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[发明专利]消除碳化硅外延面穿通缺陷的方法-CN201510489191.7在审
发明人：刘兴昉;刘斌;刘胜北;闫果果;王雷;赵万顺;张峰;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L21/208 文献下载
摘要：一种消除碳化硅外延面穿通缺陷的方法，包括如下步骤：步骤1：取一碳化硅衬底，并清洗干净；步骤2：对衬底的表面进行腐蚀，直至显露缺陷坑；步骤3：在衬底上制作硅层；步骤4：升高温度使硅层熔化，使之填满缺陷坑，并使外表面平整；步骤5：通入碳源，使熔化硅层部分转变成第一碳化硅层；步骤6：通入碳源，使剩余的熔化硅层部分转变成第二碳化硅层；步骤7：腐蚀，将剩余的硅层腐蚀掉，留下完整的第一、第二碳化硅层，完成制备。本发明是将碳化硅衬底外延表面的缺陷消除，进而达到防止缺陷穿通到外延层中。
消除碳化硅外延面穿通缺陷方法

[发明专利]制作InSb红外探测器的材料结构及制备方法-CN201510573693.8在审
发明人：赵晓蒙;张杨;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：一种制作InSb红外探测器的材料结构及制备方法，其中所述制作InSb红外探测器的材料结构，其包括：一衬底；一复合缓冲层，其生长在衬底上；一n型InSb重掺杂层，其生长在缓冲层上；一InSb本征吸收层，其生长在n型InSb重掺杂层上；一p型InSb轻掺杂层，其生长在InSb本征吸收层上；一p型AlInSb势垒层，其生长在p型InSb轻掺杂层上；一p型InSb重掺杂层，其生长在p型AlInSb势垒层上。本发明是通过加入势垒层来阻挡电子的移动，降低了InSb红外探测器的在反偏电压下的暗电流和工作时的噪声电流，提高了InSb红外探测器的探测率和最高工作温度，为室温下工作的InSb红外探测器提供了基础。
制作 insb 红外探测器材料结构制备方法

[发明专利]一种三结叠层太阳能电池及其制造方法-CN201510192623.8在审
发明人：崔利杰;刘超;王晓东;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-04-22 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明公开了一种三结叠层太阳能电池及其制造方法，采用分子束外延方法，以p型GaSb单晶片为衬底材料依次外延生长底电池(p-GaSb，n-GaSb)、第一隧穿结(n++GaSb、p++GaSb)、中间电池(p-CdSe、n-CdSe)、第二隧穿结(n++CdSe、p++ZnTe)和顶电池(p-ZnTe、n-ZnTe)。本发明的叠层太阳能电池既充分利用了II-VI族和III-V族半导体材料在禁带宽度上互补的特点，又利用了它们在晶格匹配方面的优势，克服了仅依赖III-V族半导体材料很难同时满足禁带宽度互补和晶格匹配双重技术要求的难题，可以大幅度提高太阳能电池的光电转换效率。
一种三结叠层太阳能电池及其制造方法

[发明专利]InP基HEMT肿瘤标志物传感器及制作方法-CN201410073112.X无效
发明人：张杨;王成艳;关敏;丁凯;张斌田;林璋;黄丰;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： G01N33/574 文献下载
摘要：本发明公开了一种InP基HEMT肿瘤标志物传感器及其和制作方法，其包括InP基HEMT换能器、生物分子载体和生物敏感膜，换能器包括源极、漏极和栅极，生物分子载体形成于所述换能器的栅极，生物敏感膜附着于所述生物分子载体，该生物敏感膜能特异性识别肿瘤标志物，受到肿瘤标志物本身电荷的影响，使得所述栅极表面电荷分布发生变化，进而影响所述换能器沟道中二维电子气浓度，使得换能器的源漏电流发生变化。本发明可以将肿瘤标志物的检测极限提升到一个新的高度，为恶性肿瘤的预防医治提供先机。
inp hemt 肿瘤标志传感器制作方法

[发明专利]一种检测肿瘤标志物的生物传感器及其制作方法-CN201410072619.3无效
发明人：张杨;王成艳;关敏;丁凯;张斌田;林璋;黄丰;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： G01N33/574 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于检测肿瘤标志物的GaAs基HEMT生物传感器及其制作方法。该传感器包括GaAs基HEMT(10)，源、漏极电极(20)分别与所述GaAs基HEMT(10)的源极区域和漏极区域欧姆接触，栅极电极(40)形成于所述GaAs基HEMT(10)的栅极区域，生物敏感膜(50)形成于所述栅极电极(40)上，其能特异性识别肿瘤标志物，受到肿瘤标志物本身电荷的影响，使得所述栅极电极(40)表面电荷分布发生变化，进而影响所述GaAs基HEMT(10)沟道中二维电子气浓度，使得源漏电流发生变化。本发明在器件检测的灵敏度、响应速度以及便携性上具有非常明显的优势，可以实现实时检测且操作简单。
一种检测肿瘤标志生物传感器及其制作方法

