“张哲诚”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果188个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种非公路机械传动宽体自卸车全液压转向系统-CN201820205622.1有效
发明人：陈吉波;潘勋;向锋;王付利;邢旭;张哲诚;靳浩锋;谢贺超 -专利权人：郑州郑宇重工有限公司
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： B62D5/06 文献下载
摘要：本实用新型公布了一种非公路机械传动宽体自卸车全液压转向系统，包括转向齿轮泵、转向阀组、转向缓冲阀组、转向蓄能器、吸油过滤器、高压过滤器、转向器、转向助力油缸和液压油箱，左转向助力油缸、右转向助力油缸作用在车辆前桥转向T型臂上，使整个系统转向输出力良好可控、轻便稳定；加装转向蓄能器可实现均匀高速转向，并可在失去动力的情况下提供动力源，实现安全停车；转向齿轮泵使用定量齿轮泵，可降低整车成本。
转向助力油缸转向齿轮泵转向蓄能器机械传动转向系统全液压自卸车宽体本实用新型定量齿轮泵高压过滤器吸油过滤器车辆前桥轻便稳定液压油箱整车成本转向阀组动力源缓冲阀输出力转向器加装可控公路停车安全

[发明专利]场效应晶体管的具有基脚的栅极结构-CN201410338643.7有效
发明人： 张哲诚;陈建颖;林志忠;林志翰;张永融 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种场效应晶体管(FET)结构。在一些实施例中，场效应晶体管(FET)结构包括第一半导体结构和栅极结构。第一半导体结构包括沟道区以及源极区和漏极区。源极区和漏极区分别形成在沟道区的相对两端。栅极结构包括中心区和基脚区。中心区形成在第一半导体结构上方。在中心区的相对两侧并且沿着中心区邻近于第一半导体结构的位置形成基脚区。本发明还提供了一种形成晶体管的方法。
场效应晶体管具有基脚栅极结构

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710485975.1在审
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种用于制造半导体器件(例如，鳍式场效应晶体管)的代表性方法，该方法包括以下步骤形成具有第一横向宽度的栅极结构，并且在栅极结构上方形成第一通孔开口。第一通孔开口具有暴露栅极结构的最上表面的最下部。第一通孔开口的最下部具有第二横向宽度。第二横向宽度与第一横向宽度的比率小于约1.1。邻近栅极结构横向设置源极/漏极(S/D)区。接触部件设置在S/D区上方。第二通孔开口延伸至并暴露接触部件的最上表面。第二通孔开口的最下部设置在栅极结构的最顶部之上。本发明的实施例还公开了一种半导体器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]形成FinFET器件的机制-CN201410308658.9有效
发明人： 张哲诚;陈建颖;林志忠;林志翰;张永融 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了用于形成半导体器件的机制的实施例。该半导体器件包括衬底。该半导体器件也包括位于衬底上方的第一鳍和第二鳍。该半导体器件还包括分别横跨在第一鳍和第二鳍上方的第一栅电极和第二栅电极。此外，该半导体器件包括位于第一鳍和第一栅电极之间以及位于第二鳍和第二栅电极之间的栅极介电层。而且，该半导体器件包括位于衬底上方的伪栅电极，并且伪栅电极位于第一栅电极和第二栅电极之间。伪栅电极的上部宽于伪栅电极的下部。
形成 finfet 器件机制

[实用新型]一种桥梁检测车工作平台称重保护装置-CN201720144196.0有效
发明人：郭旭东;张哲诚;王海;米增雨;冯钦;李文杰;刘世亮 -专利权人：郑州宇通重工有限公司
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： E01D19/10 文献下载
摘要：本实用新型公开一种桥梁检测车工作平台称重保护装置。该装置包括以电连接方式相结合的人机界面、控制器、限位开关、用于直接替换桥梁检测车工作平台原结构件中销轴的n（1≤n≤4）个销轴传感器、电源模块、AD转换模块、危险方向卸荷阀、声光蜂鸣器、三色灯；其中人机界面与控制器通过串口进行通讯，销轴传感器分别经过相应的AD转换模块接入控制器的相应输入端，限位开关接入控制器的相应输入端，三色灯、声光蜂鸣器以及危险方向卸荷阀分别与控制器的相应输出端口连接。本实用新型能实时检测工作平台上的力矩或载荷力的数值、并给出不同的信号，可有效避免因载荷过大造成车辆失稳现象，保证工作平台上人员、设备以及车辆的安全。
一种桥梁检测车工平台称重保护装置

[发明专利]半导体装置-CN201611104469.5在审
发明人：林志翰;张哲诚;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开提供一半导体装置。上述半导体装置包括源极/漏极、栅极、形成于上述栅极的侧壁上的栅极间隔物、以及形成于上述源极/漏极上的介电元件。上述栅极间隔物形成于栅极与介电元件之间。形成一凹口于上述介电元件的上表面中。形成介电层于介电元件的上表面及上述凹口之上，使得上述介电层的一部分呈现出下凹的形状。蚀刻出穿过上述介电层及介电元件的接触孔。上述接触孔露出源极/漏极。填充上述接触孔以形成源极/漏极接点。
半导体装置

[发明专利]制作半导体装置的方法-CN201611108890.3在审
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种包括以下步骤的制作半导体装置的方法。提供具有第一区域及第二区域的衬底。将衬底图案化，以在衬底中形成沟槽以及在沟槽之间形成半导体鳍，其中半导体鳍包括分布于第一区域中的第一半导体鳍及分布于第二区域中的第二半导体鳍。在第一区域中执行第一鳍切割工艺，以移除第一半导体鳍的部分。在执行第一鳍切割工艺之后，在沟槽中形成绝缘体。在第二区域中执行第二鳍切割工艺以移除第二半导体鳍的部分，直至在第二区域中在绝缘体之间形成凹部为止。形成栅极堆叠结构以局部地覆盖第一半导体鳍、第二半导体鳍及绝缘体。
制作半导体装置方法

