“中国电子科技集团公司第四十六研究所”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果433个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种石英管自动熔接装置及方法-CN202011426083.2在审
发明人：兰天平;周春锋;边义午 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： C03B23/207 文献下载
摘要：本发明公开了一种石英管自动熔接装置及方法，该装置包括操作台、控制面板、载物台旋转装置、氢氧焊枪移动装置、氢氧焊枪、氢氧焊枪调节装置和氢氧气阀门；将装有多晶料及其它辅料的石英管置于载物台上；将石英帽置于石英管上端口并对齐；调整石英管同心度；根据所要熔接石英管的直径调节氢氧焊枪的位置；点火调节氢氧焊枪火焰大小，对石英管与石英帽接缝进行烧结，完成二者的熔接。本发明具有以下优势：每个氢氧焊枪火焰独立控制，避免单枪回火造成熔接失败的风险；熔接过程操作简单，效率高，三把焊枪同时烧结，结合旋转使得石英管受热更均匀，熔接质量较人工操作好，消除了人工操作易产生应力裂管问题，而且能够很好地确保操作人员的人身安全。
一种石英管自动熔接装置方法

[发明专利]一种低翘曲覆铜板的制备方法-CN202011289200.5在审
发明人：高枢健;李宝珠;张伟;冯春明;贾倩倩;庞子博;韩伏龙;乔韵豪;魏西 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： B32B37/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种低翘曲覆铜板的制备方法，覆铜板的半固化片层经过两段不同的烘干工艺处理;其中第一段烘干过程在立式上胶机上完成，半固化片层在第一段烘干过程中，张力设定为50‑120N，烘道温度为160‑220℃，车速0.5‑5m/min，烘干时间5‑25min；第二段烘干过程是将收卷后的半固化片层放置在烘箱中单独完成，烘箱温度为280‑350℃，烘干时间为4‑6h。采用经过处理后的半固化片制得的覆铜板能够有效改善板材翘曲、损耗偏大等问题，提高了覆铜板的尺寸稳定性，降低了板材损耗。使得最终印制线路板达到预期的电气、机械加工等可靠性要求。
一种低翘曲覆铜板制备方法

[发明专利]一种高上胶量的聚四氟乙烯玻璃纤维覆铜板的制备工艺-CN202011289231.0在审
发明人：张伟;李强;张立欣;王丽婧;赖占平;庞子博;张海涛;贾倩倩;刘政德 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： B32B37/06 文献下载
摘要：本发明公开一种高上胶量的聚四氟乙烯玻璃纤维覆铜板的制备工艺，该方法包括以下步骤：将聚四氟乙烯乳液、无机填料、增稠剂和消泡剂混合均匀，配制得到聚四氟乙烯分散液；玻璃纤维布通过浸渍烘烤干燥得到聚四氟乙烯玻璃纤维浸渍片；将浸渍片叠层后，两面覆上铜箔进行层压，制得聚四氟乙烯玻璃纤维覆铜板。本发明采用具有不同表面粗糙度的高精度计量辊，获得了上胶量可调的玻璃纤维浸渍片，克服了传统工艺需反复多次浸渍，以调节浸渍片上胶量的缺点，制得的覆铜板介电常数可在2.55~3.55之间调节，且具有较低的介质损耗和热膨胀系数、尺寸稳定性好，该制备工艺过程简单，易于操作，适合工业化批量生产。
一种高上胶量聚四氟乙烯玻璃纤维铜板制备工艺

[发明专利]一种毫米量级硫化钨单晶的生长方法-CN202011269161.2在审
发明人：兰飞飞;张嵩;王再恩;董增印;王健;李强;程红娟;李佳起;杨丹丹 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种毫米量级硫化钨单晶的生长方法,采用半封闭方式，在生长开始前引入极少量的NaCl颗粒，采用的NaCl颗粒能够在相对较低的温度下（约800℃）形成含有W的化合物，进而能够在CVD生长温度下有效的提升WS2生长过程中W源的过饱和度，进而实现单晶尺寸的扩大。通过采用这种方法能够将WS2单晶尺寸扩大至1.5mm，而常规生长方法获得的WS2单晶尺寸通常仅为数十微米。显著提高成核过程中钨源的过饱和度，使得成核生长过程中衬底表面钨源供应充足，保证生长的顺利进行，能够显著增大硫化钨单晶的晶畴尺寸，利于毫米量级硫化钨单晶的生长。
一种毫米量级硫化钨单晶生长方法

