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[发明专利]有机碳包覆磷酸铁锂正极材料及其制备方法-CN202110907330.9有效
发明人： 胡章贵;童丽平;龙震;郭帅 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机碳包覆磷酸铁锂正极材料及其制备方法，属于锂离子电池电极材料的制备技术领域。用磷酸铁、碳酸锂，柠檬酸、葡萄糖、沥青中的一种或两种混合作为碳源，酒精作为溶剂，在高速球磨罐中进行球磨混合，在对混合溶液烘干，高温烧结得到碳包覆的磷酸铁锂正极材料。本发明利用生活中常见的有机碳作为碳包覆的碳源，易获取，成本低，碳的包覆有利于增强材料的导电性，降低材料的表面阻抗，且包覆会减少材料的团聚现象，减小离子的扩散路径，改善材料的电化学性能，所述的工艺方法采用球磨辅助高温固相法，操作简单，安全系数高，利于批量生产。该方法制备的磷酸铁锂正极材料，在0.2C的电流密度下显示出168.4mAh/g的高容量，循环100圈后，容量几乎无衰减，具有良好的循环稳定性和倍率性能。
有机碳包覆磷酸正极材料及其制备方法

[发明专利]基于废弃木屑制备的钠离子电池碳负极材料及其制备方法-CN202110907187.3有效
发明人： 胡章贵;郭帅;龙震;纪效波;陈以蒙;郭世宏;韩华玮;姜修宝 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01M4/133 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于废弃木屑制备的钠离子电池碳负极材料及其制备方法，以废弃木屑作为生物质碳源，通过预碳化和低升温速率高温碳化处理，经过酸洗溶液洗涤去除金属杂原子，烘干后得到硬碳钠离子电池负极材料。本发明利用废弃木屑作为生物质原材料，可充分利用在木材产品生产过程中产生的大量碎屑，具有可绿色环保、成本低廉等优势；采用低碳化升温速率热解的方法具有减少缺陷浓度、增加层间间距和提高石墨化程度的作用，从而有效改善材料的电化学性能；该方法制备硬碳负极材料具有较高的首次库伦效率和可逆比容量，显示出优异的循环稳定性和倍率性能，是一种理想的钠离子电池负极材料。
基于废弃木屑制备钠离子电池负极材料及其方法

[发明专利]使用拼接籽晶在液相法下生长碳化硅单晶-CN202310768423.7在审
发明人：请求不公布姓名;闫朝阳;陈建丽;齐小方;马文成;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B9/10 文献下载
摘要：本发明设计一种使用拼接籽晶在液相法下生长大尺寸碳化硅单晶的方法，粘接好籽晶，在坩埚内装入Cr、Si助熔剂，将石墨件与提拉杆固定，并放置于真空腔室内，炉腔内充入高纯氩气并开启加热系统，进行加热，达到预定温度使金属助溶液融化；将石墨件下降至液面以下，籽晶杆按照10～20rpm的转速进行旋转，在预设生长温度下生长约10h，生长完毕后，以10‑40mm/h的提拉速度，将籽晶杆缓慢拉离液面，缓慢降温后即生长过程结束。将生长出来的晶体用硝酸和氢氟酸进行腐蚀，然后利用光学显微镜观察晶体表面形貌。
使用拼接籽晶液相法下生长碳化硅

[发明专利]系列含氟碱土硼硅酸盐化合物及含氟碱土硼硅酸盐非线性光学晶体及制法和用途-CN202310770420.7在审
发明人：俞洪伟;杨鸣;吴红萍;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明涉及系列含氟碱土硼硅酸盐化合物及系列含氟碱土硼硅酸盐非线性光学晶体及其制备方法和用途，该系列化合物及其晶体化学通式均为A2RESiBO6F2，其中A＝Ca,Sr,Ba；RE＝Sc,Y,La，分子量为298.01‑586.46，该系列晶体属于正交晶系，空间群Pmn21，晶胞参数为a＝3.22352‑5.6055(4),#imgabs0##imgabs1#Z＝2。该系列含氟碱土硼硅酸盐化合物采用固相反应法合成，该系列含氟碱土硼硅酸盐非线性光学晶体采用高温熔液法生长。该系列材料可用于制备非线性光学器件。
系列碱土硅酸盐化合物非线性光学晶体制法用途

