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[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201911024520.5有效
发明人：胡杏;叶国梁;周玉;刘天建 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其形成方法，包括：提供衬底；刻蚀第一介质层和阻挡层暴露出第一金属层，以形成开关孔；刻蚀清理所述开关孔，同时开关孔暴露出的第一金属层被侧向刻蚀；形成绝缘层，所述绝缘层至少覆盖开关孔表面和填充第一金属层被侧向刻蚀的区域；第一金属层被侧向刻蚀的区域由绝缘层填充，避免形成间隙，提高了开关孔中的接触电阻的稳定性以及可靠性。开关孔的侧壁的绝缘层隔开了开关孔底部周圈的第一金属层避免其受损伤，且所述绝缘层覆盖所述开关孔的侧壁，使开关孔的平整度高，从而提高在开关孔中薄膜沉积以及金属层填充开关孔的均匀性，使热膨胀和应力均匀。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]临时键合方法-CN202010723912.7在审
发明人：陈坦林;郭万里;刘天建;陈俊宇 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供了一种临时键合方法，包括：提供器件晶圆以及承载片，并通过键合胶将所述器件晶圆和所述承载片键合形成键合片；对所述器件晶圆进行减薄，并暴露出所述键合片边缘的键合胶；除去暴露出的键合胶。即在器件晶圆进行减薄之后，除去暴露出的键合胶，使得键合胶的面积不大于器件晶圆键合面积，从而减少后续制程的缺陷来源，同时，除胶步骤放在减薄之后可降低破边风险。
临时方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN201911349140.9有效
发明人：胡杏;占迪;刘天建 -专利权人：湖北三维半导体集成制造创新中心有限责任公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构，包括第一衬底、第二衬底及若干栅极结构，所述第二衬底中包括若干像素单元，所述像素单元与所述栅极结构的位置对应；所述第二衬底中具有若干用于隔离相邻的所述像素单元的第一沟槽隔离结构，所述像素单元中具有若干定义出感光区和读取区的第二沟槽隔离结构。本发明中的半导体结构的第二衬底的表面为感光面，采用了背照式采光，栅极结构和金属线都不在感光面，可以避免对光线的遮挡，提升成像效果；并且定义出感光区和读取区的第二沟槽隔离结构可以贯穿整个第二衬底，从而提高对感光区和读取区的隔离效果，防止感光区和读取区相互干扰；进一步，本发明还提供了所述半导体结构的制备方法。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]半导体器件制作方法以及半导体器件-CN201811495759.6在审
发明人：胡杏;刘天建;谢岩;邹浩 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件制作方法以及半导体器件。在该半导体器件中，隔离层位于第一金属层的表面，包括依次层叠的第一隔离层、第二隔离层、第三隔离层，第一子开孔贯穿第三隔离层和第二隔离层并停止于第一隔离层。该隔离层作为第一金属层的保护层，同时还作为形成第一子开孔刻蚀的终止层，使金属层得到有效保护不易被破坏。进一步的，第一隔离层的厚度可以做薄，有利于减少金属层凸起缺陷；第二隔离层位于第一隔离层的表面，可起缓冲作用，防止应力过大造成的断裂。形成第一子开孔过程中通过三个步骤，不同刻蚀选择比的逐层刻蚀，使第一子开孔(深孔)底部的第一隔离层的表面平整，避免残渣缺陷，进而避免影响TSV连通孔的接触电阻。
半导体器件制作方法以及

[发明专利]图像传感器及其制作方法-CN201910824707.7有效
发明人：胡杏;刘天建;贺吉伟 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：本发明提供的图像传感器及其制作方法，包括：提供一衬底，在所述衬底中位于转移区的两侧分别设置有感光区和读取区；刻蚀去除部分厚度的所述转移区，使剩余的所述转移区在所述厚度方向上低于浅沟道隔离区；去除所述介质层；形成多晶硅层，所述多晶硅层填充于相邻的所述浅沟道隔离区之间。在传统的闪存工艺的基础上，刻蚀去除部分厚度的所述转移区，打通所述感光区到读取区的通道，不再被传统的闪存工艺浅沟道隔离断开，通过多晶硅层实现图像传感器中感光区的电荷向读取区的转移，从而正确识别光信号强度。本发明提供的图像传感器，通过多晶硅层实现图像传感器中感光区的电荷向读取区的转移，提高了图像传感器的性能。
图像传感器及其制作方法