[发明专利]一种测定焊接用超细锡合金粉尺寸分布和形状的方法-CN202011425990.5在审
发明人：姚康;史留学;刘立娜 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： G01N15/02 文献下载
摘要：一种测定焊接用超细锡合金粉尺寸分布和形状的方法。利用分辨率较高的SEM，在其背散射模式下将清洗好的锡合金粉进行形貌表征，SEM常用制备样品的导电胶主要成分是C，锡合金粉以Sn元素为主，两者原子序数相差较大，在背散射模式下，锡合金粉金属元素相比较C元素产生更多的背散射电子信号，因此可以拍摄出单分散的衬度明显且轮廓清晰的合金粉末形貌照片。照片经图像处理软件二值化后准确测量焊料粉末的尺寸、长轴和短轴，导出足够的数据进行分析、判定产品是否合格。通过这种方法很容易精确测量出超过1000个锡合金粉颗粒的粒径、长轴和短轴，测定的锡合金粉颗粒的数目具有统计学意义，可精确测定焊接用超细锡合金粉尺寸分布和形状。
一种测定焊接用超细锡合金粉尺寸分布形状方法

[发明专利]一种包含聚四氟乙烯树脂的原料及混合工艺-CN202011289217.0在审
发明人：韩伏龙;李宝珠;武聪;张立欣;冯春明;乔韵豪;刘正;李攀;靳绍贤 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： C04B26/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含聚四氟乙烯树脂的原料及混合工艺，由以下质量百分比的原料组成：无机填料：40‑75wt%；玻璃纤维：1‑5wt%；聚四氟乙烯乳液：22‑58wt%；硅烷偶联剂：0.5‑1.5wt%；表面活性剂：0.1‑0.4wt%；絮凝剂：0.02‑0.08wt%。本发明制备的微波复合介质基板具有极高的介电常数均匀性，原料组份偏差小于0.4%。本发明原料混合工艺方法便捷，使复合原料与水分离，显著提高生产效率，单次原料混合量可达100kg以上，易于工业生产。
一种包含聚四氟乙烯树脂料及混合工艺

[发明专利]聚四氟乙烯复合材料压延用两辊压延机收放卷机构-CN202011286967.2在审
发明人：张海涛;李强;金霞;张立欣;王丽婧;武聪;韩桂云;贾倩倩;朱恩毅 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： B65H20/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚四氟乙烯复合材料压延用收放卷机构，将成卷原料通过在同一平面的放卷轴经过第一放卷过辊、放卷纠偏装置、第二放卷过辊、放卷牵引装置、进入压延机内；经过两辊压延机压延后经过收卷引装置、第一收卷过辊、修边装置、收卷纠偏装置、第二收卷过辊、收卷轴进行收卷。技术效果是通过收放卷两侧张力控制及两辊压延机进出料端高度水平，使压延机两侧原料水平进出，通过牵引装置最下层辊筒配有弹簧装置，解决了原料在两辊压延机进出料端堆积问题，达到最终压延效果。使生产出的卷材厚度均一性好，无褶皱。
聚四氟乙烯复合材料压延用两辊压延机收放卷机构

