“C30B9/12”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果110个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]助溶剂法生长均匀近化学计量比钽酸锂晶体的方法-CN201910626550.7在审
发明人：肖学峰;张学锋;张欢;魏同利;马天鹏;雷玉玺;李维银;张莎 -专利权人：北方民族大学
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：一种助溶剂法生长均匀近化学计量比钽酸锂晶体的方法，包括如下步骤：按摩尔比Li₂CO︰Ta₂O₅︰K₂CO₃为48.75︰51.25︰13的比例配成基料，然后将上述基料研磨混合成混合料，再加热混合料，以使CO₂分解出来，然后再煅烧该混合料，得到钽酸锂多晶料，最后将钽酸锂多晶料压实，并装入坩埚中，加热至熔融状态，保温一定时间后，用提拉法制得近化学计量比钽酸锂晶体，本发明中采用Li₂CO₃、Ta₂O₅和助溶剂K₂CO₃摩尔比为48.75︰51.25︰13的比例，制备的LT晶体的头部和尾部的居里温度差出现突变，达到最低点，获得了上下均匀的近化学计量比L T晶体。
近化学计量比钽酸锂晶体混合料助溶剂多晶料钽酸锂熔融状态研磨混合生长成基料晶体的摩尔比温度差再加热提拉压实坩埚煅烧制备保温加热突变装入按摩分解

[发明专利]一种生长四硼酸铝盐晶体的方法-CN201710071990.1有效
发明人：林炎富;陈雨金;黄艺东;黄建华;龚兴红;罗遵度 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明涉及四硼酸铝盐晶体的生长方法。该方法采用新的NaF‑AlF₃‑B₂O₃化合物体系作为助熔剂生长四硼酸铝盐晶体，可以减弱晶体生长过程中溶液某些成分的挥发，从而有效避免由于溶液某些成分的挥发所造成的晶体生长不稳定和晶体缺陷。采用本发明技术方案可生长获得大尺寸和高光学质量的四硼酸铝盐单晶，有利于提高利用该单晶制作的激光和非线性光学器件的性能。
一种生长硼酸晶体方法

[发明专利]一种织构氧化铝陶瓷用的模板籽晶的制备方法和应用-CN201710523918.8有效
发明人：常云飞;张敏敏;吴杰;孙媛;刘迎春;杨彬;曹文武 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：一种织构氧化铝陶瓷用的模板籽晶的制备方法和应用，本发明涉及模板籽晶的制备方法和应用。本发明要解决现有片状氧化铝微晶制备工艺中存在生产设备要求高、生产周期长、工艺复杂、微晶分散性差、粒径尺寸分布宽、径厚比小、形貌调控难及生产成本高的问题。方法：将含铝原料与熔盐混合，然后加入生长助剂，球磨，得到混合原料；将混合原料置于有盖的氧化铝坩埚中，煅烧，得到反应产物；将反应产物用热水搅拌清洗并采用超声波进行分散，烘干。应用于制备晶粒小且取向度高的织构氧化铝陶瓷、金属/陶瓷/高聚物复合材料增韧剂、热传导型聚合物填料、研磨抛光粉及颜料基材领域。
一种氧化铝陶瓷模板籽晶制备方法应用

[发明专利]硼酸锂双折射晶体的制备方法和用途-CN201510857033.2有效
发明人：潘世烈;陈幸龙;张方方 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2015-11-28 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种硼酸锂双折射晶体的制备方法和用途，该晶体化学式为Li₃BO₃，分子量79.63，属于单斜晶系，空间群为P2₁/c，晶胞参数为a=3.2637(8)Å，b=9.180(2)Å，c=8.319(2)β=101.039(2)°,V=244.63(11)Å³，Z=4；该晶体用于红外‑深紫外波段，为负单轴晶体，透过范围为175‑3500nm；双折射在0.080(4500nm)‑0.140(175nm)之间，采用高温熔液法生长晶体；通过本发明所述方法获得的晶体易于生长、易于切割、易于研磨、易于抛光和易于保存，在空气中稳定，不易潮解，可用于制作格兰型棱镜、渥拉斯顿棱镜、洛匈棱镜或光束分离偏振器等偏振分束棱镜，在光学和通讯领域有重要应用。
双折射晶体棱镜硼酸锂制备偏振分束棱镜渥拉斯顿棱镜负单轴晶体高温熔液法晶体化学式深紫外波段不易潮解单斜晶系光束分离晶胞参数通讯领域重要应用研磨生长空间群偏振器双折射抛光格兰可用切割保存制作

