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[发明专利]内连接结构及其形成方法-CN201610697872.7有效
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明揭露一种内连接结构及其形成方法。内连接结构包含一非绝缘结构、一衬垫层、一介电结构以及一导电结构。衬垫层位于非绝缘结构上并具有一开口于其中。介电结构位于衬垫层上。介电结构包含一通孔开口于其中。导电结构位于介电结构的通孔开口中并通过衬垫层的开口电性连接非绝缘结构，导电结构的至少一部分是沿着从非绝缘结构往介电结构的一方向渐缩。
连接结构及其形成方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管(FINFET)中的源极/漏极区及其形成方法-CN201710289431.8有效
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种实施例方法包括在半导体鳍上方形成第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件。半导体鳍的一部分由第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件之间的开口暴露。该方法还包括蚀刻半导体鳍的部分以使开口延伸至半导体鳍内。在半导体鳍的俯视图中，半导体鳍的材料环绕开口。该方法还包括在半导体鳍的部分上的开口中外延生长源极/漏极区。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管(FINFET)中的源极/漏极区及其形成方法。
场效应晶体管 finfet 中的漏极区及其形成方法

[发明专利]影像定位方法及其影像定位装置-CN201711318185.0有效
发明人： 张哲诚;严毅;姚文盛 -专利权人：财团法人车辆研究测试中心
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： G01C21/00 文献下载
摘要：本发明公开一种影像定位方法及其影像定位装置，用于寻找在一道路上行驶的一车辆的位置，道路设有多个标志。首先，提供一电子地图，其具有多个路径、多个参考影像及其特征位置。接着，依序采集最靠近车辆的标志的至少两个定位影像。在电子地图上搜寻与定位影像相同的参考影像，并以此作为特征影像。在所有特征影像的排序符合所有定位影像的排序时，根据所有特征图像映射的路径与所有特征影像的特征位置，估测车辆的位置。本发明可在不需要卫星定位系统的前提下，对车辆进行定位，同时降低电子地图的储存空间。
影像定位方法及其装置

[实用新型]一种非公路宽体自卸车用复合材料板簧-CN201822188079.1有效
发明人：冯钦;潘勋;王付利;郭旭东;向锋;邢旭;陈吉波;高强;张哲诚;严浩;冯旭东 -专利权人：郑州郑宇重工有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： F16F1/26 文献下载
摘要：本实用新型公开一种非公路宽体自卸车用复合材料板簧，包括水平设置的主簧本体，主簧本体正上方设置副簧本体，主簧本体两端沿副簧本体伸出，副簧本体中部与主簧本体中部之间设置有箱型垫。所述主簧本体的两端均安装有卷耳连接件。相对于现有技术，本实用新型通过设置复合材料的主副结构板簧本体，降低了板簧整体的自重，并设置箱型垫，避免主簧和副簧产生摩擦，增加板簧使用寿命，空载时只有主簧本体受力，在达到一定载荷时，副簧本体承担一定载荷，从而延长疲劳寿命、提高整车舒适性、提高安全性能；设置卷耳连接件，可更大程度地分担板簧本体所承受的纵向力，并改变板簧本体在制动过程中受力的作用点和作用方向，使板簧本体所承受的剪切力减小。
一种公路宽体卸车复合材料

[发明专利]半导体器件结构的结构和形成方法-CN201510790762.0有效
发明人： 张哲诚;庄瑞萍;吕祯祥;陈威廷;刘又诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括半导体衬底上方的鳍结构和覆盖鳍结构的一部分的栅叠件。栅叠件包括功函层和栅极介电层。半导体器件结构还包括位于半导体衬底上方并且与栅叠件相邻的隔离元件。隔离元件与功函层和栅极介电层直接接触，并且隔离元件的下部宽度大于隔离元件的上部宽度。
半导体器件结构形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610688858.0有效
发明人： 张哲诚;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体器件包括衬底、至少两个栅极间隔件和栅极堆叠件。衬底具有多个半导体鳍。栅极间隔件设置在衬底上。栅极间隔件的至少一个具有面向另一个栅极间隔件的侧壁。栅极堆叠件设置在栅极间隔件之间。栅极堆叠件包括高k介电层和栅电极。高k介电层设置在衬底上并且覆盖半导体鳍的至少部分而保留至少一个栅极间隔件的侧壁未被覆盖。栅电极设置在高k介电层上。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管结构及其制造方法-CN201610680892.3有效
发明人： 张哲诚;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：描述了一种鳍式场效应晶体管，包括衬底、多个绝缘物、至少一个栅极堆叠件和应变材料部分。衬底具有位于衬底上的多个鳍以及鳍包括嵌入在鳍中的停止层。多个绝缘物设置在衬底上和多个鳍之间。至少一个栅极堆叠件设置在多个鳍上方和设置在多个绝缘物上。应变材料部分设置在至少一个栅极堆叠件的相对两侧上。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管结构及其制造方法。
场效应晶体管结构及其制造方法

