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[发明专利]一种大尺寸钇铁石榴石单晶的制备方法-CN202111271504.3在审
发明人：龙西法;杨晓明;苏榕冰;何超;王祖建 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸钇铁石榴石单晶的制备方法，包括如下步骤：1)获得含有钇氧化物、铁氧化物和复合助熔剂的混合原料；所述复合助熔剂中包含Bi2O3；2)通过顶部籽晶法生长得到钇铁石榴石单晶材料。所述晶体具有优异的磁学特性，物理化学性质稳定，是隔离器、环形器、移相器、滤波器的核心材料，在5G通讯领域具有广泛的应用市场。本发明通过含有Bi2O3的复合助熔剂大幅度降低了晶体生长温度，获得了尺寸为50mm×42mm×11mm、重量为74.72g的大尺寸钇铁石榴石单晶，且晶体均匀性良好、无任何开裂及包裹体，晶体品质完全满足微波及磁光器件的应用。
一种尺寸铁石榴石单晶制备方法

[发明专利]一种制备三硼酸锂籽晶的方法-CN202110629694.5有效
发明人：王宇;王鹏刚;梁振兴 -专利权人：眉山博雅新材料股份有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本说明书实施例提供一种制备三硼酸锂籽晶的方法，该方法包括将原料按第一质量比混合均匀，原料包括碳酸锂和硼酸；将混合均匀的原料置于预合成装置中进行预合成操作，得到预合成粉体；将预合成粉体研磨至预设粒度；将研磨后的粉体和助熔剂按第二质量比混合均匀；将混合均匀后的粉体和助熔剂装入至少一个第一埚内；将至少一个第一埚置于第二埚内；将第二埚置于加热装置中进行熔化操作，得到粉体和助熔剂的熔体；通过多次调温操作，执行基于熔体的籽晶生长过程。
一种制备硼酸籽晶方法

[发明专利]氧化铁单晶纳米球形颗粒及其熔盐法合成方法-CN202010070422.1有效
发明人：娄正松;张凯;秦佳佳;徐晨晰 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铁单晶纳米球形颗粒及其熔盐法合成方法，首先将铁盐、KCl和LiCl按一定物质的量之比均匀混合再经高温焙烧，蒸馏水浸渍除盐，抽滤，洗涤，干燥即得到产物，产物为单分散氧化铁单晶球形纳米颗粒，颗粒粒径为100‑1000 nm。本发明公开的方法具有原料来源广泛、制备成本低廉、工艺简单、环境友好、耗时短、能耗低、可控性强的优势，为氧化铁纳米颗粒的进一步扩大化使用提供材料基础。
氧化铁纳米球形颗粒及其熔盐法合成方法

[发明专利]一种助熔剂法晶体生长在线补充物料系统-CN202111037281.4在审
发明人：徐家跃;王昂;申慧;蒋颖穗;石祥宇;马健;方娅婷;周鼎;田甜 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明申请属于晶体制备技术领域，具体公开了一种助熔剂法晶体生长在线补充物料系统，包括控制模块、投料模块、输送模块、储料模块、传感器模块、坩埚、生长炉；控制模块与投料模块、储料模块均电信号连接；控制模块负责系统的运行参数控制。本发明主要用于晶体生长补充物料，解决了现有技术中助熔剂法晶体生长过程出现物料不足而无法得到大尺寸晶体的问题。
一种熔剂晶体生长在线补充物料系统

[实用新型]一种LBO晶体生长用的装置-CN202120945702.2有效
发明人：王昌运;陈伟;陈秋华 -专利权人：福建福晶科技股份有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开一种LBO晶体生长用的装置，利用上下层结构，有效防止挥发物掉入晶体表面，腐蚀晶体。
一种 lbo 晶体生长装置

