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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于阵列式孔道的二级激发自毁芯片及其制备方法-CN202110169844.9有效
  • 任丁;邵梦凡;刘波;昂然;林黎蔚 - 四川大学
  • 2021-02-08 - 2023-05-09 - H01L23/00
  • 本发明公开了一种基于阵列式孔道的二级激发自毁芯片及其制备方法，该二级激发自毁芯片包括基底层和自毁结构；基底层为目标芯片；自毁结构设置于目标芯片的背面，包括加热电路、若干孔道以及含能材料层，道阵列式排布于目标芯片上的拟损毁区域，含能材料层覆盖加热电路的加热区以及孔道阵列区域，加热电路串联于外部控制单元和供电单元构成的电路回路中。该自毁芯片通过常规芯片制备工艺即可制备。该自毁芯片采用弱电流激发‑化学燃爆的二级激发结构，在半导体基体上设置阵列式孔道、深孔等三维结构以降低基体强度，从而实现目标芯片的粉碎性损伤，通过两种技术手段实现了低功耗工况条件下对目标芯片的彻底销毁，从而确保了芯片的信息安全。
  • 一种基于阵列孔道二级激发自毁芯片及其制备方法
  •  1 
  • 共 1 条
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