[发明专利]一种键合结构及其制造方法-CN202010115670.3在审
发明人：占迪;刘天建;胡杏;郭万里 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供一种键合结构及其制造方法，在底层结构的正面形成有混合键合结构，在待键合的第二晶圆结构的背面预先形成背连线以及混合键合结构，通过第二晶圆结构背面的混合键合结构以及底层结构正面的混合键合结构实现晶圆结构的键合，在需要键合多个第二晶圆结构时，在已键合的第二晶圆结构的正面形成混合键合结构，实现多个第二晶圆结构的键合。该方法通过预先在待键合的第二晶圆结构的背面形成背连线结构以及混合键合结构，降低器件失效的风险，并且制造时间短、生产效率高。
一种结构及其制造方法

[发明专利]一种键合结构及其制造方法-CN201911403367.7在审
发明人： 刘天建;胡杏;占迪 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种键合结构及其制造方法，在晶圆上键合芯片，晶圆的裸片上形成有混合键合结构，芯片背面上也预先形成有背连线结构和混合键合结构，这样，通过背连线结构实现芯片中互连结构的电引出，进一步可以通过芯片上的混合互连结构键合至裸片上的混合键合结构，实现芯片至晶圆的互连。在该方案中，无需在芯片键合之后进行填充和研磨大量介质层的工艺，降低制造成本，同时能够更好地保证芯片间的一致性，具有更好的可实施性。
一种结构及其制造方法

[发明专利]多晶圆堆叠结构及其形成方法-CN201810988464.6有效
发明人：赵长林;刘天建 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶圆堆叠结构及方法。在该多晶圆堆叠结构中，第一互连层通过第一开孔与第二金属层和第一金属层电连接，第二互连层通过第二开孔与第一互连层电连接，第三互连层通过第三开孔与第三金属层电连接，且第二互连层与所述第三互连层相接触，不需晶圆间预留压焊引线空间，省去硅基板，实现多晶圆互连的同时减少多晶圆堆叠厚度从而使多晶圆堆叠封装后的整体器件厚度减小。并且，不再需要引线，省去了硅基板以及硅基板上若干共用焊盘的设计加工。以及，所述第二互连层与所述第三互连层相接触缩短晶圆间互连距离，进而降低寄生电容和功率损耗，提高了传输速度。
多晶堆叠结构及其形成方法

[发明专利]一种用于含碳多孔材料基底的光刻涂层的去除方法-CN201610181430.7有效
发明人： 刘天建;王华 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于含碳多孔材料基底的光刻涂层的去除方法，将有机溶剂去除和低温氧化工艺去除相结合，并且采用有机溶剂先去除基底表面和深孔中较易溶于有机溶剂中的光刻涂层，对于深孔中残留的光刻涂层再采用低温氧化工艺去除；有效克服了有机溶剂去除不彻底和低温氧化工艺去除速度慢、能力不强的缺陷；在不损伤含碳多孔材料基底的同时，增大光刻涂层的去除能力，将光刻涂层完全去除干净，并且保证了含碳多孔材料基底的孔状结构的结构性能和电学性能，为后续的工艺处理提供方便。
一种用于多孔材料基底光刻涂层去除方法

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN201911070168.9在审
发明人：胡杏;刘天建 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件制作方法，在需要进行晶背减薄的第一半导体中，设置隔离结构，所述隔离结构为第三绝缘层，隔离结构至少位于第一导电层和第二导电层的上方，且其中一个表面与第一半导体的第一衬底朝向第一绝缘层的表面齐平，也即通过深沟槽隔离先将TSV通孔需要刻蚀的区域填充第三绝缘层，采用深沟槽隔离代替浅沟槽隔离，在增强了器件之间的隔离作用基础上，一方面，可以省略高介电常数层的使用，避免高介电常数层带来的较大应力，产生的缺陷，从而简化硅通孔技术工艺；另一方面，能够直接在深沟槽隔离结构的内部制作硅通孔，能够省略了多个工艺步骤，使得硅通孔技术工艺过程更加简单。
绝缘层隔离结构硅通孔高介电常数层半导体器件深沟槽隔离技术工艺省略半导体制作深沟槽隔离结构第二导电层第一导电层浅沟槽隔离表面齐平隔离作用工艺步骤区域填充衬底减薄晶背刻蚀申请

[发明专利]半导体器件制作方法以及半导体器件-CN201810989689.3有效
发明人：赵长林;刘天建;胡胜;丁振宇 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件制作方法以及半导体器件，先执行光刻及刻蚀工艺形成贯穿第一衬底、第一介质层和部分厚度的第二介质层的第一开孔，再执行光刻及刻蚀工艺形成贯穿所述第一衬底和部分厚度的第一介质层的第二开孔，随后执行无掩膜刻蚀工艺，以暴露所述第一开孔下方的第二金属层和第二开孔下方的部分所述第一金属层，最后形成互连层，实现两晶圆间的金属互连。本发明只需采用两道光罩即可形成第一开孔和第二开孔，并实现第一金属层和第二金属层的互连，简化了工艺，并降低了生产成本。
半导体器件第二开孔第一开孔刻蚀工艺介质层第二金属层第一金属层衬底光刻金属互连互连层贯穿互连晶圆掩膜制作生产成本暴露

