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[发明专利]一种高效稳定的锗单晶片腐蚀工艺-CN201710816709.2有效
发明人：吕菲;张伟才;常耀辉;王云彪;窦连水;刘洋 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种可以高效稳定腐蚀锗单晶片的腐蚀工艺。将锗单晶片浸入NH4OH：H2O2：HF：DIW=1：2：3：5的腐蚀液中，其中氢氟酸、过氧化氢和氢氧化铵的质量浓度分别为40±1%、30±1%和25±1%，搅拌均匀，腐蚀液温度保持在50℃‑53℃，每次将10片锗单晶片浸入腐蚀液顺时针转动3min20s~3min40s，可去除厚度16μm‑18μm。本腐蚀工艺中的腐蚀液腐蚀速度高效稳定，且腐蚀液温度、有效成分波动小，工艺条件易于控制，腐蚀后锗片表面一致均匀、无腐蚀坑，质量好，适用于批量生产。
一种高效稳定晶片腐蚀工艺

[发明专利]一种超薄硅单晶切片热处理强化工艺-CN201911259122.1在审
发明人：陶术鹤;李聪;李志远;张伟才 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种超薄硅单晶切片热处理强化工艺，本热处理强化工艺通过将硅切片在特定温度下恒温1小时，然后随炉冷却至室温，使得硅切片的强度从未热处理时的1.12lbf升高到热处理后的2.52lbf。升温速率为15℃/min，恒温温度为650℃±20℃，恒温时间为1小时。相比未热处理硅切片，热处理后硅切片强度提升125%，极大降低了后道加工工序如：倒角、研磨的碎片率。
一种超薄硅单晶切片热处理强化工艺

[发明专利]一种金属细丝超薄金属镀层厚度测试方法-CN201911259180.4在审
发明人：刘立娜;刘兆枫;何煊坤;杨东海;孙雪莲 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G01B21/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属细丝超薄金属镀层厚度的测量方法，实现了直径小于20μm的金属细丝，金属镀层厚度小于0.2μm时镀层厚度的测量。首先取一定长度的样品，称量出总质量，采用化学检测的方法，将其完全溶解，利用电感耦合等离子体光谱仪测试出镀层金属的质量，样品总质量与镀层金属质量的差即为金属细丝的质量。然后根据金属细丝的质量，通过计算得到金属细丝的半径。最后利用扫描电子显微镜测试包含镀层的样品的直径，计算得出包含镀层样品的半径，该半径即为金属细丝的半径与镀层厚度的和，再减去金属细丝的半径即得金属镀层厚度。本发明的测试方法提高了超薄镀层厚度测试的准确度，具有很高的可操作性、重复性和再现性。
一种金属细丝超薄镀层厚度测试方法

[发明专利]用于微型光探测器的金属半导体复合微结构光纤及制备方法-CN201911263627.5在审
发明人：张慧嘉;庞璐;郭娜;武洋;吴博;耿鹏程 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于微型光探测器的金属半导体复合微结构光纤及制备方法，制备步骤如下：使用石英玻璃管制备空心毛细管；将金属棒或半导体棒放入石英玻璃套管中，然后拉制出金属芯或半导体芯石英丝；使用半导体材料制备光纤芯棒；并将制得的金属芯、半导体芯石英丝和空心石英毛细管排列在芯棒的周围，将上述堆积排列好的预制棒放入外套石英玻璃管中，然后拉制出金属半导体复合微结构光纤，技术效果是在光纤材料方面集成了金属、半导体材料的光纤，利用半导体材料的光电效应可接收和探测光信号，制成微型光探测器，易于集成，而且光纤具有延展特性，基于这种金属半导体复合微结构光纤可制成长度很长的光电探测器实现多点探测。
用于微型探测器金属半导体复合微结构光纤制备方法

