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[发明专利]晶背扫描仪、晶背扫描方法和晶圆扫描方法-CN201911089034.1有效
发明人：茆青;韩超;倪棋梁;顾晓芳;范荣伟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶背扫描仪、晶背扫描方法和晶圆扫描方法，晶背扫描仪，包括：用于获取图像的光源扫描器和用于处理晶背图像的光导体；晶背扫描方法，包括：所述光源扫描器获取晶背图像传输给所述光导体；晶背图像转换成电荷数量分布；电荷数量以不同的灰阶度呈现；通过呈现的灰阶度是否异常判断晶背图像是否异常。在本发明提供的晶背扫描仪、晶背扫描方法和晶圆扫描方法中，增加了晶背扫描方法，在晶圆的晶面等待扫描的时候对晶圆的晶背和晶边进行扫描，在不增加工艺时间的同时，提高了晶圆的良率。
扫描仪扫描方法圆扫描

[发明专利]晶背缺陷检测方法、储存介质及计算机设备-CN202110205137.0在审
发明人：王泽逸;庄均珺;王恺;陈旭 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶背缺陷检测方法，包括以下步骤：步骤S1：获取晶背图形；步骤S2：对所述晶背图形进行滤波及差分处理；步骤S3：区分所述晶背图形是基线图像还是高亮图像；步骤S4：通过所述图像的特征差异，识别晶背的缺陷本发明能够通过提高晶背图形类型区分的准确率，有效识别晶背多种缺陷形貌，有效实现晶背各缺陷之间的区分及自动判断，避免晶背异常导致的良率损失。
缺陷检测方法储存介质计算机设备

[发明专利]一种维持晶圆背压稳定的方法-CN201610795383.5在审
发明人：朱亮;柳小敏;陈伟;邰晓东 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种维持晶圆背压稳定的方法，包括：将晶圆放置到静电卡盘上；使静电卡盘向晶圆提供一个设定的托盘电压；向晶圆通入气体；在向晶圆通入气体后使得晶圆背压稳定；在晶圆背压稳定后判断晶圆背压是否符合工艺要求；在判定晶圆背压不符合工艺要求时，根据晶圆背压调节设定的托盘电压的数值，随后再次回到第二步骤；在判定晶圆背压符合工艺要求，执行处理工艺。
一种维持晶圆背压稳定方法

[发明专利]一种晶硅电池背场背极及其印刷工艺-CN201110208995.7在审
发明人：杨雷;何晨旭;殷海亭;钱金梁;王冬松;王步峰 -专利权人：润峰电力有限公司
申请日： 2011-07-25 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶硅电池背场背极及其印刷工艺，先在晶硅硅片背表面印刷铝浆，在一定温度下烘干铝浆形成铝背场，再在烘干后的铝浆表面印刷背电极浆料形成背电极图形。本发明能增加晶硅电池铝背场的面积，减少晶硅背表面复合，增加铝背场的吸杂效果，有效提升晶硅电池的电性能。
一种电池背场背极及其印刷工艺

[发明专利]一种改善FinFET晶背工艺的方法-CN202111238559.4在审
发明人：李红;郭扬扬;赵保军 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种改善FinFET晶背工艺的方法，在晶圆的晶背上形成第一氧化层；在第一氧化层上形成氮化硅垫层；在氮化硅垫层上形成第一非晶硅层；去除第一非晶硅层；在氮化硅垫层上形成第二非晶硅层；在第二非晶硅层上形成第一氮化硅层；在第一氮化硅层上形成第二氮化硅层；去除第一、第二氮化硅层，将第二非晶硅层暴露；在晶圆的正面和晶背同时沉积第二氧化层；利用第二非晶硅层作刻蚀阻挡层去除所述晶背的所述第二氧化层；在晶圆的正面和晶背同时沉积多晶硅；之后去除晶背的所述多晶硅和第二非晶硅层；将第二氮化硅层暴露。本发明通过对晶背沉积非晶硅和氮化硅，阻挡刻蚀晶背的氧化层，使得晶背更加平整，有利于后续多晶硅工艺中对晶背的保护。
一种改善 finfet 工艺方法

