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[实用新型]一种轮毂ABS齿圈端面跳动检测装置-CN202320989282.7有效
发明人：吴成威;阚永贺;张德胜;宗文栋;张雅超;姜银龙 -专利权人：重汽（济南）车桥有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01B5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种轮毂ABS齿圈端面跳动检测装置，属于轮毂ABS齿圈端面跳动检测技术领域，包括架体，架体下部安装顶升装置，顶升装置上端通过下安装座安装下定位轴承，架体上部通过上安装座安装有上定位轴承；架体上安装转辊安装座，转辊安装座上转动安装转辊；上安装座上安装端面跳动检具。通过上定位轴承和下定位轴承对轮毂进行定位夹装，通过转辊表面与轮毂侧面贴合，动力装置驱动转辊转动，带动轮毂转动，通过端面跳动检具对ABS齿圈端面进行跳动检测，可实现轮毂ABS齿圈端面跳动检测的便捷性、可靠性、高效性，提高轮毂装配质量和装配效率，整体结构简单，使用便捷，实用性好。
一种轮毂 abs 端面跳动检测装置

[发明专利]应用于太赫兹频段的GaN肖特基二极管及其制备方法-CN202310712538.4在审
发明人：张进成;宋秀峰;赵胜雷;党魁;张雅超;姚一昕;霍树栋;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于太赫兹频段的GaN肖特基二极管，包括：衬底；缓冲层，叠加在衬底之上；n+GaN层，叠加在缓冲层之上；空气槽，通过刻蚀缓冲层和n+GaN层形成；渐变n‑GaN漂移层，叠加在空气槽的第一侧的n+GaN层上；渐变n‑GaN漂移层的掺杂浓度由下至上逐渐降低；阳极电极，制备在渐变n‑GaN漂移层上；阴极电极，制备在空气槽的第一侧的n+GaN层上，且与渐变n‑GaN漂移层和阳极电极隔开；金属桥接结构，一端搭接在阳极电极上，另一端搭接在空气槽的第二侧的n+GaN层上，以在GaN肖特基二极管中形成空气桥。该GaN肖特基二极管可用于太赫兹频段。
应用于赫兹频段 gan 肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]Si衬底AlN模板的制备方法及Si衬底GaN外延结构的制备方法-CN202010361191.X有效
发明人：刘志宏;刘俊伟;张进成;郝璐;宋昆璐;周弘;赵胜雷;张雅超;张苇杭;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种Si衬底AlN模板的制备方法及Si衬底GaN外延结构的制备方法，该Si衬底AlN模板的制备方法包括：选取Si衬底；在Si衬底上生长AlN成核层；通过所述AlN成核层向所述Si衬底注入离子。本发明在Si衬底上制备AlN成核层之后，便通过AlN成核层向Si衬底进行离子注入和向AlN成核层注入离子，这种方式所注入的离子种类可以得到扩展，还可以降低Si/AlN界面处载流子的浓度和AlN成核层里的载流子浓度，从而降低Si衬底AlN模板的射频损耗，提高使用此Si衬底AlN模板制作的GaN微波器件的特性，以满足GaN微波器件在航空航天、雷达、移动通信等领域的应用需求。另外，使用所述Si衬底AlN模板制备GaN器件外延结构，其设计具有更多自由度。
si 衬底 aln 模板制备方法 gan 外延结构

[发明专利]一种散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构-CN202010339245.2有效
发明人：刘志宏;郝璐;张进成;赵胜雷;周弘;张雅超;张苇杭;段小玲;陈大正;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，其特征在于，包括：硅衬底层；高热导率介质层，位于所述硅衬底层的上表面；缓冲层，位于所述高热导率介质层的上表面；沟道层，位于所述缓冲层的上表面；复合势垒层，位于所述沟道层的上表面，以构成散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构。本发明提供的散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，由于采用高热导率介质层来实现硅衬底层与缓冲层之间的键合，既保持了高键合强度、高机械强度、高稳定性，又减小了器件的热阻，从而提高了硅基氮化镓微波器件的散热性能。
一种散热增强氮化微波器件材料结构