[发明专利]一种大尺寸高质量氮化铝单晶的生长方法-CN201911222405.9在审
发明人：李璐杰;王利杰;张丽;孙科伟 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸高质量氮化铝单晶的生长方法。使用碳化硅单晶薄膜做衬底；使用光刻方式在SiC籽晶背面制作网状槽，槽深小于薄膜厚度；在SiC籽晶背部采用磁控溅射工艺蒸镀一层碳化钽薄膜，用来保护籽晶背部SiC成分在高温条件下不挥发；在SiC籽晶底部放置一块石墨平台用于导热；将AlN粉源存放于坩埚上方的环形粉源腔内，腔壁开孔，使AlN挥发的气氛从粉源腔内输运至籽晶区域。通过使用本方法，该厚度为微米量级的SiC单晶膜籽晶具有籽晶的功能，并且能抑制热失配时对AlN单晶的破坏。采用无籽晶固定的方式将籽晶直接放于石墨托上，并结合籽晶在坩埚底部，粉源在坩埚顶部的结构，可以实现低应力条件的AlN单晶生长。
一种尺寸质量氮化铝单晶生长方法

[发明专利]一种部分掺稀土光纤及其制备方法-CN201911259121.7在审
发明人：王标;刘君;庞璐;潘蓉;衣永青;沈一泽 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种部分掺稀土光纤及其制备方法，一种部分掺稀土光纤，包括纤芯、八边形包层、低折射率内涂层、高折射率外涂层。纤芯以SiO2为基质，由掺稀土区域和非掺稀土区域组成，非掺稀土区域包覆在掺稀土区域外围；在纤芯外围依次为八边形包层、低折射率内涂层和高折射率外涂层；纤芯和八边形包层折射率分布为阶跃型，纤芯中掺稀土区域与非掺稀土区域折射率相等。有益效果是：本发明不仅结构设计合理，可有效的控制高功率下光纤的模式不稳定性，提高输出激光的光束质量，而且工艺控制方便，易于制备生产，便于国内推广。
一种部分稀土光纤及其制备方法

[发明专利]一种铋层状无铅压电陶瓷的制备方法-CN201911258034.X在审
发明人：张飞洋;郇正利;闫锋;唐发俊;娄岳;徐轩宇;马立智 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明公开了一种铋层状无铅压电陶瓷的制备方法。原料化学计量式为Ca1‑2x(NaCe)xBi2Nb2O9。采用传统的固相反应法，通过原料配方与工艺的调整和改进，调节A位复合掺杂离子的含量来改善电学性能，制备出了具有较好综合性能的无铅压电陶瓷，其最佳烧结温度为1150℃，摩尔含量x=0.05时，其压电常数d33=17pC/N，居里温度Tc=908℃，介电损耗tanδ=0.45%。本发明制备的无铅压电陶瓷材料主要应用于高温物体超声波应用，高温物体加速度和压力测定等，固相反应法制得的压电陶瓷工艺简单，能够有效降低成本。
一种层状压电陶瓷制备方法

[发明专利]一种基于低介电常数车削膜制备复合介质板的工艺-CN201911061683.0在审
发明人：庞子博;张伟;高枢健;纪秀峰;魏西 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： B29D7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于低介电常数车削膜制备复合介质板的工艺。该工艺为：将幅面相同的、体积分数为20.0‑65.0%的低介电常数含有二氧化硅陶瓷粉的全氟树脂车削膜与体积分数为9.0‑70.0%的含聚四氟乙烯的玻纤布浸渍片、体积分数为10.0‑56.5%全氟树脂车削膜按上下对称层叠成介质层；在介质层上下表面覆盖铜箔；采用温度为360‑390℃、压强3‑13MPa、热压时间2‑5h的烧结过程，使全氟树脂车削膜发生熔融粘接并最终定形，制备出介电常数为2.14‑2.74的复合介质板。该板具有介电常数低、介质损耗小、热膨胀系数较低的特点，可耐受酸碱腐蚀、冷热冲击等极端环境条件，广泛应用于通信等相关领域。
车削全氟树脂体积分数低介电常数复合介质板介电常数介质层定形浸渍压强二氧化硅陶瓷极端环境条件聚四氟乙烯热膨胀系数幅面介质损耗冷热冲击熔融粘接上下表面上下对称烧结过程酸碱腐蚀玻纤布膜制备耐受热压铜箔制备覆盖通信应用

