[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201610688858.0 申请日: 2016-08-19
公开(公告)号: CN106653845B 公开(公告)日: 2020-01-14
发明(设计)人: 张哲诚;林志翰 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L21/336
代理公司: 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 半导体器件包括衬底、至少两个栅极间隔件和栅极堆叠件。衬底具有多个半导体鳍。栅极间隔件设置在衬底上。栅极间隔件的至少一个具有面向另一个栅极间隔件的侧壁。栅极堆叠件设置在栅极间隔件之间。栅极堆叠件包括高k介电层和栅电极。高k介电层设置在衬底上并且覆盖半导体鳍的至少部分而保留至少一个栅极间隔件的侧壁未被覆盖。栅电极设置在高k介电层上。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:/n衬底,具有至少一个半导体鳍;/n至少两个栅极间隔件,设置在所述衬底上,其中,所述栅极间隔件的至少一个具有面向所述栅极间隔件的另一个的侧壁;以及/n栅极堆叠件,设置在所述栅极间隔件之间,所述栅极堆叠件包括:/n高k介电层,设置在所述衬底上并且覆盖所述半导体鳍的至少部分而保留所述至少一个栅极间隔件的所述侧壁未被覆盖;/n栅电极,设置在所述高k介电层上;和/n金属层,设置在所述高k介电层和所述栅电极之间,所述金属层附接至所述至少一个栅极间隔件的所述侧壁,/n其中,所述栅极堆叠件在俯视图中的形状是矩形,其中,所述至少两个栅极间隔件仅形成在所述栅极堆叠件的第一对相对侧上,其中,独立于所述至少两个栅极间隔件的绝缘结构形成在所述栅极堆叠件的第二对相对侧上。/n
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