[发明专利]降低外延层破碎几率的金刚石基氮化镓晶圆的制备方法-CN202310581159.6在审
发明人：苏凯;王晗雪;张金风;任泽阳;张雅超;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低外延层破碎几率的金刚石基氮化镓晶圆的制备方法，包括：在所述第一衬底层上制备氮化物外延层；采用光刻和干法刻蚀工艺从所述氮化物外延层的上表面刻蚀至所述第一衬底层的上表面，以形成若干个阵列排布的氮化物外延子层；采用晶圆键合方法将包含氮化物外延子层的晶圆上表面与第二衬底层通过第一键合层进行键合，得到第一键合片；去除所述第一键合片中的第一衬底层，暴露出所述氮化物外延子层的成核层或者缓冲层，得到第二键合片；将氮化物外延子层的下表面与金刚石衬底层进行晶圆键合，得到第三键合片；去除第二衬底层和第一键合层，得到金刚石基氮化镓晶圆。本发明降低在后续衬底剥离工艺中导致的氮化物外延层薄膜龟裂和破损几率，可有效提高金刚石基GaN晶圆的良品率。
降低外延破碎几率金刚石氮化镓晶圆制备方法

[发明专利]一种高载流子浓度重掺杂氧化镓外延薄膜的生长方法-CN202310794544.9在审
发明人：冯倩;李佳乐;王垚;田旭升;李文吉;张雅超;张进成 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高载流子浓度重掺杂氧化镓外延薄膜的生长方法，主要解决现有重掺杂外延薄膜衬底使用成本高、缺陷密度高及载流子浓度低的问题。其实现方案为：选取蓝宝石衬底并进行清洗；将清洗好的衬底放入MOCVD的反应腔内进行预处理；通过改变反应室的温度、压强和反应源的比值，以在衬底上依次生长两层不同机理的缓冲层；再以GeH4为掺杂剂和催化剂，利用脉冲MOCVD法在第二缓冲层上外延浓度为1019cm‑3‑1020cm‑3的Ge重掺杂β‑Ga2O3薄膜，并对其进行退火处理，完成外延薄膜的制备。本发明降低了外延薄膜的缺陷密度和衬底使用成本，提高了载流子浓度，可用于功率器件和开关器件的制备。
一种载流子浓度掺杂氧化外延薄膜生长方法

[发明专利]基于ScAlN与InAlN极化插入层增强电场的N极性InGaN基太阳能电池-CN202010697623.4有效
发明人：许晟瑞;高源;吴浩洋;张雅超;陈大正;李培咸;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ScAlN与InAlN极化插入层增强电场的N极性InGaN基太阳能电池及制备方法，主要解决现有太阳能电池光电转换效率低的问题。其包括电极及自下而上的衬底层、AlN成核层、i‑GaN层、InxAl1‑xN层、n型InyGa1‑yN层、InzGa1‑zN/GaN多量子阱层、p型GaN层和ScuAl1‑uN层。除衬底外各层均采用N极性材料，以在N极性下，分别在InxAl1‑xN层与n型InyGa1‑yN层和ScuAl1‑uN层与p型GaN层间产生强极化电场，这两种电场与太阳能电池内建电场的方向相同，能增强载流子的漂移能力，增大光生电流，提高太阳能电池的效率，可用于航空航天设备。
基于 scaln inaln 极化插入增强电场极性 ingan 太阳能电池