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201810989687.4有效
发明人：胡杏;周玉;刘天建;胡胜;赵长林 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制作方法。在所述半导体器件中，隔离层至少覆盖第一开孔的侧面，一方面，隔离层在干法刻蚀以暴露第一金属层和第二金属层的工艺中，防止过刻蚀反溅的第一金属层和第二金属层扩散到第一衬底；另一方面，隔离层作为阻挡层，防止互连层扩散到第一衬底中。进一步的，隔离层包含氮化硅层，氮化硅层比较致密，有利于防止金属层例如是铜反溅扩散到第一衬底的侧壁。再进一步的，隔离层还包括第一氧化硅层和第二氧化硅层，第二氧化硅层用以保护氮化硅层不被刻蚀消耗；第一氧化硅层，用于提高氮化硅层和第一衬底之间的粘合力，同时缓解氮化硅层的应力，防止由于氮化硅层应力过大可能导致的晶圆上的芯片断裂。
氮化硅层隔离层衬底半导体器件第二金属层第一金属层二氧化硅层氧化硅层扩散致密第一开孔干法刻蚀芯片断裂过刻蚀互连层金属层粘合力阻挡层侧壁晶圆刻蚀制作消耗侧面暴露缓解覆盖

[发明专利]基于深度摄像头的机器人快速定位与姿态估计方法-CN201610716018.0有效
发明人：黄志建;刘天建 -专利权人：智能侠（北京）科技有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： G01C21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于深度摄像头的机器人快速定位与姿态估计方法，所述深度摄像头固定安装在机器人主体上，并且保持相对于机器人主体的位置不变，所述方法通过深度摄像头获取机器人在运动过程环境中的深度图像，再对深度图像进行缩放、角点检测、角点特征提取，然后对相似特征进行匹配，最后通过最小二乘法获取机器人在智能移动过程中的旋转矩阵R与平移矩阵T。本发明的基于深度摄像头的机器人快速定位与姿态估计方法能够提高机器人定位及姿态估计中的准确性，能够有效降低图像处理时间并且提升处理图像速度。
基于深度摄像头机器人快速定位姿态估计方法

[发明专利]晶圆键合方法-CN201611191657.6有效
发明人：胡杏;王华;刘天建 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆键合方法，其包括以下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆的第一面离边缘指定距离区域和/或第二晶圆的第一面离边缘指定距离区域形成一环状膜层；在所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面形成一平坦化层，第一晶圆上的平坦化层和/或第二晶圆上的平坦化层连接环状膜层构成一连续膜层，所述连续膜层的边缘区域的高度不低于其中心区域的高度；将所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面相对放置，并对所述第一晶圆和/或所述第二晶圆施加压力，以实现所述第一晶圆和第二晶圆的键合。采用本发明提供的晶圆键合方法，避免了晶圆键合后形成缝隙或者减小了晶圆键合后缝隙的尺寸。
晶圆键合方法

[发明专利]半导体器件制作方法及半导体器件-CN201810990634.4在审
发明人：周玉;刘天建;胡胜;赵长林;胡杏 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了半导体器件制作方法及半导体器件。第一开孔贯穿钝化层、第一衬底和部分所述第一介质层且位于所述第一金属层上方；第二开孔贯穿第一晶圆和部分所述第二介质层且位于所述第二金属层上方；第一开孔和第二开孔是纵向分离的，不再受纵向连通的TSV嵌套孔为形成后面的中开孔和下开孔均需在较深的上开孔中填充较厚的光阻的约束，满足了不同厚度要求的器件，同时不再受TSV嵌套孔横向制程的限制约束，提高了晶圆设计的灵活性。光刻过程中光阻均不需填充深孔，光阻不需要较厚，从而减小光刻制程工艺复杂度，改善了曝光效果。将第一金属层和第二金属层通过第一凹槽就直接引出，简化了工艺，降低了生产成本。
半导体器件光阻第二金属层第一金属层第二开孔第一开孔介质层嵌套孔晶圆填充工艺复杂度光刻过程光刻制程厚度要求曝光效果纵向分离纵向连通钝化层上开孔下开孔贯穿衬底减小开孔深孔制程制作生产成本