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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610651669.6有效
发明人： 张哲诚;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-10 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体器件包括衬底、绝缘结构和栅极堆叠件。该衬底具有至少一个半导体鳍。该绝缘结构设置在衬底之上并且与半导体鳍分隔开以在其间形成间隙。该绝缘结构具有面向半导体鳍的侧壁。该栅极堆叠件覆盖至少部分半导体鳍并且至少设置在绝缘结构和半导体鳍之间的间隙中。该栅极堆叠件包括高k介电层和栅电极。高k介电层覆盖半导体鳍而留下绝缘结构的侧壁未被覆盖。栅电极设置在高k介电层之上并且至少位于绝缘结构和半导体鳍之间的间隙中。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管（FinFET）器件结构-CN202010473668.3在审
发明人：陈建颖;程潼文;张哲诚;倪俊龙;林志忠;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构以及用于形成FinFET器件结构的方法。FinFET器件结构包括衬底以及在衬底之上延伸的第一鳍结构和第二鳍结构。FinFET器件结构也包括形成在第一鳍结构上的第一晶体管和形成在第二鳍结构上的第二晶体管。FinFET器件结构还包括在第一晶体管和第二晶体管之间的端到端间隙中形成的层间介电(ILD)结构，并且端到端间隙具有在从约20nm至约40nm的范围内的宽度。本发明的实施例还涉及具有可控端到端临界尺寸的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件及其形成方法。
场效应晶体管 finfet 器件结构

[发明专利]用于形成半导体器件结构的方法-CN201510789106.9有效
发明人：陈威廷;张哲诚;郑台新;萧伟印 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于形成半导体器件结构的方法。该方法包括在半导体衬底上方形成介电层。该方法包括在介电层上方形成掩模层。掩模层具有暴露介电层的部分的开口。该方法包括穿过开口来去除介电层的部分以在介电层中形成凹槽。该方法包括去除掩模层。该方法包括对介电层实施等离子体清洗工艺。等离子体清洗工艺使用含有二氧化碳的气体。
用于形成半导体器件结构方法

[发明专利]FINFET及其形成方法-CN201710647541.7有效
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：提供了FinFET器件及其形成方法。该方法包括在衬底上方形成图案化的掩模堆叠件，保护衬底的图案化的掩模堆叠件的部件具有均匀的宽度。去除由图案化的掩模堆叠件暴露的衬底的未保护部分以在衬底中形成多个凹槽，插入在邻近的凹槽之间的衬底的未去除部分形成多个鳍。去除多个鳍的部分，多个鳍的第一鳍的宽度小于多个鳍的第二鳍的宽度。
finfet 及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201611051123.3有效
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括衬底、核心器件和输入/输出(I/O)器件。核心器件设置在衬底上。核心器件包括具有底面和至少一个侧壁的第一栅电极。第一栅电极的底面和第一栅电极的侧壁相交以形成第一内角。I/O器件设置在衬底上。I/O器件包括具有底面和至少一个侧壁的第二栅电极。第二栅电极的底面和第二栅电极的侧壁相交以形成大于第一栅电极的第一内角的第二内角。本发明还提供了另一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件和方法-CN201710379063.6有效
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了半导体器件和制造方法。靠近间隔件形成源极/漏极区，间隔件邻近栅电极。通过注入掩模向源极/漏极区和第一间隔件内实施注入，在间隔件内形成注入区域。本发明实施例涉及半导体器件和方法。
半导体器件方法

[发明专利]晶体管及其形成方法-CN201710475469.4有效
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：方法包括在半导体区上方形成伪栅极堆叠件，在与伪栅极堆叠件相同的层级处形成介电层，去除伪栅极堆叠件以在介电层中形成开口，填充延伸至开口内的金属层，以及回蚀刻金属层，金属层的剩余部分的边缘低于介电层的顶面。开口填充有导电材料，并且导电材料位于金属层上方。金属层和导电材料组合形成替换栅极。在替换栅极的相对两侧上形成源极区和漏极区。本发明的实施例还涉及晶体管及其形成方法。
晶体管及其形成方法