[发明专利]低偏角碳化硅同质外延材料的制作方法-CN201510180960.5在审
发明人：闫果果;孙国胜;张峰;刘兴昉;王雷;赵万顺;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种低偏角碳化硅同质外延材料的制作方法，包括如下步骤：对低偏角的衬底进行清洗并放入低压CVD设备的生长室，并将反应室抽真空；设定设备反应室压强，并向反应室通入H₂和刻蚀HCl气流，开始升温；加热到刻蚀温度，对衬底进行刻蚀，去掉表面的损伤和氧化层；升高反应室温度，达到预生长温度时，通入生长气体和掺杂气体，在衬底上进行缓冲层生长；调整反应室的生长气体和掺杂气体流量，在缓冲层上进行SiC外延层生长；生长结束后，关闭反应室的生长气体、掺杂气体和刻蚀HCl气体，并停止加热，在H₂氛围中冷却。本发明可以解决三角缺陷和台阶聚集问题，得到表面质量良好、无BPD缺陷的SiC外延层。
偏角碳化硅同质外延材料制作方法

[发明专利]一种基于HBase的数据存储方法和设备-CN201310753119.1在审
发明人： 曾一平 -专利权人：中国移动通信集团公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： G06F17/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于HBase的数据存储方法和设备，包括：接收来自HBase发送的包含了发生故障的Region Server中Region的标识信息的查询请求消息，根据Region的标识信息与多个数据存储副本数据节点Date Node的标识信息之间的对应关系确定发生故障的Region的标识信息对应的多个数据存储副本Date Node的标识信息，向HBase发送查询响应消息，使HBase根据查询响应消息重新选择新的Region，并将发生故障的Region内存储的数据转移至新的Region内，有效避免了新的Region在访问原Data Node上的详单数据时出现跨网络访问Data Node的问题。
一种基于 hbase 数据存储方法设备

[发明专利]一种多片碳化硅半导体材料制造装置-CN201410787354.5在审
发明人：闫果果;孙国胜;刘兴昉;张峰;王雷;赵万顺;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体材料生长制造装置，包括：主腔室，进气系统，石墨托，感应加热线圈，旋转系统和排气系统；所述进气系统用于向所述主腔室输入材料生长所需的气体；所述石墨托用于放置衬底材料，位于所述进气系统下方；所述感应加热线圈用于加热，位于所述石墨托下方；所述旋转系统与所述石墨托连接，用于带动所述石墨托进行旋转；所述排气系统用于向主腔室外部排出反应后的废气。
一种碳化硅半导体材料制造装置

[发明专利]MOCVD设备的石墨托盘-CN201410818493.X在审
发明人：纪攀峰;孔庆峰;王文军;胡强;马平;曾一平;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于MOCVD设备的托盘，包括盘体(10)和覆盖于盘体的该上表面的托盖(20)，盘体(10)呈一扁圆柱形，其上表面为平整面。盘体可由石墨材料形成，上表面覆盖有一层碳化硅保护层托盖的上表面设置有凹槽，所述凹槽(21)用于容纳进行MOCVD工艺的衬底。托盖可由石英材料形成。本发明具有改善MOCVD设备中的石墨托盘的使用寿命及其适用性，使之能适用于不同尺寸、形状的衬底优点。
mocvd 设备石墨托盘

[发明专利]一种MOCVD设备中的石墨盘-CN201410641935.8在审
发明人：胡强;李晋闽;王军喜;曾一平;路红喜;伊晓燕;马平;魏同波;闫建昌;纪攀峰 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOCVD设备的石墨盘，其包括至少一个片坑，所述片坑面积大于衬底面积，且为衬底面积的整数倍，所述至少一个片坑边缘具有与衬底的角相吻合的凸角，且一定数量的衬底紧密排列后正好覆盖住所述至少一个片坑。本发明提出的石墨盘上衬底和衬底之间无间隔，整个石墨盘只有一个巨型片坑，或者是只有很少几个间隔将整个石墨盘分成几个巨型片坑。无间隔的设计能够大幅度提高石墨盘的利用率。同时，采用的衬底尽量用较小的倒角或无倒角。因此能够使得巨型片坑内的方形衬底排列的更加紧密，防止片子之间有空隙。如果有空隙，和高出的边沿一样也会引起湍流，影响气流的稳定性，从而影响外延样品的晶体质量。
一种 mocvd 设备中的石墨