[发明专利]一种高导热和高热稳定微波复合介质基板及其制备方法-CN202011289214.7在审
发明人：王丽婧;李强;武聪;张立欣;金霞;乔韵豪;冯贝贝;张海涛;韩桂云 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： C04B26/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高导热和高热稳定微波复合介质基板以及制备方法。高导热和高热稳定微波复合介质基板由以下原材料制成：30‑80 wt%的无机填料；1‑10 wt%的玻璃纤维；10‑70 wt%的含氟树脂聚合物体系；0.1‑2.0 wt%的偶联剂；0.1‑5.0 wt%的酯类表面活性剂。本发明的制备工艺简单，环境友好，原料来源方便，有利于实现工业化生产。采用本发明制备的复合介质基板的介电常数为2.5‑6.5，介电常数温度系数在‑10 ppm/℃至10 ppm/℃之间，热膨胀系数小于24 ppm/℃，热导率1.2W/m•k。广泛应用于通讯、雷达、卫星、高铁、飞机以及高尖端武器装备等高科技领域。
一种导热高热稳定微波复合介质及其制备方法

[发明专利]一种磷化铟晶片加工方法-CN201910650836.9有效
发明人：索开南;杨洪星;韩焕鹏;张伟才;庞炳远;徐聪;王雄龙;杨静;陈晨 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷化铟晶片加工方法。该方法工艺流程：1、将生长的原始单晶根据直径和单晶情况进行头尾切断；2、将头尾切断后的晶锭在方向制作小参考面；3、将制作好小参考面的晶锭进行粘棒并定向切割；4、对切割后形状不规则的晶片按照最小直径进行直径分档；5、对分档后的晶片按照国标规定的标准尺寸进行激光割圆；6、对激光割圆后的晶片进行边缘倒角；7、对晶片进行后续加工。采用该方法进行直径不均匀的InP单晶晶片加工，可以有效降低加工损耗，挽救问题单晶片，提高有效出片面积，对于LEC法拉制的InP单晶，采用该方法加工每棵晶锭的有效出片面积能够提高20%以上，特殊情况能达到50%甚至更高。
一种磷化晶片加工方法

[发明专利]一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法-CN201911061684.5有效
发明人：周春锋;兰天平;边义午;宋禹;王东兴 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法，采用HGF法合成砷化镓多晶，去除尾部杂质富集多晶，剩余多晶王水处理清洗干净，砷化镓籽晶、砷化镓多晶、碳粉、氧化硼和少量黑砷装入PBN坩埚中，再装入石英管内抽真空焊接密封，装入多温区VGF单晶炉中，采用VGF/VB生长半绝缘砷化镓单晶，采用开管惰性气体保护单晶热处理，经头尾片测试证明生长出半绝缘砷化镓单晶性能达标。然后滚圆、多线切割、倒角、粗抛光，在氧气气氛和不饱和砷蒸汽保护条件下，对抛光片热处理，再经精细抛光、清洗、封装。技术效果是开发出砷化镓抛光片制备流程，同时结合新的晶片退火的技术，降低半绝缘砷化镓抛光片表面在强光灯下目检的亮、暗点缺陷。
一种低亮暗点英寸绝缘砷化镓抛光制备方法

[实用新型]一种磷锗锌多晶加压合成装置-CN202020976130.X有效
发明人：李佳起;张嵩;程红娟 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种磷锗锌多晶加压合成装置，装置包括：主体炉体与安瓿，主体炉体包括内部炉体、外层加热装置、气压控制装置、冷却装置、密封法兰Ⅰ和密封法兰Ⅱ；内部炉体内沿轴向分成九个温区，冷却装置和外层加热装置环绕包裹在内部炉体的外围，设置在内部炉体各温区的对应位置，气压控制装置设置在内部炉体的两端；安瓿包括保护容器、合成容器、坩埚，安瓿以限制隔片为支撑放置在内部炉体内；使用该装置合成磷锗锌多晶，减少合成过程石英安瓿内外压差，消除了磷饱和蒸气压失控带来的爆炸的危险，可以单次进行大批量合成；安瓿保护容器可以限制合成容器的位置，限制隔片亦能起到支撑架的作用，能够根据不同安瓿大小、温区位置进行自由调整。
一种磷锗锌多晶加压合成装置

