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[发明专利]一种大尺寸碳化硅晶体原位热处理方法-CN201711033627.7在审
发明人：张皓;徐永宽;徐所成;李璐杰;郭森;张政 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种大尺寸碳化硅晶体原位热处理方法，在生长结束后向生长室充压避免晶体烧蚀，之后通过改变热场，即锁定功率、提升线圈、封堵测温孔来实现恒温处理，最后进行定速降温，待炉内温度降至室温结束晶体的原位热处理，封堵测温孔使用自行设计的保温桶测温孔封堵装置，技术效果是，实现晶体生长结束后不取出的原位处理，大幅降低晶体内应力，提高了后续晶片加工成品率；且避免了后续热处理对效率以及电阻率的影响，缩短单锭制备周期1天以上。
一种尺寸碳化硅晶体原位热处理方法

[发明专利]一种砷化镓晶片打印激光标识的方法-CN201611122330.3有效
发明人：曹志颖;刘津 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： B23K26/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓晶片打印激光标识的方法，步骤如下激光的参数为，激光波长范围300～870nm，激光强度3W～5W，标识次数为3～5次，选定激光参数后进行激光标识，标识深度为100～200um。激光的种类可为紫光或红光。激光标识结束后对晶片表面进行清洁处理，去除标识周围因打标带来的毛刺和颗粒，以保证晶片有较好的几何参数和表面质量，然后再进行磨片及后续工序的处理。有益效果是通过多次实验，最终确定出一套适合砷化镓表面标识的激光参数，既能保证晶片有较好的几何参数和表面质量，又能方便识别和后续追溯。
一种砷化镓晶片打印激光标识方法

[实用新型]高功率光纤激光器回光探测及其保护电路-CN201720407387.1有效
发明人：张雪莲;黄榜才;张鹏;张树方;商恩亮;刘艳艳;梁小红 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： G01J1/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高功率光纤激光器回光探测及其保护电路。本设计包括用于将采集到的激光器回光信号转换为电流信号的回光探测器PD、用于将回光功率电流信号转换为稳定的电压信号的I‑U转换电路、回光电压比较电路、激光器回光控制保护处理电路以及时序控制程序；针对大功率光纤激光器切割超高反射性材料时，为了避免回光过大损害激光器泵源、合束器等重要器件的问题，本设计实现了实时探测回光功率大小，并与可适应各种材料切割得到的预设值比较后，产生的回光功率报警与否信号由单片机处理，完成智能化控制。本实用新型电路设计抗干扰强，灵敏度高，极大地减小损失，具有实用工业价值。
功率光纤激光器探测及其保护电路

[发明专利]一种CVD法合成单晶金刚石降低位错密度的方法-CN201710575789.7在审
发明人：陈建丽;张嵩;齐成军;程红娟;徐永宽 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种CVD法合成单晶金刚石降低位错密度的方法。该方法通过激光刻蚀技术将金刚石表面图案化的特殊结构设计，控制单晶金刚石图案层横向与纵向的生长速率，通过一次或多次图案化处理有效抑制生长过程中位错的产生，获得高质量的单晶金刚石。利用周期性图案化金刚石衬底同质生长金刚石具有以下优势，在生长过程中控制单晶金刚石横向和纵向的生长速率比值，可以保证在凹槽内生长方向与位错线方向垂直，消除衬底凹槽底部的位错遗传，从而提高金刚石生长层的晶体质量。
一种 cvd 合成金刚石降低密度方法

[发明专利]一种用于获得低阻CdS晶片的退火工艺-CN201510414445.9有效
发明人：司华青;徐永宽;程红娟;张颖武;练小正;李璐杰 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于获得低阻CdS晶片的退火工艺，工艺为一、加工退火装置，把一石英坩埚从侧面斜向约45°切出数条宽度1~1.5mm的卡槽；二、将生长出的CdS晶锭切成1mm厚的CdS晶片；三、在石英坩埚的底部加入0.3~0.5gCd单质，同时加入4~6gCdS粒，将CdS晶片放在卡槽中，将整体装置放置在石英外管内并在1×10‑4Pa以上的真空度下烧结密封；四、将整个装置放置在垂直5温区炉的中部进行退火,退火时各温区保持在900~950℃的某一温度恒温，退火时间5天；五、退火完毕后，以2℃/min的速率缓慢降温至室温，取出装置即可得到低阻的CdS晶片，有益效果是可以较快有效的从高阻的CdS晶体得到低阻的CdS晶片，同时保证了退火过程中晶片的稳定，解决了阻碍CdS晶片器件应用的关键问题。
一种用于获得 cds 晶片退火工艺

