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[发明专利]一种锑化镓晶体生长除杂装置-CN201610615297.1有效
发明人：郭文斌;徐永宽;张颖武;李璐杰;司华青;霍晓青;董彦辉;练小正;于凯 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种锑化镓晶体生长除杂装置。该除杂装置包括除杂连接件和除杂坩埚两部分，并通过除杂连接件与由籽晶拉线、籽晶杆和籽晶构成的Cz单晶炉籽晶装置连接；除杂连接件和除杂坩埚均设为圆柱形，除杂连接件的上端设有与籽晶杆连接的中心孔，该中心孔内径大于籽晶杆拉线外径且小于籽晶杆外径，除杂连接件通过该中心孔挂在籽晶杆上；除杂连接件的下端与除杂坩埚的上端焊接；除杂坩埚外径小于生长坩埚内径3‑5mm，除杂坩埚底部设为网状，以去除杂质，保留纯净的熔体。采用本装置可去除LEC法生长GaSb单晶过程中的杂质，消除杂质对成晶的影响，提高成晶率及晶体质量。
一种锑化镓晶体生长装置

[实用新型]用于异形晶片的承载装置-CN201820027514.X有效
发明人：杨丹丹;张弛;徐世海;徐永宽;张颖;孙雪莲 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2018-01-08 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于异形晶片的承载装置，包括连接杆、侧板、提栏和支杆，两根连接杆连接固定两块侧板，一根连接杆连接固定提栏的上端，提栏的下端分别固定在侧板上；侧板上设有用于调节两根支杆间距，承载不同尺寸晶片的侧板轨道，支杆两端固定在侧板轨道上；侧板上还设有用于精确控制晶片腐蚀区域的侧板垂直刻度以及用于精确调整支杆间距的侧板水平刻度，两根支杆上分别刻有若干个用于承载待腐蚀晶片的凹槽。采用本承载装置可以灵活调整，适应不同尺寸的非标产品摆放，带有刻度可精确控制样品摆放位置及对样品腐蚀区域的控制。可以实现多片统一处理，提高工作效率、操作规范性、降低操作风险、减少样品破坏面积。
侧板支杆承载装置杆连接根连接晶片异形承载本实用新型尺寸晶片垂直刻度调整支杆非标产品腐蚀晶片腐蚀区域工作效率控制晶片两端固定灵活调整水平刻度统一处理样品摆放样品腐蚀连接杆上端多片轨道块侧下端摆放

[发明专利]一种大尺寸GaSb单晶的快速生长方法-CN201810332572.8在审
发明人：李璐杰;徐永宽;程红娟;张颖武;练小正;于凯;霍晓青 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸GaSb单晶的快速生长方法。本方法选用直径大于或等于所要制备的GaSb晶锭尺寸的GaAs晶锭制作籽晶；该籽晶结构包括细颈部分以及直径不小于所要制备的GaSb晶锭直径的宽颈部分；将细颈部位固定于籽晶固定支架上，并连接于提拉装置上；宽颈部位在GaSb晶体生长过程中用于引晶；在GaSb晶体生长过程中，宽颈部位的1‑2cm部分进入GaSb熔体完成引晶过程。采用本方法可在GaSb单晶生长过程中免除晶体放肩过程，可提高大尺寸GaSb单晶的制备效率和成晶率。该工艺中GaAs籽晶可反复多次使用，对单晶生长设备无特殊要求。
单晶晶锭宽颈籽晶制备晶体生长过程快速生长引晶单晶生长过程单晶生长设备多次使用固定支架提拉装置细颈部位籽晶结构放肩熔体细颈制作

[发明专利]一种铌酸锂基片的黑化方法-CN201810171421.9在审
发明人：王雄龙;杨洪星;范红娜;杨静;韩焕鹏;陈晨;赵权;高丹 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂基片的黑化方法。本方法采用的还原试剂由铁粉和碳酸锂粉末混合而成，铌酸锂基片的黑化步骤为：1、在方形刚玉坩埚中放入铁粉和碳酸锂混合物；2、将铌酸锂基片平放埋入混合物中；3、将方形刚玉坩埚放入热处理炉中，在氩气氛围中处理；4、待温度降低到接近室温后放入稀盐酸溶液浸泡，之后冲洗、甩干。本方法反应时间短，铌酸锂基片的黑化过程耗时少，适合于大规模生产；采用方形刚玉坩埚耐高温，耐酸碱，可以长时间使用，且方形坩埚取放晶片较为容易，方形坩埚放置在热处理炉炉管中较为平稳，不易歪斜；本方法操作简便易行，安全可靠。通过调整混合物比例、反应时间和反应温度等条件可得到不同黑化程度的铌酸锂基片。
铌酸锂基片黑化刚玉坩埚混合物方形坩埚热处理炉放入铁粉反应时间短碳酸锂粉末稀盐酸溶液还原试剂温度降低氩气氛围歪斜耐高温耐酸碱碳酸锂晶片炉管埋入平放取放甩干冲洗浸泡耗时