[发明专利]FINFET及形成FINFET的方法-CN201710288728.2有效
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的实施例是一种方法，该方法包括在衬底上方形成多层叠件，该多层叠件包括交替的第一层和第二层，图案化多层叠件以形成鳍，形成围绕鳍的隔离区，鳍的上部在隔离区的顶面之上延伸，在鳍的上部的侧壁和顶面上形成第一栅叠件，第一栅叠件限定鳍的沟道区，以及从第一栅叠件外的鳍去除第一层，其中，在去除第一层之后，鳍的沟道区包括第一层和第二层两者。
finfet 形成方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法-CN201610784601.5有效
发明人： 张哲诚;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：鳍式场效应晶体管(FinFET)包括衬底、设置在衬底上的多个绝缘体、栅极堆叠件和应变材料。该衬底包括至少一个半导体鳍并且半导体鳍包括分布在其中的至少一个调制部分。该绝缘体夹着该半导体鳍。该栅极堆叠件设置在部分半导体鳍上方和部分绝缘体上方。应变材料覆盖了由栅极堆叠件显露的部分半导体鳍。此外，提供了用于制造FinFET的方法。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201611257134.7有效
发明人： 张哲诚;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：描述一种形成半导体器件制造的方法，包括：在衬底上方形成材料层，在材料层中形成第一沟槽，沿着第一沟槽的侧壁形成第一介电覆盖层，在材料层中形成第二沟槽，同时沿着第一沟槽的侧壁设置覆盖层，沿着第二沟槽的侧壁以及沿着第一沟槽的侧壁形成第二介电覆盖层，以及在第二沟槽和第一沟槽内形成导电部件。本发明还提供了一种半导体器件。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710479451.1有效
发明人： 张哲诚;郑凯予;林志翰;杨心怡;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。在实施例中，形成至源极/漏极区的第一接触件，并且在第一接触件上方形成介电层。形成开口以暴露第一接触件，并且用介电材料衬垫开口。第二接触件形成为通过介电材料与第一接触件电接触。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201611140528.4有效
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括衬底、至少一个第一栅极结构、至少一个源极漏极结构、至少一个底部导体、以及第一介电层。第一栅极结构存在于衬底上。源极漏极结构存在于衬底上。底部导体电连接至源极漏极结构。底部导体具有上部部分和介于上部部分与源极漏极结构之间的下部部分，并且间隙至少存在于底部导体的上部部分与第一栅极结构之间。第一介电层至少存在于底部导体的下部部分与第一栅极结构之间。本发明的实施例还提供了一种用于制造半导体结构的方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]鳍式场效晶体管结构及其制造方法-CN201610689119.3有效
发明人： 张哲诚;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，包括半导体衬底以及位于半导体衬底上的半导体鳍。其中，半导体鳍在两个单元共用的共同边界处具有鳍隔离结构。鳍隔离结构具有从半导体鳍顶部延伸至半导体衬底上的停止层的气隙。气隙将半导体鳍分成半导体鳍的两部分。鳍隔离结构包括覆盖在气隙顶部的介电覆盖层。本发明实施例涉及鳍式场效晶体管结构及其制造方法。
鳍式场效晶体管结构及其制造方法

[发明专利]形成沟槽的方法-CN201611053272.3有效
发明人： 张哲诚;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种形成半导体器件的方法包括：在衬底上方形成材料层以及在材料层中形成第一沟槽；沿着第一沟槽的侧壁形成共形覆盖层；在沿着第一沟槽的侧壁沉积覆盖层时在材料层中形成第二沟槽以及在第一沟槽和第二沟槽内形成导电部件。本发明实施例涉及半导体器件及其形成方法以及形成沟槽的方法。
形成沟槽方法

[发明专利]集成电路及其制造方法-CN201610622347.9有效
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-02 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明揭露一种集成电路及其制造方法。集成电路包含基板、至少一n型半导体元件，以及至少一p型半导体元件。n型半导体元件位于基板上。n型半导体元件包含栅极结构，栅极结构具有底表面及至少一侧壁。n型半导体元件的栅极结构的底表面与n型半导体元件的栅极结构的侧壁交会以形成一内角。p型半导体元件位于基板上。p型半导体元件包含栅极结构，栅极结构具有底表面及至少一侧壁。p型半导体元件的栅极结构的底表面与p型半导体元件的栅极结构的侧壁交会以形成一内角，此内角小于n型半导体元件的栅极结构的内角。
集成电路及其制造方法

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