[发明专利]一种两步法制备二硫化钼薄膜的工艺-CN201510420779.7有效
发明人：兰飞飞;徐永宽;程红娟;张嵩;陈建丽;王再恩;齐成军 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种两步法制备二硫化钼薄膜的工艺。其步骤A、对衬底表面进行清洗；B、称取三氧化钼粉末放置在石英舟内，置于管式炉内；将衬底置于装有三氧化钼的石英舟下游；C、称取硫粉于料瓶中，将伴热带缠绕在料瓶外围且置于管式炉体外，料瓶中的进、出气管接入管式炉的进气管路中；D、抽真空，通入Ar将管式炉加热，进行第一步沉积；E.第一步沉积结束后，进行第二步沉积；F、将料瓶加热，然后通入Ar进行三氧化钼的硫化；G.将料瓶与管式炉自然降至室温，取出样品进行测试。采用本工艺，避免了传统化学气相沉积过程中硫的蒸发时间的不可控所导致的三氧化钼的提前硫化，采用两步法制备二硫化钼薄膜，能够使整个反应过程更加可控。
一种步法制备二硫化钼薄膜工艺

[发明专利]一种稀土离子掺杂光纤预制棒的加工方法-CN201510877845.3有效
发明人：耿鹏程;庞璐;衣永青;梁小红;潘蓉;宁鼎;韩志辉;高亚明;张慧嘉 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： C03B37/014 文献下载
摘要：本发明涉及一种稀土离子掺杂光纤预制棒的加工方法，利用MCVD工艺沉积含有稀土离子掺杂芯层的预制棒；在预订位置将预制棒截断，合理设计两个孔的孔径大小及位置，在两个孔内分别再设计数个小孔；对应孔的直径确定大钻头，对应小孔的直径确定小钻头；打孔，先用小钻头在小孔的位置打孔，数个小孔的位置需与大钻头与预制棒的接触面重叠，在数个小孔打孔完毕后，再利用大钻头在大钻头的位置打孔；打孔完毕后，对孔的内壁进行磨抛，直至内孔达到设计尺寸。优点是通过多次打孔法可以有效降低超声波打孔过程中稀土离子掺杂光纤预制棒的受力面积，进而可减弱机械外力对光纤预制棒造成的损伤；稀土离子掺杂光纤预制棒的加工精度可得到进一步提升。
一种稀土离子掺杂光纤预制加工方法

[发明专利]一种医学临床治疗用多方向照射无源光纤末端-CN201510055373.3有效
发明人：龙润泽;张鹏;黄榜才;张培培;王晓龙;张雪莲;韩桂云 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2015-02-03 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： G02B6/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种医学临床治疗用多方向照射无源光纤末端，包括多模光纤纤芯、包层、涂覆层、透镜、保护罩，其特征在于包层包裹于光纤纤芯外，光纤纤芯和包层之间有凹平深槽,凹平深槽的底部在光纤纤芯与包层的临界面到纤芯中心的1/2处d2，圆锥形透镜粘接于凹平深槽内部，保护罩固定于包层外，技术效果是有效提高了医用激光的侧向输出半径、提高了激光横向直线的传输的区域、提高了单束光纤的医学利用率，在激光医疗临床领域有效的提高治愈面积和医学临床治疗效果。
一种医学临床治疗多方照射无源光纤末端

[发明专利]一种锗单晶片的单面研磨方法-CN201510414595.X有效
发明人：何远东;杨洪星;刘玉岭;赵权;武永超;韩焕鹏;陈晨 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种锗单晶片的单面研磨方法，包括粘蜡、减薄、解离、去蜡步骤，首先通过粘蜡的方法获得直径、莫氏强度都大于锗单晶片的载片与锗单晶片粘合在一起的双层结构的复合片；通过研磨的方式减薄获得一定厚度的双层结构复合片；通过加热的方法进行载片与锗单晶片的解离；然后对锗单晶研磨片进行去蜡处理即可得到所需厚度的锗单晶片。有益效果是锗单晶片表面质量优异，实时测量、控制研磨去除量，减少了晶片崩边和裂纹的产生，降低了生产成本。
一种晶片单面研磨方法

[发明专利]一种高热稳定性的微波复合介质基板及其制备方法-CN201510414457.1有效
发明人：王丽婧;张立欣;宋永要;庞子博;徐永宽;程红娟;武聪 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： C04B26/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高热稳定性的微波复合介质基板及其制备方法，原料的质量分数配比为，无机填料20‑70 wt%，玻璃纤维1‑10 wt%，1,3‑丁二烯、异戊二烯聚合物体系20‑80 wt%，硅烷偶联剂0.01‑1.5 wt%；制备方法①将无机填料粉末、玻璃纤维分别用硅烷偶联剂进行表面改性处理；② 将处理后的无机填料粉末和玻璃纤维充分混合均匀；③ 将②中的混合物加入到1,3‑丁二烯、异戊二烯聚合物体系溶液中并加入引发剂进行充分搅拌混合；④ 将混合后的物料溶剂烘干，然后通过温度50‑150 ℃、压力2‑20 MPa下挤出或注塑成形，得到半固化片；⑤ 将裁剪好的半固化片与铜箔组合好后，在温度80‑220 ℃、压力4‑20 MPa下热压烧结2‑4 h使聚合物体系发生交联聚合，复合介质基板定形，有益效果是基板具有稳定的电气和机械性能，制备工艺简单。
一种高热稳定性微波复合介质及其制备方法