[发明专利]基于纳米图形插入层的AlN紫外发光二极管及其制备方法-CN202110859939.3有效
发明人：许晟瑞;吴前龙;贠博祥;陶鸿昌;许文强;范晓萌;张雅超;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于纳米图形插入层的AlN紫外发光二极管及其制备方法，所述AlN紫外发光二极管自下而上包括：图形蓝宝石衬底、AlN纳米图形插入层、AlN再生长层、n型AlN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱层、AlzGa1‑zN电子阻挡层、p型AlN层、p型GaN接触层、p型电极和n型电极；所述AlN纳米图形插入层的表现覆盖有Ag第一反光层和Ag第二反光层。本发明能够克服异质外延AlGaN/AlN基发光二极管中位错密度高、光提取效率低和光输出功率低的问题，制备出高性能的AlN紫外发光二极管。
基于纳米图形插入 aln 紫外发光二极管及其制备方法

[发明专利]基于蓝宝石衬底的金刚石基GaN异质结晶圆制备方法-CN202310356720.0在审
发明人：苏凯;王晗雪;张金风;任泽阳;张雅超;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的金刚石基GaN异质结晶圆制备方法，包括：在第一蓝宝石衬底上生长第一成核层、GaN缓冲层、GaN/AlGaN异质结层以及介质保护层得到蓝宝石衬底GaN外延片；在第二蓝宝石衬底上生长第二成核层得到临时载片；将外延片与临时载片进行晶圆键合得到第一键合片；激光剥离第一蓝宝石衬底同时去除第一成核层；将剥离第一蓝宝石衬底后的第一键合片与金刚石衬底进行晶圆键合得到第二键合片；激光剥离第二蓝宝石衬底，同时去除第二成核层；去除第一键合层，然后去除介质保护层，得到制备完成的金刚石基GaN异质结晶圆。本发明能够制备出大尺寸、高效率、低成本以及高性能的金刚石基GaN异质结晶圆。
基于蓝宝石衬底金刚石 gan 结晶制备方法

[发明专利]基于Si纳米线高浓度p型层的发光二极管及制备方法-CN202110815527.X有效
发明人：许晟瑞;贠博祥;吴前龙;陶鸿昌;许文强;张雅超;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Si纳米线高浓度p型层的发光二极管及其制备方法，发光二极管自下而上包括：c面蓝宝石衬底1、高温AlN成核层2、非故意掺杂GaN层3、n型GaN层4、AlwGa1‑wN/AlxGa1‑xN多量子阱5、AlyGa1‑yN电子阻挡层6、高浓度p型层7、p型AlzGa1‑zN层8和p型电极9，n型GaN层4上部的一侧设有n型电极10，高浓度p型层7包含p型Si纳米线结构，p型Si纳米线结构包括多个均匀设置p型Si纳米线。本发明可以增大p型层中的空穴浓度，从而提高了空穴注入效率，提高了器件的发光效率，同时缓解droop效应。
基于 si 纳米浓度发光二极管制备方法

[发明专利]一种ε-Ga2-CN202110633967.3有效
发明人：张涛;冯倩;张雅超;张进成;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种ε‑Ga2O3薄膜的制备方法及ε‑Ga2O3薄膜，该方法包括：对β‑Ga2O3衬底进行清洗；对清洗后的β‑Ga2O3衬底进行退火处理；在β‑Ga2O3衬底上生长β/ε‑Ga2O3缓冲层；其中，β/ε‑Ga2O3缓冲层为β‑Ga2O3与ε‑Ga2O3的混合晶相薄膜；在β/ε‑Ga2O3缓冲层上生长ε‑Ga2O3层，以得到ε‑Ga2O3薄膜。本发明在ε‑Ga2O3薄膜的生长过程中，通过合理调整生长温度，在衬底与外延薄膜之间形成一层β/ε‑Ga2O3缓冲层，该缓冲层既连接了β‑Ga2O3衬底，又连接了ε‑Ga2O3薄膜，实现了从β‑Ga2O3衬底到ε‑Ga2O3薄膜的连续过渡，减小了晶格失配以及外延薄膜中的位错密度，提高了表面平整度，进而提升了ε‑Ga2O3薄膜的质量。
一种 ga base sub