[发明专利]用于FINFET的源极和漏极工艺-CN201610729819.0有效
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：FinFET包括衬底、鳍结构、介电层、金属栅极、两个间隔件、源极和漏极。该鳍结构设置在衬底上。该介电层设置在鳍结构上并且覆盖鳍结构的两个相对侧面。该介电层包括突出于鳍结构的侧面的两个第一部分，从而使得在介电层中形成两个相对第一凹槽。金属栅极设置在介电层的夹在第一部分之间的第二部分上。该间隔件设置在介电层的第一部分上并且分别突出于介电层的第一部分，从而使得在间隔件中形成两个第二凹槽。源极和漏极分别设置在衬底上的第一凹槽和第二凹槽中。本发明的实施例还涉及用于FinFET的源极和漏极工艺。
用于 finfet 工艺

[发明专利]用于形成半导体器件结构的互连结构的通孔轮廓的方法-CN201510807835.2有效
发明人：萧伟印;张哲诚;郑台新;陈威廷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了一种用于形成半导体器件结构的方法。该方法包括在衬底上方形成第一金属层和在第一金属层上方形成介电层。该方法包括在介电层上方形成抗反射层，在抗反射层上方形成硬掩模层和在硬掩模层上方形成图案化的光刻胶层。该方法包括通过实施第一蚀刻工艺蚀刻抗反射层的部分和通过实施第二蚀刻工艺蚀刻穿抗反射层和蚀刻介电层的部分。该方法包括通过实施第三蚀刻工艺蚀刻穿介电层以在第一金属层上形成通孔部分。通孔部分包括第一侧壁和第二侧壁，并且第一侧壁的斜率与第二侧壁的斜率不同。本发明实施例涉及用于形成半导体器件结构的互连结构的通孔轮廓的方法。
用于形成半导体器件结构互连轮廓方法

[发明专利]车辆协同式物体定位优化方法及车辆协同定位装置-CN201510967028.7有效
发明人：李朝阳;张哲诚 -专利权人：财团法人车辆研究测试中心
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： G01S19/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种车辆协同式物体定位优化方法及车辆协同定位装置，该方法包含有：自本车接收一资讯封包，该资讯封包中包含一邻车提供的车辆原始坐标及至少一物体原始坐标，以及其各自定位的精准度；对该车辆原始坐标及物体原始坐标进行时间延迟补偿，以分别得到邻车补偿后的一车辆坐标及一物体坐标；执行一优化程序，分别对车辆及物体的坐标进行优化，以分别得到车辆优化坐标与物体优化坐标；藉此，该车辆优化坐标与物体优化座相较于利用GPS接收器所测知的坐标资讯具有较高的精准度，可使得车辆能更精确地判断周围物体分布，提高行驶安全。
车辆协同物体定位优化方法装置

[发明专利]FINFET器件改进的金属栅极工艺、半导体器件及其制造方法-CN201610915693.6有效
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，提供了衬底。伪栅极形成在衬底上。第一介电层形成为在衬底上从外围环绕伪栅极。第二介电层形成为在衬底上从外围环绕第一介电层。第一介电层和第二介电层由不同的材料形成。对第一介电层执行注入操作，以在第一介电层中形成第一掺杂部分。去除伪栅极，以在所述第一介电层中形成孔。去除伪栅极的操作还包括去除第一掺杂部分的一部分，以形成具有底部径向开口区域和大于底部径向开口区域的顶部径向开口区域的孔。在孔中形成金属栅极。本发明还提供了FINFET器件改进的金属栅极工艺、半导体器件及其制造方法。
finfet 器件改进金属栅极工艺半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510477625.1有效
发明人：张家玮;巫柏奇;张哲诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-08-06 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件。根据一些实施例，从第一多个鳍部和第二多个鳍部上方去除导电材料，其中，第一多个鳍部位于短栅极长度区域内，而第二多个鳍部位于长栅极长度区域内。通过首先利用至少一种蚀刻剂的低压和高流速的干蚀刻来执行去除，这使得导电材料在第二多个鳍部上方具有的厚度大于在第一多个鳍部上方的厚度。如此，当湿蚀刻用于去除剩余导电材料时，不会损伤第二多个鳍部和导电材料之间的介电材料。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201611074867.7有效
发明人： 张哲诚;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：一种半导体器件包括至少一个半导体鳍、栅电极、至少一个栅极间隔件和栅极电介质。该半导体鳍包括至少一个凹进部分和至少一个沟道部分。栅电极存在于半导体鳍的至少沟道部分上。栅极间隔件存在于栅电极的至少一个侧壁上。栅极电介质至少存在于半导体鳍的沟道部分和栅电极之间。栅极电介质比半导体鳍的沟道部分的至少一个端面延伸更远。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]互连结构及其形成方法-CN201610916225.0有效
发明人： 张哲诚;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种互连结构，包括非绝缘体结构、介电结构、导电结构和第一介电保护层。介电结构，存在于非绝缘体结构上。介电结构具有在其中的沟槽开口和通孔开口。通孔开口在沟槽开口和非绝缘体结构之间。导电结构，存在于沟槽开口和通孔开口中，并电连接至非绝缘体结构。第一介电保护层，存在于导电结构和沟槽开口的至少一个侧壁之间。本发明实施例涉及互连结构及其形成方法。
互连结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件结构的结构和形成方法-CN201610749911.3有效
发明人： 张哲诚;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的鳍结构和覆盖鳍结构的一部分的栅极堆叠件。栅极堆叠件包括栅极介电层、功函数层和位于功函数层上方的导电填料。半导体器件结构还包括覆盖鳍结构的介电层。介电层与导电填料直接接触。
半导体器件结构形成方法