[发明专利]四硼酸六锂双折射晶体的制备方法和用途-CN201510857035.1有效
发明人：潘世烈;陈幸龙;张方方 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2015-11-28 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种四硼酸六锂双折射晶体的制备方法和用途，该晶体化学式为Li₆B₄O₉，分子量228.88，属于单斜晶系，空间群为P2₁/c，晶胞参数为a=3.329(6)Å，b=23.451(9)Å，c=9.197(3)β=92.587(5)°,V=710.68(4)Å³，Z=4；采用助溶剂法生长晶体，通过本发明所述方法获得的四硼酸六锂双折射晶体为负双轴晶体，透过范围180‑3450nm，在该波段范围内双折射率为0.087(3450nm)‑0.190(180nm)之间。该晶体可用于红外‑深紫外波段，为负双轴晶体，该晶体易于加工，不易潮解；可用于制作格兰型棱镜、渥拉斯顿棱镜、洛匈棱镜或光束分离偏振器等偏振分束棱镜在光学和通讯领域有重要应用。
硼酸双折射晶体双轴晶体棱镜可用制备偏振分束棱镜渥拉斯顿棱镜晶体化学式深紫外波段不易潮解单斜晶系光束分离晶胞参数双折射率通讯领域重要应用空间群偏振器助溶剂波段格兰生长制作加工

[发明专利]低温高速生长SiC单晶的助熔剂-CN201610705887.3有效
发明人：雷云;马文会;谢克强;吕国强;伍继君;魏奎先;秦博;李绍元;刘占伟;于洁;戴永年 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明涉及几种低温高速生长SiC单晶的助溶剂，属于晶体生长技术领域。本发明涉及的几种助溶剂为稀土金属镨（Pr）、铈（Ce）、镧（La）、镝（Dy）和铽（Tb），SiC单晶的生长方法为顶部籽晶溶液生长法。首先，将上述任意一种助溶剂与高纯硅（≥99.9999%）一起加热熔融，然后，将装有SiC籽晶的籽晶杆伸入到熔体液面下0.5~5cm处，旋转籽晶杆或者熔融容器进行SiC单晶的生长；晶体生长结束后将籽晶杆从熔体中移出；最后，用HNO₃+HF的混酸去除SiC单晶表面的残留物得到高纯SiC单晶。
低温高速生长 sic 熔剂

[发明专利]一种减少BBO晶体中间包络的方法-CN201810673449.2在审
发明人：王昌运;陈伟;张星;陈秋华;谢发利 -专利权人：福建福晶科技股份有限公司
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少BBO晶体中间包络的方法，采用坩埚底部坩埚底部内嵌一个锥形的异形坩埚生长，有效减少BBO晶体中间包络问题。
中间包坩埚异形坩埚有效减少内嵌生长

[发明专利]氮化镓单晶生长装置-CN201810733556.X在审
发明人：孟静 -专利权人：孟静
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓单晶生长装置，涉及半导体材料的制备装置技术领域。所述装置主要利用氮等离子挥发回流方法在晶体生长界面形成过饱和熔体的方法来制备氮化镓晶体的方法及装置。利用氮等离子体挥发助熔镓‑钠‑氮熔体，镓和钠元素在高温下挥发并在冷凝器上冷却为镓‑钠熔体，镓‑钠熔体回流至回流系统中，在回流系统中不断放入氮化钠，氮化钠受热分解使得熔体处于氮饱和状态，饱和熔体回流至高温固液界面处形成过饱和熔体进行晶体生长。
熔体挥发氮化镓单晶回流系统生长装置氮化钠过饱和钠熔体半导体材料晶体生长界面氮等离子体氮化镓晶体固液界面处氮等离子晶体生长熔体回流制备装置受热氮饱和冷凝器钠元素放入助熔制备冷却饱和分解

[发明专利]一种生长非线性光学晶体LiB₃O₅、CsB₃O₅和CsLiB₆O₁₀的方法-CN201610842272.5有效
发明人：林哲帅;公丕富;罗思扬;吴以成;陈创天 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：一种生长非线性光学晶体LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10的方法。本发明采用的溶剂为碱金属硝酸盐MNO3，其中所述M为Li、Na、K、Rb或Cs。本发明使用密闭容器抑制溶剂高温时的分解，并增强了高温溶剂对溶质的溶解；有效地降低了LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10晶体的生长温度，使得其生长温度在500℃以下，较目前650℃以上的生长温度有了显著的降低，有效地节约了能源；反应采用密闭容器，优化后采用经济的耐腐蚀耐高温材料内衬，极大地减少晶体生长过程中的贵金属损耗；整个方法简单易操作，有利于推广。
生长非线性光学晶体密闭容器有效地溶剂碱金属硝酸盐晶体生长过程耐高温材料高温溶剂贵金属晶体的耐腐蚀内衬溶质溶解分解节约能源优化