[发明专利]一种变R值晶片边缘倒角方法-CN201610618414.X有效
发明人：杨洪星;刘玉岭;范红娜;韩焕鹏;何远东;陈晨;陶术鹤;赵权;杨静 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： B24B9/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种变R值晶片边缘倒角方法，步骤为首先进行砂轮设计，针对半导体晶片的厚度设计一个具有三种R值的砂轮，其余槽可以根据需要进行设计；其次将砂轮安装到全自动倒角机上；再次进行边缘初步成型是使用半径为R1的槽对晶片进行倒角；再次进行边缘二次成型是使用半径为R2、半角角度为θ的槽对晶片进行倒角；最后进行边缘最终成型是使用半径为R3、半角角度为θ的槽对晶片进行倒角,技术效果是有效降低硅片边缘损伤层深度，实现晶片近表面区域缓慢变化，有利于晶片边缘质量控制。
一种晶片边缘倒角方法

[发明专利]一种6英寸直拉重掺硅单晶无位错生长工艺及其热场系统-CN201610939973.0有效
发明人：莫宇;李春龙;韩焕鹏;张睿;吕菲 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种6英寸直拉重掺硅单晶无位错生长工艺及其热场系统。即熔晶中稳定时间为50‑60分钟，平均温度变化控制在0.3‑0.8℃；引晶中控制细颈直径为3.5‑4mm，细颈长度为150‑200mm，平均引晶速率为250‑350mm/h；放肩中提拉速率设为38mm/h，放肩的降温曲线通过放肩阶段晶体的直径大小进行控制；等径中额外增加补温。由此成功在14英寸热场下生长出了无漩涡无位错6吋重掺硅单晶，氧碳测试结果达到国标，其应用成本低，符合单晶生产要求。本工艺使用新设计的三段式导流筒结构的热场，设计炉底为双层结构，增强了单晶炉的保温性，有助于拉制大尺寸单晶，有效防止拉制重掺单晶过程组分过冷的发生。
一种英寸直拉重掺硅单晶无位错生长工艺及其系统

[发明专利]一种用于氧化镓晶体的防解理加工方法-CN201611124171.0有效
发明人：李晖;高飞;徐世海;练小正;徐永宽;王磊;张弛;王添依;张海磊 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： B24B7/04 文献下载
摘要：本发明设计了一种用于氧化镓晶体的防解理加工方法，将一片2英寸氧化镓切割单晶片粘贴在陶瓷盘中心上，使用2000#树脂金刚石砂轮，打开冷却液，冷却液体积配比是纯水：双氧水，启动金刚石砂轮转速，再启动工件转速，当工件到达结束位置时，保持空转60s，对表面进行磨削修复；再使用10000#树脂氧化铈金刚石砂轮，打开冷却液，冷却液液体积配比是纯水：双氧水，启动金刚石砂轮转速，再启动工件转速，当工件到达结束位置时，保持空转60s，工艺结束后将陶瓷盘取下来，进行清洗。在保证加工效率的前提下，解决了加工过程中晶体解理的问题，防止了晶体在加工过程中发生开裂，大大提高了晶片表面质量。
一种用于氧化晶体解理加工方法