[发明专利]碱土硫代（硒代）镓酸盐化合物及碱土硫代（硒代）镓酸盐非线性光学晶体及制法和用途-CN202310774717.0在审
发明人：吴红萍;杨鸣;俞洪伟;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及系列碱土金属硫代(硒代)镓酸盐化合物及系列碱土金属硫代(硒代)镓酸盐非线性光学晶体及其制备方法及其用途，该系列化合物和非线性光学晶体化学通式均为AE2Ga2O3Q2，其中AE＝Ba，Sr；Q＝S，Se，均属单斜晶系，空间群为P21，晶胞参数为#imgabs0##imgabs1#Z＝2。该系列化合物采用高温固相法合成，该系列非线性光学晶体采用高温溶液法或布里奇曼法生长。该材料可用于制造非线性光学器件等。
碱土盐化镓酸盐非线性光学晶体制法用途

[发明专利]以助熔剂合金为源料的气相传输生长氮化物的方法-CN202310784772.8在审
发明人：徐永宽;陶晓纯;陈建丽;胡章贵;马文成;齐小方;于永贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种以助溶剂合金为源料的气相传输生长氮化物的方法，以助熔剂金属和金属Al、Ga形成的合金为源材料，通过气相传输的方法生长AlN、GaN。在一定化料温度下恒温一定时间，使金属融化形成溶液并混合均匀，再降温得到合金。以放置在坩埚顶部的SiC为籽晶，充入氮气或氮氩混合器，升温至生长温度，升温过程中合金融化，抽气降低气压为气体传输提供动力，金属源材料蒸发以蒸汽的形式传输到SiC籽晶表面与氮气充分混合、反应，生成AlN、GaN。本发明在中等温度(660‑1700℃)下使液态金属源蒸发，并实现其可控挥发及运输，为持续生长氮化物、保护籽晶和使用石墨器件、坩埚创造前提，在降低成本的同时实现生长大尺寸高质量氮化物。
熔剂合金相传生长氮化物方法

[发明专利]降低氮元素杂质含量的碳化硅合成方法-CN202310670050.X在审
发明人：徐永宽;刘楚;陈建丽;马文成;齐小方;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低氮元素杂质含量的碳化硅合成方法，将Ti金属单质装入带盖石墨坩埚中，然后将带盖石墨坩埚放入碳化硅粉料合成坩埚中；Si和C粉混合均匀后放入碳化硅粉料合成坩埚中并将碳化硅粉料合成坩埚密封；将粉料合成坩埚放入石墨加热器中，将石墨加热器密封并抽至本底真空，充入氩气，保持炉内压力，然后按照预设温控程序进行升温及保温完成碳化硅粉料的合成。本发明利用Ti金属在高温下具有物理吸附和化学吸附氮杂质的效果，生成Ti3N、TiN等化合物或者Ti‑N固溶体，由于氮化钛物理性质稳定，在高纯碳化硅粉料合成的过程中，能够减少氮元素杂质的含量，有利于提高碳化硅粉料的纯度。
降低元素杂质含量碳化硅合成方法

[发明专利]一种晶体生长用溴化铋的提纯方法及应用-CN202310559208.6在审
发明人： 胡章贵;南娓娜;周伯儒;李超;付情;叶宁;吴以成 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：本申请涉及卤化物原料提纯技术领域，具体涉及一种晶体生长用溴化铋的提纯方法及应用。具体为：将装有溴化铋原料的容器放置于真空加热设备中，启动真空加热设备，并依次进行升温、保温、降温过程，所述真空加热设备至少设有一组高温区和低温区，所述容器同时穿过至少一组高温区和低温区。通过在密闭环境中的升温，使溴化铋在高温区气化，而杂质无法气化，在真空状态下，气相的溴化铋可以快速的移动到达低温区后由于温度的降低，从而形成固相的溴化铋，沉积在石英管的管口，完成分离提纯的操作。该方法提纯得到的溴化铋原料的杂质浓度显著下降，并且用纯化后的溴化铋原料生长的晶体质量更优。
一种晶体生长用溴化铋提纯方法应用

[发明专利]系列碱金属稀土硫属卤化物及非线性光学晶体的制备及应用-CN202310622273.9在审
发明人：俞洪伟;柴斌强;吴红萍;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明涉及系列碱金属稀土硫属卤化物及系列碱金属稀土硫属卤化物非线性光学晶体及其制备方法及其用途，该系列卤化物和非线性光学晶体化学通式均为A3Ln11Ga19Q45X3，其中A＝K，Rb，Cs；Ln＝La，Pr，Nd；Q＝S、Se；X＝Cl，Br，I，均属六方晶系，空间群为晶胞参数为Z＝1。该系列卤化物采用高温固相法合成，该系列非线性光学晶体采用高温溶液法或布里奇曼法生长。该材料可用于制造二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器等。
系列碱金属稀土卤化物非线性光学晶体制备应用