[发明专利]利用神经网络模型对异常晶背图像进行分类的方法及装置-CN202111652252.9在审
发明人：庄均珺;陈旭;王艳生;魏峥颖 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用神经网络模型对异常晶背图像进行分类的方法及装置，该方法包括如下步骤：步骤S1，从现有数据库获取大量异常晶背图像进行标记，构建训练集、测试集以及验证集；步骤S2，利用神经网络模型构建晶背图像分类模型，利用训练集中的训练样本对所构建的晶背图像分类模型进行训练，生成可快速准确识别有异常的晶背缺陷图的晶背图像分类模型；步骤S3，获取实际线上的晶背图像，将其输入到训练好的晶背图像分类模型进行分类，输出分类结果
利用神经网络模型异常图像进行分类方法装置

[发明专利]表征晶背缺陷的方法-CN201310745789.9在审
发明人：刘孜谦;谭孝林;高燕 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种表征晶背缺陷的方法，包括：提供晶圆，晶圆包括晶圆正面和晶圆背面，晶圆背面具有晶背缺陷；提供终端，在终端建立第一坐标系和第二坐标系，第一坐标系和第二坐标系为同一坐标系；将晶圆正面的芯片分布图输入终端并显示在第一坐标系中形成芯片地图；获取晶背图片，并将晶背图片显示在第二坐标系中；在晶背图片对应晶背缺陷的位置形成缺陷标记，终端记录缺陷标记在第二坐标系中的坐标；根据缺陷标记的坐标，在第一坐标系的芯片地图上标记缺陷芯片，缺陷芯片与晶背缺陷对准在封装过程，根据缺陷芯片位置避开晶背缺陷，降低晶圆破裂的风险。并且，将切割得到的缺陷芯片舍弃掉而避免造成极大浪费，节约生产成本。
表征缺陷方法

[发明专利]获取晶圆晶背刮伤来源的方法-CN201810157691.4有效
发明人：王洲男;顾晓芳;倪棋梁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-02-24 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种获取晶圆晶背刮伤来源的方法，包括将生产机台的机械手按照截面宽度的大小进行分组；对晶圆晶背进行颗粒检测，以判断所述晶圆晶背是否刮伤；当所述晶圆晶背发生刮伤时，获取刮痕与所述晶圆圆心之间的最短距离；根据所述刮痕与所述晶圆圆心之间的最短距离判断刮伤所述晶圆晶背的机械手的组别。采用颗粒检测的方法能够快速而准确的判断出晶圆晶背是否刮伤，提高了检测的效率，避免了人工目检的不确定性，将生产机台的机械手进行分组，当晶圆晶背刮伤时，能够快速确定刮伤晶圆晶背的机械手的组别，从而及时有效的找出发生问题的生产机台
获取晶圆晶背刮伤来源方法

[发明专利]一种背孔过刻蚀检验方法及装置-CN202211304707.2在审
发明人：刘晓辉 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G01B11/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种背孔过刻蚀检验方法及装置，包括：收集背孔完全刻蚀穿正面金属的不同型号的晶圆作为标准片，其中所述标准片中背孔作为标准背孔；使用光源照射所述标准片，并测得透射过标准背孔的光线，得到不同标准片的标准背孔透射光；使用与测量标准背孔相同的光源照射所述待测晶圆，根据待测晶圆中所有背孔的背孔透射光的情况判断所述待测晶圆的过刻蚀情况；所述根据待测晶圆中所有背孔的背孔透射光的情况判断所述待测晶圆是否存在过刻蚀。本发明利用光线透射晶圆背孔的方法来检验背孔是否过刻蚀，提高了检验效率和检验精度，并避免了run货风险。
一种刻蚀检验方法装置

[发明专利]一种晶圆的背胶方法-CN201611264362.7有效
发明人：施建根 -专利权人：通富微电子股份有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆的背胶方法。该晶圆的背胶方法包括：提供待背胶的晶圆；提供由感光材料制成的胶膜；将胶膜贴附至晶圆的背侧上；沿晶圆的外边缘对胶膜进行曝光；利用显影液对曝光后的胶膜进行清洗，以去除晶圆的外边缘外围的胶膜。本发明能够在晶圆的背侧形成完整贴附的胶膜，避免出现漏胶。
一种方法