[发明专利]一种单偏振非周期性大节距单模有源微结构光纤-CN201810420522.5在审
发明人：张慧嘉;衣永青;潘蓉;庞璐;王标;武洋;耿鹏程;王东波 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： G02B6/024 文献下载
摘要：本发明公开了一种单偏振非周期性大节距单模有源微结构光纤，该光纤包括有源纤芯区、内包层空气孔区、应力硼棒阵列区、外包层空气孔区和外包层基底区，内、外包层空气孔区内设置沿光纤轴向分布且贯穿整根光纤的若干空气孔，应力硼棒阵列区内设置沿光纤轴向分布且贯穿整根光纤的掺硼石英棒，使有源微结构光纤出射的光为单偏振光。经过有源微结构光纤中微结构包层和应力硼棒区的优化设计，可使在激光热量导致了光纤截面折射率发生变化的情况下，单模和高阶模仍然可以得到较好的模式分离，且仍然保持单偏振光。在高功率运转的情况下，可保证较好的光束质量和单偏振的状态，为稳定的高能量高功率激光运转奠定了基础。
微结构光纤空气孔应力硼棒单偏振外包层单模光纤单偏振光非周期性光纤轴向大节距高功率激光微结构包层光纤截面激光热量优化设计运转高功率高阶模高能量基底区内包层石英棒纤芯区折射率阵列区贯穿掺硼出射保证

[发明专利]一种非周期性大节距单模有源微结构光纤-CN201810422097.3在审
发明人：张慧嘉;庞璐;潘蓉;衣永青;王标;武洋;耿鹏程;刘笑东 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： G02B6/024 文献下载
摘要：本发明公开了一种非周期性大节距单模有源微结构光纤，该光纤由内到外依次包括有源纤芯区、内包层空气孔区、外包层空气孔区和外包层基底区，内包层空气孔区和外包层空气孔区内设置沿光纤轴向分布且贯穿整根光纤的若干空气孔，若干空气孔以纤芯轴心为中心，环绕于有源纤芯区周围。本发明提出的非周期性大节距单模有源微结构光纤经过微结构包层的优化设计，在激光热量导致了光纤截面折射率发生变化的情况下，单模和高阶模仍然可以得到较好的模式分离，在高功率运转的情况下，可保证较好的光束质量，为稳定的高能量高功率激光运转奠定了基础。
空气孔单模微结构光纤非周期性大节距外包层内包层纤芯区光纤高功率激光微结构包层光纤截面光纤轴向激光热量优化设计高功率高阶模高能量基底区折射率运转纤芯环绕贯穿保证

[实用新型]一种常温带状线法介电性能测试仪用施压夹具-CN201721712594.4有效
发明人：刘兆枫;杨东海;洪颖;董彦辉;张庚;孙雪莲;何煊坤;许蓉;刘立娜 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： G01N3/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种常温带状线法介电性能测试仪用施压夹具，包括施力杆、施力杆连接器、弓形架、上滑块、卡扣、下滑块、压力传感器，采用弓形架，使弓形架上的施力杆连接器、上滑块、传感器孔及传感器在一条中心线上，其中压力传感器用于压力测试，将测试样品放置于上滑块、下滑块之间，使测试样品中心与压力传感器同轴，即可进行测试。技术效果是，整体结构紧凑，同时压力测试更准确，经计量表明，测试压力准确性优于±0.5%。
压力传感器弓形架上滑块施力杆连接器夹具带状线法介电性能压力测试测试仪下滑块施压测试样品放置本实用新型测试压力测试样品传感器孔技术效果传感器卡扣同轴紧凑计量测试

[发明专利]一种易着色的3D打印用聚乳酸材料及其染色工艺-CN201610722281.0有效
发明人：王奕;褚连青;李健;毛新齐;李继爽;魏利洁 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： C08L67/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种易着色的3D打印用聚乳酸材料及其染色工艺，各种原材料的质量百分数配比为，右旋聚乳酸PDLA：26‑30%，左旋聚乳酸PLLA：74‑70%。合成工艺为，1）、按规定的比例将右旋聚乳酸和左旋聚乳酸在加热釜内加热至220℃，并搅拌使其均匀混合，保温60min；2）、用塑化挤出机挤出线材或颗粒，塑化挤出机加热圈的温度控制在205±5℃。技术效果是，在确保其环保无毒的环境友好性的同时，提高了材料的上染率，经3D 打印得到的模型具有更丰富的色彩和明亮的光泽，能更好的满足3D打印技术的实际需求。
打印聚乳酸材料塑化挤出机左旋聚乳酸染色工艺聚乳酸右旋着色环境友好性质量百分数合成工艺技术效果实际需求加热釜加热圈配比为线材上染加热保温无毒挤出明亮环保

