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- [发明专利]一种杂化钙钛矿材料的制备方法-CN201710436021.1在审
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赵伶玲;王镜凡
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东南大学
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2017-06-09
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2017-11-17
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H01L51/48
- 本发明是一种杂化钙钛矿材料的制备方法，该制备方法包括以下步骤1)通过模拟或实验手段建立杂化钙钛矿的基底；2)通过模拟或实验手段建立添加前驱盐碘化铅、碘化甲胺的加料系统；3)分析不同制备条件下所得杂化钙钛矿薄膜的结构特征；4)总结不同条件对生成的杂化钙钛矿薄膜结构的影响，并建立不同薄膜厚度与最优条件相对应的数据库；5)根据实际制备的薄膜厚度，调用数据库，获得最佳制备条件；6)利用数据库中的最佳条件实际制备杂化钙钛矿薄膜，并根据薄膜的结构或性能分析结果判断是否满足制备要求；采用本发明提供的方法，可实现有效地制备出满足制备要求的不同厚度的杂化钙钛矿薄膜，为工业生产的经济性提供保障。
- 一种杂化钙钛矿材料制备方法
- [发明专利]一种二维材料制备方法-CN202110594133.6有效
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王佩剑;王亚哲;潘宝俊
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浙江大学杭州国际科创中心
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2021-05-28
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2023-04-11
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C23C16/52
- 本发明提供了一种二维材料制备方法，属于二维材料制备的技术领域，将前驱体置入石英管内，将生长衬底固定到石墨工件贯通扁槽内；载气以第一流速条件通入所述石英管并以第二流速条件通过石墨工件贯通扁槽，所述第一流速条件为石墨工件贯通扁槽外载气流速，所述第二流速条件为石墨工件贯通扁槽内载气流速，所述第一流速条件大于所述第二流速条件；通过控制第一流速条件和第一温度条件，使得石墨工件贯通扁槽内流场和温场相比石墨工件外在空间分布上更为均匀。使用本发明提供的二维材料制备方法可以在石墨工件贯通扁槽内获得面积较大且均匀生长的二维材料,且易于制备一些较少见、难长薄的二维材料和二维的非层状材料。
- 一种二维材料制备方法
- [发明专利]一种硫噻唑的合成方法-CN202010640062.4在审
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陈清;周军学;强剑康;汤建刚;黎信业;汤化雪;刘天进
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昆山亚香香料股份有限公司
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2020-07-06
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2020-09-08
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C07D277/24
- 本发明属于有机合成领域，公开了一种一种硫噻唑的合成方法，以乙酰乙酸甲酯和3‑溴‑3‑氯丙基乙酸酯在碱性条件下制备4‑乙酰氧基‑2‑乙酰基‑2‑氯丁酸甲酯的步骤；4‑乙酰氧基‑2‑乙酰基‑2‑氯丁酸甲酯在酸性条件下水解制备3‑氯‑3‑乙酰丙醇乙酸酯的步骤；以3‑氯‑3‑乙酰丙醇乙酸酯和双硫代氨基甲酸铵在酸性条件下制备2‑巯基‑4‑甲基‑5‑（β‑乙酰氧乙基）‑噻唑的步骤；以2‑巯基‑4‑甲基‑5‑（β‑乙酰氧乙基）‑噻唑在酸性条件下，加入氧化剂制备4‑甲基‑5‑（β‑乙酰氧乙基）‑噻唑的步骤；以4‑甲基‑5‑（β‑乙酰氧乙基）‑噻唑在碱性条件下，制备4‑甲基‑5‑(β‑羟乙基)‑噻唑的步骤。本发明的合成方法整体反应条件温和，后处理简单，适合中试和工业化生产。
- 一种噻唑合成方法
- [发明专利]一种三层氮化硅薄膜的制备方法-CN201811112871.7有效
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张晓攀;赵福祥;崔钟亨
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韩华新能源（启东）有限公司
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2018-09-25
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2021-07-20
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H01L31/18
- 本发明公开了一种三层氮化硅薄膜的制备方法，包括以下步骤：（1）准备材料：准备半导体衬底；（2）制备第一层薄膜：将所述的半导体衬底放入沉积设备中，设置第一沉积条件，所述第一沉积条件中的沉积温度均匀降低，沉积第一层氮化硅薄膜；（3）制备第二层薄膜：设置第二沉积条件，所述第二沉积条件中的沉积温度均匀降低，形成第二层氮化硅薄膜；（4）制备第三层薄膜：设置第三沉积条件，所述第三沉积条件中的沉积温度均匀降低，形成第三层氮化硅薄膜。本发明的一种三层氮化硅薄膜的制备方法，可有效改善氮化硅薄膜对晶硅太阳能电池的钝化效果、减反射效果，降低工艺时间，沉积温度逐渐降低节约能耗，降低用电成本。
- 一种三层氮化薄膜制备方法
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