[发明专利]两种硫镓钡化合物及其非线性光学晶体及其制备方法和用途-CN202210137543.2在审
发明人：俞洪伟;钱震;刘浩囡;张玉杰;吴红萍;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及两种硫镓钡化合物及其非线性光学晶体及其制备方法和用途，该两种化合物和晶体化学式均为BaGa4S7，两种化合物和晶体分别属于正交晶系和单斜晶系，正交晶系化合物和晶体的空间群为Pmc21，单斜晶系化合物和晶体的空间群为Cm。两种硫镓钡化合物采用真空高温固相反应法合成，两种硫镓钡晶体采用高温溶液法或布里奇曼法(坩埚下降法)生长。该材料可用于制造二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器等。
两种硫镓钡化合物及其非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]化合物硒硫镓钡及其非线性光学晶体及其制备方法和用途-CN202210138730.2在审
发明人：俞洪伟;钱震;刘浩囡;张玉杰;吴红萍;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物硒硫镓钡及其非线性光学晶体及其制备方法和用途，该化合物和晶体化学式均为BaGa4SxSey(x+y＝7，0x7,0y7)，属于正交晶系，空间群为Pmn21，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝2。化合物硒硫镓钡是在真空条件下采用高温固相反应合成；硒硫镓钡非线性光学晶体是在真空条件下采用高温自发结晶反应合成；该材料可用于二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器等。
化合物硒硫镓钡及其非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]一种β-BaB2-CN202310541344.2在审
发明人：朱显超;席天卉;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明提供一种β‑BaB2O4晶体生长助熔剂及晶体生长方法，采用NaF‑LiF体系作为助熔剂。通过本发明可以大幅降低晶体生长温度，其温度范围在800～860℃之间，可以极大降低体系的挥发度，防止自发结晶的形成，提高生长体系的稳定性；可以明显降低溶液的粘度，利于传质传热的进行，提高了晶体生长速度和晶体品质，可稳定生长出一系列大尺寸、高光学质量BBO晶体。
一种 bab base sub

[发明专利]化合物碱金属钼碘酸盐及其非线性光学晶体及其制备方法和用途-CN202210127297.2在审
发明人：俞洪伟;刘浩囡;吴红萍;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C01G39/00 文献下载
摘要：本发明涉及碱金属钼碘酸盐化合物和碱金属钼碘酸盐非线性光学晶体及制备方法和用途，该系列化合物和晶体化学通式均为AMo2IO9，其中A＝K，Rb，Cs，均属单斜晶系，空间群P2，晶胞参数为α＝γ＝90°，β＝85‑95°，Z＝1。化合物碱金属钼碘酸盐采用高温固相反应法和水热法合成，碱金属钼碘酸盐晶体采用水热法和溶液法生长。该材料可用于二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器等。
化合物碱金属碘酸及其非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]一种高精度在役混凝土强度快速检测设备-CN202010972428.8有效
发明人：张效忠;孙延华;孙国民;李利峰;罗爱忠;韩六平;胡章贵 -专利权人：贵州工程应用技术学院
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G01N1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度在役混凝土强度快速检测设备，其涉及混凝土强度检测技术领域，其包括基座、补浆罐、高度调节座以及底座，其中，所述补浆罐和高度调节座均固定于所述基座上，所述高度调节座还采用丝杠螺母副可上下调节的连接有底座，所述基座上还设置有芯柱检测器；所述底座中固定有转动电机，所述转动电机的输出端固定有转动臂，所述转动臂的另一端可调节角度的铰接有随动臂，所述随动臂上设置有取芯组件；所述取芯组件能够对在役混凝土进行取芯的同时，对取出的芯柱的上下表面进行找平处理，其中，所述取芯组件能够对暴露于外部的芯柱端面进行打磨补浆找平处理，而对于藏于内部的芯柱端面进行切割找平处理。
一种高精度混凝土强度快速检测设备

[发明专利]碲化物单晶的制备方法-CN202310428714.1在审
发明人：邱海龙;刘建英;赵博进;胡章贵;吴以成 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲化物单晶的制备方法，将金属源、碲源、输运剂放入石英管中，将石英管密封完全之后放入两区炉中进行高温加热并保温；所述金属源为片状、粉末状的金属钽；碲源包括碲粉末；输送剂是碘单质与四氯化碲的混合物；所述高温加热及保温程序为高温端升温至800‑850℃后保温25‑35h，随后升至1000‑1050℃后保温5‑7天；低温端升温至850‑900℃后保温，随后自然降温至室温。本发明利用混合输运剂增加输运剂的输运能力，并降低了反应温度。利用提前预热的方法反应物在反应前充分的融合促进碲化物的生长，较为方便的合成大尺寸碲化物晶体，制备出的晶体尺寸在1至2厘米，具有良好的结晶性。
碲化物单晶制备方法

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