[发明专利]一种用于具有极性的异形晶片的极性面判定方法-CN201810016122.8在审
发明人：杨丹丹;程红娟;张弛;徐永宽;李晖;张颖武;窦瑛;徐世海 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2018-01-08 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于具有极性的异形晶片的极性面判定方法。将若干晶片垂直摆放在承载装置上，放置在容器内腐蚀，腐蚀后观察晶片被腐蚀区域的形貌进行极性面判定，最后进行定位边切割，以定位边的切割位置作为判定极性面的标识；定位边切割采用去除尖角的方式，被切割掉的尖角形状为三角形，当被判定晶片形状为中心对称图形，则a边和b边的边长满足a≠b，以不同长度来辅助定义异形晶片的极性面。采用本发明能够在最少程度破坏样品的条件下，安全的判定晶片的极性面并匹配标识，发明的定位边标识方式，制作简便，容易识别，可供使用者直接判断，避免重复腐蚀，提高工作效率、降低操作风险、减少样品破坏面积及频次。
晶片极性面判定定位边异形切割腐蚀中心对称图形形貌标识方式承载装置腐蚀区域工作效率尖角形状晶片形状匹配标识切割位置边长尖角去除垂直重复观察制作安全

[发明专利]一种采用电火花切割技术快速切割CdS单晶体的方法-CN201611124203.7有效
发明人：高飞;李晖;张弛;徐世海;王磊;王添依;张海磊;张颖武;司华青 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明设计一种用于CdS单晶体的切割方法，属于半导体材料的加工领域。步骤如下，用平面磨床将CdS晶锭的生长面磨平；用X射线衍射仪对磨平的端面进行定向；对CdS晶锭进行滚圆，然后进行主参考面和副参考面制作；用真空吸附台将CdS晶锭吸附住，晶锭的主参考面朝下；调整电火花切割机切割参数，对晶锭进行切割；切割完成后，依次采用煤油浸泡、热酒精对切割后的晶片进行冲洗，然后将卡具放在温度为80℃的热水中，使胶软化，将晶片取下，进行下一步操作。采用非接触式的电火花切割技术对n型CdS晶锭进行切割，可以大大的提高切割效率、减少碎片的产生。
一种采用电火花切割技术快速 cds 单晶体方法

[发明专利]一种带状线温度系数测试仪测温用夹具及使用方法-CN201711308076.0在审
发明人：董彦辉;杨东海;刘兆枫;洪颖;孙雪莲;何煊坤;张庚;许蓉;刘立娜 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： G01K7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种带状线温度系数测试仪测温用夹具及使用方法，夹具包括两个相同夹块，夹块为一矩形块，沿长边的一侧面上有三个盲孔的测试孔，孔深为夹块短边尺寸的一半，孔边距一侧长边小于2mm,其中一孔在长边的中间，其他两孔对称分布两边，且各孔边距一侧短边5mm,两个相同夹块使靠近孔的一面相对、同向相放，夹块材质为铜。使用时将测试样品夹于两个夹块之间，整体测试夹具放入带状线温度系数测试仪测试腔，热偶分别放入六个测试孔，即可进行测试，技术效果是，可更好的控制及读取样品的测试温度，经过实验表明，由于测试热偶位置距离测试样品均小于3mm，测试温度更能体现测试样品的实际温度，同时测试准确性不受影响。
一种带状线温度系数测试仪测温夹具使用方法

[发明专利]一种用于异形晶片的承载装置-CN201810016580.1在审
发明人：杨丹丹;徐永宽;徐世海;孙雪莲;窦瑛;李强 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2018-01-08 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于异形晶片的承载装置，包括连接杆、侧板、提栏和支杆，两根连接杆连接固定两块侧板，一根连接杆连接固定提栏的上端，提栏的下端分别固定在侧板上；侧板上设有用于调节两根支杆间距，承载不同尺寸晶片的侧板轨道，支杆两端固定在侧板轨道上；侧板上还设有用于精确控制晶片腐蚀区域的侧板垂直刻度以及用于精确调整支杆间距的侧板水平刻度，两根支杆上分别刻有若干个用于承载待腐蚀晶片的凹槽。采用本承载装置可以灵活调整，适应不同尺寸的非标产品摆放，带有刻度可精确控制样品摆放位置及对样品腐蚀区域的控制。可以实现多片统一处理，提高工作效率、操作规范性、降低操作风险、减少样品破坏面积。
一种用于异形晶片承载装置