[发明专利]一种Yb₂Si₂O₇晶须及其制备方法-CN201610067204.6有效
发明人：曹丽云;雍翔;周磊;黄剑锋;李翠艳;欧阳海波;费杰;吴建鹏 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种Yb2Si2O7晶须及其制备方法，属于结构材料制备技术领域。包括以下步骤：1)取Yb(NO)3·5H2O，溶解于无水乙醇中，配制成浓度为配制成浓度为0.5～1mol/L的溶液A；2)将Si(OC2H5)4加入溶液A中，充分搅拌均匀，制得溶液B；3)将溶液B干燥后，得到粉体A，并将粉体A在200℃下预烧处理，冷却至室温，制得粉体B；4)将粉体B与混合复盐混合均匀后，在800～1000℃下热处理，制得粉体C；5)将粉体C加水溶解后，离心处理，将沉淀洗涤、干燥，制得Yb2Si2O7晶须。该方法操作简单，反应条件温和，过程可控性强；经该方法制得的Yb2Si2O7晶须形貌可控、纯度高、粒度均一。
粉体晶须制备溶解制备技术领域热处理沉淀洗涤反应条件混合复盐结构材料晶须形貌离心处理无水乙醇预烧处理可控性加水均一可控冷却

[发明专利]一种微米级铜锗锌锡硫单晶颗粒的制备方法及其单晶颗粒和太阳能电池-CN201610168320.7有效
发明人：张军;廖峻;邵乐喜;王磊 -专利权人：岭南师范学院
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种微米级铜锗锌锡硫单晶颗粒的制备方法及其单晶颗粒和太阳能电池，首先按照设计的配方混合反应原料制备前驱体，将前驱体真空封装，一定温度下熔融生成CGZTS单晶颗粒；另外以环氧树脂、阿拉伯树胶为大分子材料，把微米级CGZTS单晶颗粒嵌入大分子材料中制备单晶颗粒薄膜，再制备各种功能层形成完整的电池。由于单晶颗粒的制备和单晶颗粒吸收层膜的制备过程是分开的，在单晶颗粒制备过程中可以使用高温环境，从而实现对CGZTS的组分进行有效的控制，而无需考虑吸收层制备条件对衬底，窗口层、缓冲层等的影响，该方法在材料与能源利用率和工业化生产方面具有明显的优势。 1
单晶颗粒制备微米级大分子材料太阳能电池制备过程前驱体吸收层锌锡环氧树脂阿拉伯树胶能源利用率高温环境混合反应原料制备真空封装制备条件窗口层功能层缓冲层薄膜衬底熔融嵌入配方电池

[发明专利]一种USb2-CN201510576263.1有效
发明人：谢东华;张文;刘毅;张云;冯卫;谭世勇 -专利权人：中国工程物理研究院材料研究所
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种USb2单晶的助熔剂生长方法及制备的产品，目的在于解决采用常规单晶制备方法难以克服坩埚或模具本身杂质对材料熔体的影响，无法满足USb2单晶制备的需要，且由于铀的高活性、放射性，难以获得高纯度铀化合物单晶的问题。本发明采用铀块、锑块为原料，以其中的锑作为自助熔剂，成功制备出大尺寸的高质量USb2晶体。本发明能大幅降低晶体的生长温度，减小高温熔化时熔液的粘度以及挥发性，更加有利于晶体生长过程中的溶质传输。同时，本发明通过对反应条件的控制，有效避免了USb2单晶生长过程中包裹体的产生，解决了高活性含放射性材料的单晶生长问题，能够生长出大尺寸、毫米量级、具有科研价值的高纯度USb2单晶，具有较高的应用价值。
一种 usb base sub

[发明专利]金红石晶体的生长方法-CN201310069994.8有效
发明人：叶宁;张犁园 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2013-03-06 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明涉及金红石晶体的生长方法。该方法使用了新的助熔剂BaCO3—B2O3体系，可以较大幅度地降低晶体的生长温度，可以稳定地生长出尺寸为厘米级、质量较好的金红石晶体。该工艺生长晶体的速度较快，成本低廉，对设备要求低，操作简单。
金红石晶体生长方法

[发明专利]一种Al掺杂CsLiB6O10晶体生长助熔剂及晶体生长方法-CN201710238628.9在审
发明人：胡章贵;朱显超;涂衡 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明属于光学材料领域，提出一种Al掺杂CsLiB6O10晶体生长助熔剂，其特征在于，为Cs2O‑Li2O‑MoO3体系的助熔剂，体系中Cs2O，Li2O，MoO3的摩尔比为1(0.8～1.2)(1.6～2.0)。本发明还提出利用所述助熔剂的Al掺杂CsLiB6O10晶体生长方法。本发明提出的新助熔剂体系，可以有效降低晶体的生长温度，其温度范围在800～820℃之间，而且生长溶液澄清透明易于实时观察晶体生长状况。可明显减少体系的挥发度，提高生长体系的稳定性，防止漂晶形成，提高晶体生长成功率。显著地降低溶液的粘度，利于溶质传输，易于晶体生长并且几乎无包裹体产生。
一种 al 掺杂 cslib6o10 晶体生长熔剂方法

[实用新型]一种YAB熔体搅拌装置-CN201720025754.1有效
发明人：王昌运;陈伟 -专利权人：福建福晶科技股份有限公司
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本实用新型通过加工一个YAB熔体搅拌装置，充分将YAB熔体上下搅动，得到混匀熔体，生长高质量YAB晶体。
一种 yab 搅拌装置