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[实用新型]一种助熔剂法晶体生长用铂金坩埚盖-CN201621042412.2有效
发明人：李百中;李铮;施振华;刘有臣 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种助熔剂法晶体生长用铂金坩埚盖，所述铂金坩埚盖包括盖沿、圆形的盖面和与盖面同心的圆孔。所述盖沿在盖面的边缘，竖直向下，长度范围为3mm～20mm；所述圆形盖面具有一定弧度，该圆形盖面与水平面的夹角范围为5°～45°，直径范围为60mm～200mm；所述圆孔与盖面同心，圆孔直径范围为15mm～30mm，所述圆孔周围有一定高度的外壁，外壁的高度范围为3mm～10mm；所述铂金坩埚盖厚度范围为0.3mm～2mm。本实用新型适用于助熔剂法晶体生长过程中的温度梯度调控，同时可有效减少保温材料及熔体内挥发物对熔体的污染，保证熔体的纯度。
一种熔剂晶体生长铂金坩埚

[发明专利]一种减少BBO晶体包络的生长工艺-CN201610419668.9在审
发明人：王昌运 -专利权人：福建福晶科技股份有限公司
申请日： 2016-06-14 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：一种减少BBO晶体包络的生长工艺。本发明采用碳酸钡和硼酸为主要原料，氟化钠为助熔剂，自制熔盐炉和铂金坩埚为生长装置，铂金坩埚底部呈内凸圆弧形，进行低温相BBO晶体熔盐法生长，利用铂金坩埚底部呈内凸圆弧形，加强熔体对流，有效减少BBO晶体包络。
一种减少 bbo 晶体包络生长工艺

[发明专利]化合物铅钡硼氧和铅钡硼氧非线性光学晶体及制备方法和用途-CN201510798700.4在审
发明人：赵文武 -专利权人：唐山学院
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物铅钡硼氧和铅钡硼氧非线性光学晶体及制备方法和用途，属于非线性光学晶体技术领域。技术方案是：化学式为Pb_0.78Ba_8.22B₁₈O₃₆，分子量2060.84，属六方晶系，空间群R32，晶胞参数为a=7.2225(2)Å，c=19.2716(10)Å，Z=1，V=870.61(6)Å³。其粉末倍频效应达到KDP的1/3倍，透光波段310nm-2600nm。本发明的积极效果是：采用固相反应法合成化合物及助溶剂法生长晶体，该晶体具有操作简单，成本低，所制晶体尺寸大，生长周期短，包裹体少，机械硬度较大，易于切割、抛光加工和保存，本发明所述的化合物铅钡硼氧非线性光学晶体在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中可以得到广泛应用。
化合物铅钡硼氧非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]一种YAB晶体生长助熔剂及YAB晶体生长方法-CN201210047053.X有效
发明人：胡章贵;岳银超;余雪松;毛倩;吴振雄 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2012-02-27 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种YAB晶体生长助溶剂及YAB晶体生长方法，本发明的YAB晶体生长助溶剂为Al2O3-硼化物-锂化物-金属氟化物混合体系；其中，Al2O3∶硼化物∶锂化物∶金属氟化物的摩尔比为(5～8)∶(2～4)∶(0.5～2)∶(0.5～1.5)；所述硼化物为B2O3或H3BO3；所述锂化物为Li2O或Li2CO3；所述金属氟化物包括一价金属氟化物和二价金属氟化物。通过本发明的YAB晶体生长助溶剂及YAB晶体生长方法可有效提高晶体生长过程中的晶体稳定性，获得大尺寸晶体。
一种 yab 晶体生长熔剂方法

[发明专利]大尺寸LBO晶体的助溶剂生长方法-CN201110382095.4有效
发明人：胡章贵;毛倩;岳银超 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明是一种大尺寸LBO晶体的助溶剂生长方法，采用Li2O-MoO3-MF2生长体系作为助溶剂，其中MF2为二价金属氟化物。通过本发明可以有效地降低晶体的生长温度，其温度范围在650～730℃之间；可以极大减少体系的挥发度，提高了晶体生长过程中体系的稳定性，防止杂晶形成，提高了晶体的生长速度；可以明显降低溶液的粘度，较低的粘度有利于溶质传输，易于晶体的生长并且提高了晶体的生长质量；可以稳定地生长一系列大尺寸、高光学质量的LBO单晶，重量达到了800克以上，尺寸达到10厘米以上，如果使用大尺寸坩埚，适当延长生长周期，还可以获得相应更大尺寸的单晶体。
尺寸 lbo 晶体溶剂生长方法