[发明专利]塔式多片外延生长装置-CN201410412341.X在审
发明人：刘兴昉;刘胜北;刘斌;闫果果;赵万顺;王雷;张峰;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-08-20 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：一种塔式多片外延生长装置，包括：一塔式片架，该塔式片架包括：三个立柱，每一立柱上开有凹槽，立柱上的凹槽有多个，三个立柱相同高度位置的凹槽构成一组；托盘，其边缘厚度与每一立柱上的凹槽的高度相同，每个托盘可以稳定固定于一组凹槽中，托盘的个数与凹槽组数相同；其中将三个立柱等距竖立排列，使三个立柱分别位于一等边三角形三个顶点处，将托盘插入到立柱的凹槽内，形成多层、塔式装载的效果。本发明能够为单片直径达六至八英寸、单次装载量高达几十片的外延制备提供装置及方法支持，极大地提高工业化生产效率，如提高产能，提高气体利用率，降低能耗等。
塔式外延生长装置

[发明专利]悬挂式双面外延生长装置-CN201410412073.1在审
发明人：刘兴昉;刘斌;闫果果;王雷;赵万顺;张峰;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-08-20 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：一种悬挂式双面外延生长装置，包括：一悬挂式片架，该悬挂式片架包括：三个立柱，每一立柱上开有凹槽，每个立柱上的凹槽有一个或多个，三个立柱相同高度位置的凹槽构成一组；其中将三个立柱等距竖立排列，使三个立柱分别位于一等边三角形三个顶点处，将一衬底插入到立柱的凹槽内，使衬底悬挂于片架上，形成双面悬空的效果。本发明能够为单片直径达六至八英寸、单次同时双面外延制备提供装置及方法支持，既可以避免外延材料翘曲，又可以提高外延生产效率、提高气体利用率、降低能耗等。
悬挂双面外延生长装置

[发明专利]发光二极管响应特性的测试系统及方法-CN201410443019.3无效
发明人：牛立涛;关敏;楚新波;李弋洋;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管响应特性的测试系统及方法。该测试系统包括：计算机调制模块，用于下发脉冲电压参数，并对接收到的光响应和电响应数据进行分析；脉冲电压产生模块，连接至计算机调制模块，用于依照计算机调制模块下发的脉冲电压参数，产生脉冲电压，并将该脉冲电压加载至待测试的发光二极管；以及数据采集模块，用于采集待测试的发光二极管的光响应和电响应数据，并将该光响应和电响应数据上传至计算机调制模块；其中，待测试的发光二极管，连接至脉冲电压产生模块，其在脉冲电压产生模块产生的脉冲电压的驱动下发光。本实施例能够实现脉冲电压下发光二极管光响应及电响应的同时快速测定。
发光二极管响应特性测试系统方法

[实用新型]一种带分梳齿的棉网清洁器-CN201420378421.3有效
发明人： 曾一平;肖建明;黄波 -专利权人：浙江锦峰纺织机械有限公司
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： D01G15/46 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带分梳齿的棉网清洁器，包括有外罩，所述的外罩内设有吸尘腔，所述的吸尘腔一侧开设有吸尘口，所述的外罩上位于吸尘口前侧设有导流板，所述的吸尘腔内位于吸尘口位置设有除尘刀，其特征在于：所述的导流板的下端面上设有若干分梳齿。采用上述技术方案，本实用新型提供了一种带分梳齿的棉网清洁器，能对锡林上的纤维进行很好地梳理，从而大大提高了锡林的质量。
一种梳齿清洁

[发明专利]光子上转换器频率响应的测试装置和测试方法-CN201410200421.9无效
发明人：楚新波;关敏;牛立涛;李戈洋;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：一种光子上转换器频率响应的测试装置，包括：一计算机控制模块；一光脉冲产生模块，其输入端与计算机控制模块的一输出端连接；一稳压电源，其输入端与计算机控制模块的另一输出端连接；一光子上转换器，其一输入端与稳压电源的输出端连接；一光电探测器，其光响应区接收接收光子上转换器的光输出信号；一采样示波器，其一输入端与光电探测器的输出端连接，另一输入端与光脉冲产生模块的另一输出端连接，其输出端与计算机控制模块的输入端连接。本发明能够实现对此类光子上转换器频率响应特性的检测与分析，为制备响应速度更快的光子上转换器提供检测手段和分析工具，为研制高速红外成像器件奠定基础，本发明还提供一种光子上转换器频率响应的测试方法。
光子转换器频率响应测试装置方法