[发明专利]基于调制岛结构的垂直型场效应晶体管及其制作方法-CN202310218002.7在审
发明人：毛维;谢渊源;杨翠;张雅超;杜鸣;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于调制岛结构的垂直型场效应晶体管及其制作方法，主要解决了现有的氮化镓基功率器件不具备良好双向导通特性，导致其所用电路成本上升，性能下降的问题。其自下而上包括：漏极、衬底层、漂移层、N型GaN沟道层、顶层金属和钝化层，该N型GaN沟道层的两侧分别设有第一P型GaN层和第二P型GaN层，第一P型GaN层被凹槽均匀分割为n块形成调制岛结构，漂移层、N型GaN沟道层和第一P型GaN层上设有调制块金属，第二P型GaN层上设有栅极和栅场板，整个器件的四围设有MESA隔离槽。本发明降低了反向导通开启压降、增大了导通电流，其阻断时泄露电小耐压高，具有良好的双向导通特性，可作为功率开关器件。
基于调制结构垂直场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]一种基于衬底背面SiSn外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法-CN202111004367.7有效
发明人： 张雅超;马金榜;李一帆;姚一昕;张进成;马佩军;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于衬底背面SiSn外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法，该制备方法包括步骤：S1、在Si衬底的背面生长至少一层SiSn外延层；S2、在所述Si衬底的正面依次生长AlN成核层、AlGaN阶变层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，形成硅基AlGaN/GaN HEMT器件；S3、对所述硅基AlGaN/GaN HEMT器件进行降温处理。该制备方法在Si衬底的背面设置至少一层SiSn外延层，当生长完AlGaN/GaN HEMT器件进行降温的过程中，由于SiSn的热膨胀系数比Si大，会在衬底中引入一定的压缩应力，对于硅基AlGaN/GaN HEMT器件中的拉伸应力起到一定的抵消作用，从而达到降低翘曲的目的，提高材料的成品率。
一种基于衬底背面 sisn 外延 algan gan hemt 制备方法

[发明专利]基于氮化物材料的多结光电转换结构及其制作方法-CN202211029746.6在审
发明人：许晟瑞;王若冰;韩红波;王雨佳;刘旭;胡琳琳;贠博祥;吴前龙;张涛;张雅超;周弘;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氮化物材料的多结光电转换结构及其制作方法，主要解决现有三结GaInP/GaAs/Ge电池入射光波长的利用率低及光电转换效率有限的问题。其自下而上包括：Ge吸收层、Si吸收层、GaAs吸收层、InGaN吸收层、GaN吸收层、AlGaN吸收层、金刚石吸收层。该InGaN吸收层采用In的组分为15％‑23％的InGaN材料；该AlGaN吸收层采用Al组分为70％‑80％的AlGaN材料；该所有吸收层采用材料的禁带宽度从上至下依次减小，以提高入射光波长的吸收效率。本发明采用多结光电转换结构，增加了P‑N结数，降低了能量损耗，提升了光电转换效率，可用于制作高光电转化效率的太阳能电池。
基于氮化物材料光电转换结构及其制作方法

[发明专利]一种基于异质衬底的β-Ga2-CN202110633977.7有效
发明人： 张雅超;张涛;冯倩;张进成;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于异质衬底的β‑Ga2O3薄膜及其制备方法，所述薄膜自下而上包括：异质衬底、缓冲层和β‑Ga2O3外延层；所述缓冲层自下而上包括：第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层为所述异质衬底对应的氧化物缓冲层，所述第二缓冲层为氧化铝缓冲层。本发明能够在异质衬底和β‑Ga2O3之间生长第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层能够为第二缓冲层提供极好的成核点，提高第二缓冲层的质量，所述第二缓冲层，即氧化铝缓冲层，能够减少β‑Ga2O3外延层与异质衬底之间的晶格失配，减少β‑Ga2O3薄膜中的位错密度，从而，本发明能够有效地提高制备β‑Ga2O3薄膜的质量。
一种基于衬底 ga base sub

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