[发明专利]一种采用新型助熔剂熔盐法生长KTiOAsO₄晶体的方法-CN201310032669.4有效
发明人：王世武;贾延伟;王鸿雁 -专利权人：青岛海泰光电技术有限公司
申请日： 2013-01-28 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明提出了一种采用新型助熔剂熔盐法生长KTiOAsO4晶体的方法，解决了现有熔盐法生长的KTiOAsO4晶体存在生长纹及多畴缺陷，包裹物多、晶体均匀性差的问题，其特点是包括以下步骤：KH2AsO4重结晶后去头去尾；将重结晶后的KH2AsO4与K2CO3、TiO2、氟化物加入铂坩埚，合成KTiOAsO4、K4As2O7、氟化物的均匀混合原料；顶部籽晶法生长KTiOAsO4晶体，其中：籽晶晶向为Z向<001>，籽晶杆转速20～60rpm，籽晶杆旋转方式为正转-停止-反转，晶体生长起始温度850～950℃，温度梯度0.2～2℃/cm，降温速率0.5～2℃/day，降温40～60℃。本发明实现了高质量KTiOAsO4晶体的重复性生长，提高了KTiOAsO4晶体的均匀性。
一种采用新型熔剂熔盐法生长 ktioaso sub 晶体方法

[发明专利]一种抑制BBO晶体径向过快生长的方法-CN201210516864.X有效
发明人：王昌运;郑熠;吴少凡;陈伟 -专利权人：福建福晶科技股份有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：一种抑制BBO晶体径向过快生长的方法，本发明的核心内容是采用碳酸钡和硼酸为主要原料，氟化钠或氧化钠为助熔剂，自制熔盐提拉炉为生长装置，采用特殊设计的嵌套坩锅，是坩埚内熔体产生不同的温度分布，提高边缘熔体温度从而抑制BBO晶体径向的生长速度，实现BBO晶体等径提拉生长，采用本发明进行BBO晶体的熔盐提拉生长，解决了以往生长方法中存在的晶体径向过快生长容易碰到坩锅壁扭断的问题，该方法具有结构简单，方便实用的特点。
一种抑制 bbo 晶体径向过快生长方法

[发明专利]一种厘米级纯相BiFeO₃单晶的制备方法-CN201110252660.5有效
发明人：陆俊;吴以成;傅佩珍;冯凯 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2011-08-30 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：一种厘米级纯相BiFeO3单晶的制备方法：a)将Fe2O3与Bi2O3两种原料混匀后放入晶体生长炉中；b)晶体生长炉升温至825℃以上并保温；c)缓慢降温，至熔体表面出现晶核时再缓慢升温，至晶核减少至一个时再缓慢降温，至晶核数目增多时再缓慢升温，当晶核数目再次减少至一个时再缓慢降温维持BFO单晶的稳定生长，直至其生长停止；d)晶体生长完全且凝固后将晶体生长炉冷却至室温；e)取出晶体清洗后即得到纯相BiFeO3单晶。本发明使用高温溶液震荡选晶法控制其形核及生长过程，经过多轮升降温，促使尺寸较小的晶核熔化而保留尺寸较大的晶核以最终获得BiFeO3单晶。
一种厘米级纯相 bifeo sub 制备方法

[发明专利]一种熔盐法晶体生长用密闭单晶生长炉-CN201110195895.5有效
发明人：刘丽娟;王晓洋;刘春雷;陈创天 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2011-07-13 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：熔盐法晶体生长用密闭单晶生长炉包括：绕有电阻丝的陶瓷套管式炉膛；位于炉膛外的密闭桶形空心双层不锈钢外炉壳；装于炉壳内与炉膛间的耐火保温砖/棉；穿过炉壳伸至炉膛外壁的热电偶；盖于炉膛上端口的耐火保温砖炉盖；炉盖中心和两侧设第一垂向中心通孔和观察孔；炉壳内装循环流动的冷却水；炉壳壁上设抽气和进气口；炉壳盖中心设与第一垂向中心通孔相对的第二垂向中心通孔和石英玻璃窗口；炉壳内充氛围气；磁流体设于炉壳上方，与炉壳用波纹管连接；籽晶杆穿过磁流体与万向结连接，通过万向结固定在晶转头上；可使晶体在气氛气下生长，减少杂质进入晶体，改善晶体光学性质，去除晶体在紫外光谱区产生的非本征吸收，提高晶体紫外激光输出功率。
一种熔盐法晶体生长密闭生长

[发明专利]一种减少BBO晶体中心包络的熔盐生长法-CN201110323505.8无效
发明人：王昌运;陈伟;吴少凡 -专利权人：福建福晶科技股份有限公司
申请日： 2011-10-23 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：一种减少BBO晶体中心包络的熔盐生长法，采用碳酸钡和硼酸为主要原料，氟化钠为助熔剂，采用旋转式熔盐生长炉，所述旋转式熔盐生长炉的炉丝非均匀分布，通过旋转加热得到不对称温场，加强熔体对流，解决BBO晶体中心包络问题。
一种减少 bbo 晶体中心包络生长