[发明专利]一种MCVD方法中反应管压力控制及尾气处理方法-CN201710253425.7在审
发明人：衣永青;王炜豪;庞璐;潘蓉;梁小红;耿鹏程;赵国骁;张佳琦;张慧佳 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：本发明公开了一种MCVD方法中反应管压力控制及尾气处理方法，包括以下步骤选取石英管并进行预处理；安装固定尾气管；安装固定进气管；熔接反应管；将废料管伸入尾气管内，安装固定废料管；尾气管和废料管尾端密封，将尾气管与压力控制阀连接，废料管与排风装置连接；开启MCVD工作状态，并通过尾气管尾部压力控制阀控制反应管内压力，废料管尾端排风装置收集废气、废料。采用本发明，可以避免传统MCVD方法中反应管内压力控制不稳定的弊端，以及解决了因压力问题导致的反应废料堵塞废料管的问题。
一种 mcvd 方法反应压力控制尾气处理

[发明专利]一种光纤激光器组合模式控制方式-CN201510247337.7有效
发明人：王晓龙;黄榜才;张鹏;张培培;韩桂云;张雪莲;龙润泽 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种光纤激光器组合模式控制方式，包括触控/按键式界面、微控制器、激光器驱动电路、外部控制输入接口、旋转开关式模式旋钮，激光器可以通过系统任意选择触发内部模式或外部模式、功率内部模式或外部模式、调制的内部模式或外部模式，通过对于触发、功率、调制三种模式的分别选择，可以使激光器工作在全部内部模式控制、全部外部模式控制，内外模式共同控制的状态。技术效果是光纤激光器工作模式可以根据需要灵活、快速的选择不同的模式控制方式，实现了本地控制、混合控制和远程控制的需求，扩展了光纤激光器的应用。
一种光纤激光器组合模式控制

[发明专利]一种快速恢复二极管用硅外延片的制造方法-CN201410570481.X有效
发明人：王文林;李扬;高航;李明达 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2014-10-23 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速恢复二极管用硅外延片的制造方法。通过优化现有工艺，抑制自掺杂效应，提高了外延片厚度及电阻率参数的均匀性，降低了晶体缺陷的发生的概率，以满足器件的使用要求，大大提高快速恢复二极管器件的可靠性与成品率。制备的硅外延片的厚度不均匀性<1%，电阻率不均匀性<2%，无晶格缺陷，过渡区宽度<4 um，在参数上完全满足器件对硅外延材料的要求。该硅外延产品现已得到了用户的一致认可，极大推进国产快速恢复二极管器件性能的提高。
一种快速恢复二极管用外延制造方法

[实用新型]一种带状线谐振器测试仪变温测试用夹具-CN201621342816.3有效
发明人：董彦辉;张立欣;刘兆枫;武聪;王丽婧 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： G01K7/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带状线谐振器测试仪变温测试用夹具，包括两块相同的夹持块，夹持块为宽度不同的阶梯矩形铜质块，在宽度小的矩形块一侧面有两个盲孔，可放入带状线谐振器测试仪的热偶温度计，使用时，两块夹持块的大平面上下相对，被测样品夹于之中，带状线谐振器测试仪的热偶温度计置于两块夹持块相对的两盲孔内。技术效果是可将温度测试及控制误差降低到最低，经过实验及计量认证表明，实验结果满足使用要求。
一种带状线谐振器测试仪测试夹具

[发明专利]一种高功率光纤激光器回光探测及其保护电路-CN201710253921.2在审
发明人：张雪莲;黄榜才;张鹏;张树方;商恩亮;刘艳艳;梁小红 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： G01J1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高功率光纤激光器回光探测及其保护电路。本设计包括用于将采集到的激光器回光信号转换为电流信号的回光探测器PD、用于将回光功率电流信号转换为稳定的电压信号的I‑U转换电路、回光电压比较电路、激光器回光控制保护处理电路以及时序控制程序；针对大功率光纤激光器切割超高反射性材料时，为了避免回光过大损害激光器泵源、合束器等重要器件的问题，本设计实现了实时探测回光功率大小，并与可适应各种材料切割得到的预设值比较后，产生的回光功率报警与否信号由单片机处理，完成智能化控制。本发明电路设计抗干扰强，灵敏度高，极大地减小损失，具有实用工业价值。
一种功率光纤激光器探测及其保护电路