[发明专利]鳍型场效晶体管及其制作方法-CN201611112626.7在审
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种包括以下步骤的制作鳍型场效晶体管的方法。提供衬底，衬底包括多个沟槽及位于沟槽之间的多个半导体鳍。在沟槽中形成多个绝缘体。执行鳍切割工艺以移除半导体鳍的某些部分，直至在绝缘体之间形成多个凹部为止。形成栅极堆叠结构，以局部地覆盖半导体鳍及绝缘体。
鳍型场效晶体管及其制作方法

[发明专利]内连线-CN201611247282.0在审
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种内连线，其包括第一和第二导电层、第一和第二介电层、停止层以及第一和第二粘附层。第一导电层安置在半导体衬底上。第一介电层在第一导电层上，且第一介电层包括介层孔。第二介电层安置在第一介电层上。停止层位于第一介电层与第二介电层之间，且第二介电层和停止层包括沟槽。第二导电层位于介层孔和沟槽中，以与第一导电层电连接。第一粘附层位于沟槽的侧壁上。第二粘附层位于第二导电层与第一粘附层之间以及第二导电层与第一介电层之间。
连线

[发明专利]内连线-CN201611251286.6在审
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种内连线，其包括第一导电层、介电层、第二导电层以及绝缘层。第一导电层安置在半导体衬底上。介电层安置在第一导电层上。第二导电层穿透介电层，以与第一导电层电连接。绝缘层位于介电层的一部分与第二导电层之间，且绝缘层的材料和介电层的材料不同。多个气隙位于介电层的另一部分与第二导电层之间。
连线

[发明专利]鳍片型场效应晶体管-CN201611202230.1在审
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种鳍片型场效应晶体管。所述鳍片型场效应晶体管中的一个包含衬底、绝缘体、第一栅极、第二栅极、开口以及第一介电层。所述衬底包含第一半导体鳍片、第二半导体鳍片以及所述第一半导体鳍片与所述第二半导体鳍片之间的沟槽。所述绝缘体配置在所述沟槽中。所述第一栅极配置在所述第一半导体鳍片上。所述第二栅极配置在所述第二半导体鳍片上。所述开口配置在所述第一栅极与所述第二栅极之间。所述第一介电层配置在所述开口中以将所述第一栅极与所述第二栅极电绝缘，其中所述第一介电层包含配置在其中的气隙。
鳍片型场效应晶体管

[发明专利]鳍片型场效应晶体管-CN201611225344.8在审
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种鳍片型场效应晶体管。所述鳍片型场效应晶体管中的一个包含衬底、绝缘体、第一及第二栅极、开口、第一及第二介电层。所述衬底包含第一及第二半导体鳍片及其间的沟槽。所述绝缘体配置在所述沟槽中。所述第一及第二栅极分别配置在所述第一及第二半导体鳍片上。所述开口配置在所述第一栅极与所述第二栅极之间。所述第一介电层配置在所述开口中以将所述第一及第二栅极电绝缘，且包含缝隙。所述第二介电层填充于所述缝隙中，其中所述开口在所述第一及第二栅极延伸的方向上具有第一宽度，所述缝隙在所述方向上具有第二宽度，且所述第一宽度与所述第二宽度的比率大于2。
鳍片型场效应晶体管

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201611047374.4在审
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括衬底、至少一个第一栅极结构、至少一个第一间隔件、至少一个源漏结构、至少一个导体以及至少一个保护层。第一栅极结构位于衬底上。第一间隔件位于第一栅极结构的至少一个侧壁上。源漏结构邻近于第一间隔件。导体电连接至源漏结构。保护层位于导体和第一间隔件之间并且保护层位于第一栅极结构的顶面上。本发明还提供了制造半导体结构的方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管器件-CN201611110670.4在审
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：揭露鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种鳍式场效应晶体管器件包括具有至少一个鳍片的衬底、第一栅堆叠以及第二栅堆叠、第一应变层以及第二应变层、遮蔽层、第一连接件以及第二连接件。第一栅堆叠以及第二栅堆叠横跨至少一个鳍片。第一应变层以及第二应变层分别在第一栅堆叠以及第二栅堆叠侧边。遮蔽层在第二栅堆叠上方以及在第一栅堆叠的顶表面及侧壁上方，且在第一栅堆叠的顶角周围不连续。第一连接件通过遮蔽层且电连接到第一应变层。第二连接件通过遮蔽层且电连接到第二应变层。此外，第二连接件的宽度大于第一连接件的宽度。
场效应晶体管器件

[发明专利]半导体装置与形成半导体装置的方法-CN201710061615.9在审
发明人：林志翰;张哲诚;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-01-26 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种形成半导体装置的方法，包括接收装置，装置具有基板及环绕栅极沟槽的第一介电层。方法更包括在栅极沟槽中沉积栅极介电层及栅极功函数(work function，WF)层，及在由栅极功函数层环绕的空间中形成硬遮罩(hard mask，HM)层。方法更包括使栅极功函数层凹陷以使得栅极沟槽中的栅极功函数层的顶表面在第一介电层的顶表面下方。在使栅极功函数层凹陷之后，方法更包括移除栅极沟槽中的硬遮罩层。在移除硬遮罩层之后，方法更包括在栅极沟槽中沉积金属层。
半导体装置形成方法

首页
«上一页
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
下一页»
尾页
共 188 条