[发明专利]一种采用极端顶点法针对均质低介微波基板配方设计方法-CN201911060788.4在审
发明人：金霞;李攀;郭晓光;张海涛;王丽婧;韩伏龙;贾倩倩;张立欣;鲁思如 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： C04B26/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用极端顶点法针对均质低介微波基板配方设计方法。根据基板的介电性能指标要求，确定基板的组成成分；采用极端顶点设计法对玻璃纤维、无机填料、聚四氟乙烯乳液三种组分进行优化；进行单因子实验优化添加剂的用量，最后利用等值线图和曲面图，使用响应变量优化器，得到实验区域内全部添加剂比例的拟合值。本方法解决了材料的配方设计，将连续型变量的实验次数减少至10次以内，实验成本可减少80%以上；通过使用响应曲面分析法，获得包含全部显著项在内的最佳参数组合，满足顾客提出的多种性能指标的需求；通过配方优化及加工过程控制，获得介电性能一致性良好的均质低介微波复合介质基板，为均质材料的连续生产奠定基础。
介电性能配方设计低介基板均质聚四氟乙烯乳液复合介质基板单因子实验连续型变量优化添加剂变量优化玻璃纤维次数减少等值线图均质材料配方优化曲面分析实验成本实验区域微波基板无机填料指标要求最佳参数顶点法曲面图响应拟合添加剂微波顾客优化

[发明专利]一种锗单晶单面抛光片的清洗工艺-CN201911061679.4在审
发明人：冯奎;王云彪;武永超;张贺强;陈亚楠;龚一夫;吕菲 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种锗单晶单面抛光片的清洗工艺，锗单晶单面抛光片采用背面贴UV膜粗抛，后揭掉晶片背面的UV膜，然后两次浸泡浓硫酸去除锗单晶单面抛光片边缘的残胶沾污，再进行精抛，精抛后采用氢氧化钾溶液清洗，最后采用SC‑1液清洗的方式，有效的去除了锗单晶单面抛光片的表面沾污，达到了免清洗开盒即用的表面要求，极大提高了锗单晶单面抛光片的表面质量，为后续锗单晶单面抛光片外延层质量的提高奠定了良好的基础。本发明操作简单、易于实现，降低了锗单晶单面抛光片的清洗难度，易于实现批量化生产。
抛光片锗单晶清洗精抛氢氧化钾溶液表面要求表面沾污清洗工艺免清洗浓硫酸批量化外延层残胶粗抛晶片开盒去除沾污背面浸泡生产

[发明专利]一种制备有源光纤的离子溶液掺杂方法及其装置-CN201911127980.0在审
发明人：潘蓉;庞璐;王标;衣永青;沈一泽;武洋 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备有源光纤的离子溶液掺杂方法及其装置。将一根内壁沉积有疏松层的石英反应管以竖直的方式固定在装置上，并通过本装置上下往复运动，向石英反应管内多次喷洒离子溶液。本装置采用硬质空心塑料管作为溶液的注入通道，空心塑料管的一端连接溶液储存器，另一端连接喷洒器，本方法采用角度可调、可往复移动式喷洒注入方式对有源光纤进行离子溶液掺杂，由于喷洒器进入反应管中喷洒，反应管各点接触的溶液浓度一样，解决了传统方法出现浸泡预制棒时离子溶液浓度不均的问题，进一步提高了光纤的合格率，由此降低了光纤损耗，提高了光纤激光器的光束质量。
离子溶液喷洒空心塑料管石英反应管一端连接反应管喷洒器源光纤掺杂上下往复运动光纤激光器溶液储存器往复移动式光纤损耗角度可调浓度不均注入通道点接触疏松层预制棒内壁竖直硬质沉积制备浸泡合格率光纤

[发明专利]一种大尺寸硅单晶落地用隔振缓冲设备及实现方法-CN201911060758.3在审
发明人：李明智;韩焕鹏;张颖武;莫宇;李明佳;张伟才 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： F16F13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种大尺寸硅单晶落地用隔振缓冲设备及实现方法，设备包括上壳体、柔性受力弹簧、外壳体、振动传递杆下弹簧、隔振器、弹性件、缓冲器，其中隔振器包括振动接收杆、扭转弹簧、振动传递杆、振动传出杆，缓冲器由线圈和磁铁、大力振动传递杆组成，利用缓冲器的磁铁切割磁感线运动起到阻尼缓冲的作用减振，利用隔振器的扭转弹簧和振动传递杆下弹簧作用起到对于轻微振动的高敏感度，响应速度快的阻振效果，效果是，首次采用磁铁‑线圈的增大系统阻尼量的方法，从而到达快速削弱大幅振动，减小晶棒因振动受损的潜在隐患；当振幅变小或者振源频率变低时，隔振器不仅保护内部的结构，还提高隔振的性能。
振动传递杆隔振器缓冲器磁铁扭转弹簧下弹簧切割磁感线运动高敏感度隔振缓冲轻微振动受力弹簧系统阻尼阻尼缓冲弹性件硅单晶接收杆上壳体外壳体变小隔振减小减振晶棒振源落地受损削弱响应

