李家业;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-09-18 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明一种用于MEMS器件的大面积3C－SiC薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)取一衬底；2)将衬底外延生长面进行原位氢气刻蚀；3)在低压化学汽相沉积炉中在该衬底刻蚀面上外延生长一炭化层，此炭化层作为衬底和3C－SiC薄膜的过渡层，有利于制备3C－SiC薄膜；4)在炭化层上外延生长一3C－SiC薄膜；5)结束，完成3C－SiC薄膜的制作。
用于 mems 器件大面积 sic 薄膜制备方法

[发明专利]在微波、臭氧环境下ITO玻璃的处理方法与装置-CN200610088953.3无效
发明人：曹峻松;秦大山;曹国华;曾一平;李晋闵 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-07-27 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： C03C17/23 文献下载
摘要：一种在微波、臭氧环境下ITO玻璃的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一微波炉；步骤2：将样品放置在微波炉的炉体内；步骤3：在微波炉的炉体内置放一玻璃真空灯管架；步骤4：将内含稀薄汞蒸气的石英管放在玻璃真空灯管架上；步骤5：启动微波炉，对内含稀薄汞蒸气的石英管微波加热。
微波臭氧环境 ito 玻璃处理方法装置

[发明专利]采用有机电子受体层促进空穴有效注入的有机发光二极管-CN200610089445.7无效
发明人：秦大山;曹国华;曹俊松;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-06-28 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种采用有机电子受体层促进空穴有效注入的有机发光二极管，由以下部分组成：一衬底；一正极沉积在衬底上；一有机电子受体层沉积在正极上，用于向正极有效的传递电子；一金属薄层沉积在有机电子受体层上，用于产生电子和空穴；一有机空穴注入层沉积在金属薄层上，用于接受金属薄层中产生的空穴；一有机空穴传输层沉积在有机空穴注入层上，用于传输空穴；一有机发光层沉积在有机空穴传输层上的，用于发出可见光；一有机电子传输层沉积在有机发光层上，用于传输电子；一阴极沉积在有机电子传输层上。
采用有机电子受体促进空穴有效注入发光二极管

[发明专利]用于制备有机/无机薄膜的有机分子束沉积设备-CN200610080612.1无效
发明人：曹国华;秦大山;李建平;曹峻松;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-05-19 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明一种用于制备有机/无机薄膜的有机分子束沉积设备，其特征在于，沉积设备包括：一有机材料生长室，该生长室位于设备的一侧；一无机材料生长室，该生长室一端与有机材料生长室相连；一进样室，该进样室位于无机材料生长室的另一端；一真空系统，该真空系统包括：前真空部分，该前真空部分与有机材料生长室相连；后真空部分，该后真空部分与进样室相连；一手套箱，该手套箱位于进样室的另一端。
用于制备有机无机薄膜分子沉积设备

[实用新型]梳棉机模块式棉网清洁器-CN200620108599.1无效
发明人：陈少清;曾一平;戴步忠;朱丽华 -专利权人：浙江锦峰纺织机械有限公司
申请日： 2006-10-10 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： D01G15/76 文献下载
摘要：一种梳棉机模块式棉网清洁器，包括吸尘罩及连接其上的除尘刀，在吸尘罩两端设有吸口架，吸尘罩和除尘刀为一体式成型结构，且吸尘罩相对锡林周向安装尺寸等同于固定盖板的安装尺寸。本实用新型采用一体成型式的除尘刀及吸尘罩，结构简单紧凑，加工效率高，而且相对锡林周向的安装尺寸等同于固定盖板的安装尺寸，可以安装替换在任意一个固定盖板位置，配置适应性好，通用兼容，安装位置及数量的调节方便灵活，可以进行模块化更换。
梳棉机模块式棉网清洁

[发明专利]碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法-CN200610011228.6有效
发明人：王晓亮;胡国新;马志勇;冉学军;王翠敏;肖红领;王军喜;李建平;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-01-18 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明一种碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一种碳化硅衬底；采用金属有机物化学气相沉积法，在衬底上生长一层高温氮化铝成核层；改变衬底温度，在高温氮化铝成核层上生长非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层；改变生长室压力，在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层上生长非有意掺杂高迁移率氮化镓层；改变衬底温度和生长室压力，在非有意掺杂高迁移率氮化镓层上生长氮化铝插入层；最后在氮化铝插入层上生长铝镓氮层。
碳化硅衬底氮化电子迁移率晶体管制作方法