[发明专利]一种背照式图像传感器晶圆、芯片及其制造方法-CN201510390379.6在审
发明人：林峰;肖海波 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种背照式图像传感器晶圆、芯片及其制造方法，所述背照式图像传感器晶圆包括一片载体晶圆以及两片器件晶圆，所述两片器件晶圆分别位于所述载体晶圆的正面和背面。所述背照式图像传感器芯片由所述背照式图像传感器晶圆切割、封装得到。通过两片器件晶圆进行感光，所述背照式图像传感器晶圆和芯片便可双面感光。
一种背照式图像传感器芯片及其制造方法

[实用新型]体雕-CN201720758686.X有效
发明人：关伟;练火青 -专利权人：关伟;练火青
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： A41C1/06 文献下载
摘要：本产品其组成包括:胸前组合合晶能衣片、腹前组合合晶能裤片，胸前组合合晶能衣片连接胸前左合晶能衣片，胸前组合合晶能衣片连接胸前右合晶能衣片，胸前左合晶能衣片连接压片，胸前右合晶能衣片连接压片，胸前左合晶能衣片与压片连接挂环，胸前右合晶能衣片与压片连接挂环，挂环挂接挂钩，挂钩连接在左肋弹性加宽合晶能衣片和右肋弹性加宽合晶能衣片上，左肋弹性加宽合晶能衣片缝合连接左背合晶能衣片，右肋弹性加宽合晶能衣片缝合连接右背合晶能衣片，左背合晶能衣片连接压片并固定一组挂环，右背合晶能衣片连接压片并固定一组挂钩，左背合晶能衣片与右背合晶能衣片通过挂钩挂接挂环固定。
合晶能衣片压片挂环加宽缝合连接挂钩挂接左肋本实用新型挂钩连接能量体裤片

[实用新型]晶背检查装置-CN202221910773.X有效
发明人：王松筠;陈建梃;黄泰源 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请涉及晶背检查装置。该晶背检查装置包括：外框；至少两个第一凸肋，分别自外框内部相对的两个侧面朝内凸出；载盘，可分离地架设在第一凸肋上，中心区域设置有透光结构并且用于承载晶圆；反射件，设置在外框内部的底面，并且用于反射晶背图像该晶背检查装置使得晶背检查环节可以由单人进行操作，节省了人力，同时降低了晶圆掉落的风险。
检查装置

[发明专利]一种背照式图像传感器晶圆、芯片及其制造方法-CN201510662076.5在审
发明人：林峰;李全宝 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种背照式图像传感器晶圆、芯片及其制造方法，其中，所述背照式图像传感器晶圆包括：载体晶圆；第一器件晶圆，所述第一器件晶圆设置于所述载体晶圆上方，且用于采集近红外光；第二器件晶圆，所述第二器件晶圆设置于所述第一器件晶圆上方所述背照式图像传感器芯片由所述背照式图像传感器晶圆制得。由此即使在暗光条件下，所述背照式图像传感器晶圆及芯片也能获得较佳的图像采集性能。
一种背照式图像传感器芯片及其制造方法

[发明专利]晶圆背胶的制备方法-CN201410616537.0在审
发明人：张纪阔;章国伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明的晶圆背胶的制备方法中，包括：提供晶圆以及预制膜；使用压膜机将所述预制膜压制在所述晶圆的背面；对所述预制膜进行加热处理，形成背胶；在所述背胶上标记所述晶圆的信息。本发明的晶圆背胶的制备方法，采用压制预制膜的方法，所述预制膜的平整度、厚度、粘稠度等可以根据要求预先制定，而且所述预制膜两面均覆盖有一防止所述预制膜被污染的保护层，使得所述预制膜不会被环境中的颗粒污染，之后在形成的背胶上标记晶圆的信息。本发明的晶圆背胶的制备方法，实现晶圆背胶的可控制备，提高工艺的可靠性。
晶圆背胶制备方法

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