[发明专利]一种基于中等介电常数车削膜制备复合介质板的工艺-CN201911061682.6在审
发明人：庞子博;高枢健;张伟;李强;王丽婧 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： B32B15/085 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于中等介电常数车削膜制备复合介质板的工艺。该工艺为：将幅面尺寸相同的、体积分数为64.5‑80.0%的中等介电常数含陶瓷粉的聚四氟乙烯树脂车削膜与体积分数为20.0‑35.5%的含聚四氟乙烯的玻纤布浸渍片按上下对称结构层叠排布成多层介质层；在多层介质层上下表面各覆盖一张铜箔；采用温度为370‑390℃、压强6‑16MPa、热压时间2‑4h的热压烧结过程，使聚四氟乙烯树脂发生熔融粘接并最终定形，制备出介电常数为2.75‑3.65的复合介质板。该板具有介电常数适中、介质损耗小、热膨胀系数较低等特点，可耐受酸碱腐蚀和冷热冲击等极端环境条件，可广泛应用于通信等相关领域。
介电常数聚四氟乙烯树脂多层介质层复合介质板体积分数车削定形浸渍压强极端环境条件上下对称结构聚四氟乙烯热膨胀系数幅面层叠排布介质损耗冷热冲击热压烧结熔融粘接上下表面酸碱腐蚀玻纤布膜制备陶瓷粉耐受热压铜箔制备覆盖通信应用

[发明专利]一种锗单晶片用去离子水的冷却装置及冷却方法-CN201911061666.7在审
发明人：刘玉玲;王云彪;冯奎;武永超;吕菲;张贺强;杨玉梅;郭建同 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： F25D3/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种锗单晶片用去离子水的冷却装置及冷却方法，在有保温层的容器中靠近内壁的位置，数根冷却管和数根去离子水管互相交错螺旋筒状盘旋在一起，并数根冷却管和数根去离子水管的出口端和入口端分别穿过容器壁引到容器外，分别与冷却水系统、去离子水系统相连，有保温层的容器内放置液态冷却介质及冰块调节冷却管内恒温水水温；盘旋在冷却管（3）上的去离子水管内的去离子水通过热交换降温达到锗单晶片用去离子水温度，输出。在温度为18‑25℃的去离子水系统基础上加以改造，在用水点附近加上冷却系统，效果是满足了一种锗单晶抛光片的抛光和清洗工序对去离子水的苛刻要求，且不污染去离子水，成本低、简单易行，降低生产成本，提高产能。
去离子水冷却管离子水管锗单晶片保温层盘旋热交换液态冷却介质冷却水系统互相交错苛刻要求冷却系统冷却装置螺旋筒状清洗工序系统基础出口端恒温水抛光片容器壁入口端用水点锗单晶冰块抛光产能内壁冷却穿过输出污染改造

[发明专利]高热稳定、高尺寸稳定微波复合介质基板及制备方法-CN201911060787.X在审
发明人：王丽婧;金霞;武聪;贾倩倩;李强;张立欣;韩伏龙;高枢建 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： C04B35/82 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高热稳定、高尺寸稳定微波复合介质基板及制备工艺，各种原材料的质量分数配比为:40‑80 wt%的无机填料粉末、1‑10 wt%的石英纤维、10‑55 wt%的含氟树脂聚合物体系；制备方法：过筛石英纤维；改性处理石英纤维；改性处理无机填料粉末；石英纤维用表面活性剂溶液分散，处理后的原料混合搅拌、絮凝、沉降、过滤、烘干、等静压成型、双面覆铜箔、烧结、热处理。产品性能优良，制备工艺简单，环境友好，原料来源方便，有利于实现工业化生产。
石英纤维无机填料粉末改性处理制备工艺表面活性剂溶液复合介质基板质量分数配比等静压成型聚合物体系双面覆铜箔热处理产品性能尺寸稳定高热稳定含氟树脂环境友好原料混合烧结沉降烘干过筛絮凝制备过滤微波