[发明专利]一种氯硼酸锶晶须的制备方法-CN201110218533.3无效
发明人：钱桂敏;云山;宋茜茜;李武;乃学瑛;高丹丹 -专利权人：中国科学院青海盐湖研究所
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种氯硼酸锶晶须的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将含锶原料、含硼原料、助熔剂混合均匀后研磨至粒度小于60目，得到混合原料；(2)将所述混合原料置于高温炉中，以5～10℃/min的升温速率升温至650～800℃，保温6～15小时后，自然冷却，得到烧结产物；(3)将所述烧结产物放入去离子水中，浸泡2～15小时后，经过滤、洗涤，得到白色的粗产品固体粉末；(4)将所述粗产品固体粉末烘干至恒重，即得到白色氯硼酸锶晶须产品。本发明工艺简单、低成本，所得氯硼酸锶晶须产品微观形貌较好、产品纯度高、收率高。
一种硼酸锶晶须制备方法

[发明专利]一种氯硼酸钡晶须的制备方法-CN201110251623.2无效
发明人：李武;朱东海;乃学瑛;卢会刚;刘鑫;宋爽洁;朱成财 -专利权人：中国科学院青海盐湖研究所
申请日： 2011-08-24 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种氯硼酸钡晶须的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将含钡化合物、含硼化合物和助熔剂混合均匀后研磨至粒度小于60目，得到混合物；(2)将所述混合物置于高温炉中，以5～10℃/min的升温速率升温至690～750℃下，恒温加热4～15h后，自然冷却至室温，得到烧结物；(3)将所述烧结物放入去离子水中，浸泡2～6小时后，依次经过滤、洗涤、干燥后，即得白色粉末状氯硼酸钡晶须。本发明工艺简单、成本低，所得氯硼酸钡晶须产品纯度高、晶体结构完整。
一种硼酸钡晶须制备方法

[发明专利]BaAlBO₃F₂非线性光学晶体及生长方法和用途-CN200910092080.7有效
发明人：胡章贵;岳银超;王佳诺 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2009-09-14 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明的氟硼酸钡铝非线性光学晶体，其化学式为BaAlBO₃F₂，属六方晶系，空间群为晶胞参数为β＝120°，z＝2；其生长方法为：将所需的各种化合物按摩尔比混合，充分研磨，放入马弗炉中加热熔化，然后直接取出放在室温下冷却，制得氟硼酸钡铝化合物；把此化合物放入晶体生长炉中，升温熔化；采用顶部籽晶法，将籽晶接触液面，在饱和温度点缓慢降温进行晶体生长，待晶体长到所需尺寸时，将晶体提离液面，以不大于10℃的降温速率降温至室温，得到本发明的氟硼酸钡铝非线性光学晶体；该晶体物化性质稳定，不潮解，硬度大，加工性能好，三倍频转化效率高，可用其制作非线性光学器件。
baalbo sub 非线性光学晶体生长方法用途

[发明专利]一种R₂CaB₁₀O₁₉单晶的定向籽晶生长方法-CN200910092081.1无效
发明人：张建秀;傅佩珍;吴以成;吴洋;祖延雷 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2009-09-14 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种R2CaB10O19的籽晶定向生长方法，特点在于所引入的籽晶为长条状籽晶，该长条状籽晶的切割方向在+b轴与(a+b)轴之间，且与(a+b)轴成3～6°夹角；本发明的定向生长方法限制了a、b方向的生长速度，克服了R2CaB10O19晶体生长过程中因籽晶两端质量失衡而脱坠，(001)面难以长厚以及(111)面族不易尖灭等不足，本发明的R2CaB10O19晶体的籽晶定向生长方法，提高了R2CaB10O19晶体生长过程中的稳定性，易于获得利用率高，较大尺寸、高光学质量的晶体，可以满足器件加工要求。
一种 sub cab 10 19 定向籽晶生长方法

[发明专利]硅酸钡钛晶体的制备方法-CN201010516240.9有效
发明人：潘世烈;赵文武 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2010-10-22 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅酸钡钛晶体的制备方法，该方法是将硅酸钡钛与助熔剂LiF和H3BO3或B2O3混合体系加热，恒温，冷却得到混合溶液，再将籽晶放入混合溶液中冷却，降温制成具有1-100mm×1-100mm×1-100mm的大尺寸的晶体。通过该方法获得的晶体属四方晶系，空间群为P4bm；化学式为Ba2TiSi2O8，晶胞参数为：a＝b＝8.518±0.002c＝5.211±0.002Z＝4，莫氏硬度为4-5。该方法具有制备速度快，操作简单，成本低，所得晶体尺寸大，机械性能好，不易碎裂，物化性质稳定，不潮解，易加工、保存等优点。
硅酸晶体制备方法