[发明专利]用于区熔法制备单晶硅的加热线圈-CN202011426075.8在审
发明人：李聪;庞炳远;杨洪星;张伟才;郑万超;杨静;索开南;陈晨;王雄龙 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C30B13/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于区熔法制备单晶硅的加热线圈，包括线圈主体和线圈冷却水管，线圈冷却水管嵌入线圈主体内，线圈主体为平板单匝结构，线圈主体的上表面设有向线圈内部凹陷的台阶Ⅰ，在台阶Ⅰ底部与线圈主体内圆上边缘之间设置上斜面；在线圈主体下表面设置向线圈内部凹陷的台阶Ⅱ；在台阶Ⅱ底部与线圈主体内圆下边缘之间设置上斜面；在线圈主体内圆下表面处，设置一圈圆弧凸起；在线圈主体内圆处开有四个贯通上下表面的十字狭缝，在线圈主体外圆沿狭缝Ⅰ方向的一侧设置连接电极的法兰，在法兰与狭缝Ⅰ间设置一条主缝，主缝宽度逐渐减小延伸至法兰处。本发明可以使熔区热场均匀、熔区温度梯度小、成晶率高。
用于法制单晶硅加热线圈

[发明专利]一种化学气相沉积法玻璃车床料柜及使用方法-CN202011426096.X在审
发明人：冯硕春;刘庆;雷朝;郭建同;李亚帅;袁强 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：本发明一种化学气相沉积法玻璃车床料柜及使用方法，包括料柜框以及设置在料柜框内的四氯化硅料瓶系统和各种气体管道系统，还包括快速排气阀、加热盘、风扇、固定架、柜温热电偶、管温热电偶、环状加热带、温控表、气体探测器。采用夹层填充保温棉结构，具有优良的保温隔热效果，柜内设有恒温温控装置，可使柜内空气、各进料管路温度和料瓶温度保持恒定。内柜体还设有危险气体报警系统，增加了内柜体安全性。
一种化学沉积玻璃车床使用方法

[发明专利]一种液态金衬底表面二硫化钨单晶生长方法-CN202011428845.2在审
发明人：兰飞飞;张嵩;董增印;王再恩;王健;李佳起;杨丹丹;张颖;李强 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种液态金衬底表面二硫化钨单晶生长方法。步骤是：三氧化钨粉末置于石英舟中，将金衬底置于蓝宝石衬底表面，再置于石英凹槽中，将石英管放入系统抽真空，对系统进行升温，达到生长温度后对硫粉进行加热，向系统内通入硫蒸汽，开始进行WS2单晶的生长。以三氧化钨作为原料，利用硫蒸气在高温下对三氧化钨的硫化进行硫化钨的生长，生长过程中采用金箔作为衬底，将金衬底加热至1050℃，金衬底的熔点1040℃，在金熔点附近，金箔表面熔化呈液体状，在此状态下多晶金表面的晶界消失，衬底表面状态高度一致，WS2在此衬底上进行生长时，不同成核点处的晶向能够保持一致，最终这些晶向一致的WS2单晶合并生长获得大尺寸的单晶。
一种液态衬底表面硫化钨单晶生长方法

[发明专利]一种芯径45微米以上可弯曲全固态单偏振光子带隙光纤-CN202011505525.2在审
发明人：张慧嘉;庞璐;郭娜;韩志辉;王东波;潘蓉 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯径45微米以上可弯曲全固态单偏振光子带隙光纤，这种光纤的结构包括由内到外依次纤芯区域、高折射率棒区、应力硼棒阵列区和光纤包层基底区，高折射率棒区设置沿光纤轴向分布且贯穿整根光纤的高折射棒，应力硼棒阵列区内设置沿光纤轴向分布且贯穿整根光纤的掺硼石英棒使有源微结构光纤出射的光为单偏振光，最内层为有源掺杂，如掺镱、掺铒、掺铥、掺钕或无源纤芯，基底区为石英、塑料、软玻璃如硫系玻璃、亚蹄酸盐玻璃、氟化物玻璃等。本发明的技术效果是，在纤芯直径大于45微米的情况下，同时实现单模传输和低弯曲损耗，且能实现单偏振性质，解决了单偏振光纤在高功率下的非线性效应问题。
一种 45 微米以上弯曲固态偏振光子光纤