[发明专利]制备环磷酸二钾锶晶体的方法及应用-CN201910501156.0有效
发明人：白志勇;林州斌;苑菲菲;刘乐辉;张莉珍;黄溢声 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种制备环磷酸二钾锶晶体的方法及其应用。该方法包括：所述环磷酸二钾锶晶体采用助熔剂法制备，包括将含有K2SrP4O12多晶和助熔剂的混合物生长得到所述环磷酸二钾锶晶体；其中，所述助熔剂由钾源Ⅰ和磷源Ⅰ制备得到。通过该方法制备得到的环磷酸二钾锶(K2SrP4O12)晶体，具有适中的非线性光学系数，其紫外截止边小于200nm，不潮解，生长温度适中，是一种潜在的深紫外非线性光学晶体。
制备磷酸二钾锶晶体方法应用

[实用新型]助溶剂法单晶生长井式炉-CN202120756434.X有效
发明人：王渊;刘健慧;廖奕;郝占阳;梅佳伟;陈朝宇 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种助溶剂法单晶生长井式炉。包括加热炉和位于加热炉下端的离心机，加热炉底部与离心机顶部以活动的离心机隔热块相间隔，离心机隔热块固定连接在直线电机的直线电机杆上，直线电机杆与轮之间形成传动机构，所述轮带动旋转机构旋转，在所述旋转机构上设置有夹具，离心机隔热块以及离心机杯均处于所述夹具的旋转范围内。本实用新型将加热炉与离心机一体化，从样品的加热到离心过程可以全程自动化完成。在玻璃管外层加用钽管包裹，减少了从加热炉到离心机转运过程中的热量损失。同时转运过程时间一定，使热量损失基本保持一定，便于实验分析。本实用新型自动化程度高，保证实验人员的安全，同时克服了实验中玻璃管易碎等问题。
溶剂法单晶生长井式炉

[发明专利]一种高质量BIBO晶体生长方法-CN202011383804.6有效
发明人：王昌运;陈伟;张星;陈秋华 -专利权人：福建福晶科技股份有限公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：一种高质量BIBO晶体生长方法，采用氧化铋和硼酸为原料，采用异形坩埚为生长装置，所述坩埚采用铂金材质，坩埚呈倒圆锥形；籽晶杆采用铂金材质，籽晶浸没熔体中，位于熔体中部；所述坩埚置于炉膛中部，所述炉膛坩埚位置的温度变化范围在1℃以内。本发明采用倒圆锥形的异形坩埚，优选内侧面具有小锯齿，坩埚斜面与竖直方向的夹角为30~45°，满足了BIBO晶体往下生长的需求，并且加强熔体的对流，提高了均匀性；有效降低外界温度波动对晶体生长的影响，保证晶体生长部位熔体的均匀性，充分搅拌熔体，以获得最佳晶体质量的BIBO晶体。
一种质量 bibo 晶体生长方法

[发明专利]一种碳化硅粉体颗粒长大的方法-CN202110584891.X在审
发明人：樊子民;王晓刚 -专利权人：西安博尔新材料有限责任公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅粉体颗粒长大的方法，该方法包括：一、将可溶性无机盐加热至熔融温度搅拌，冷却后磨细过筛得到熔盐粉；二、将熔盐粉与碳化硅粉体配比并混合均匀得到混合物；三、将混合物在熔盐粉的共熔温度以上保温得到熔融物；四、将熔融物冷却至室温后研磨，经洗涤、静置和干燥，得到长大的碳化硅粉体颗粒。本发明采用可溶性无机盐为熔盐体系，与碳化硅粉体混合共熔，使得小的碳化硅颗粒优先溶解，并在大的碳化硅颗粒上沉淀而逐渐长大，同时部分杂质也会通过熔盐而除去，有利于碳化硅晶体的生长，提高了长大的碳化硅粉体颗粒的质量纯度。
一种碳化硅颗粒长大方法

[发明专利]一种纳米级单晶三元正极材料前驱体、单晶三元正极材料及制备方法-CN202110444189.3在审
发明人：乔水伶;李崇;吕明;王慧萍;方向乾;曹壮;高峰;杨欣 -专利权人：陕西彩虹新材料有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米级单晶三元正极材料前驱体、单晶三元正极材料及制备方法，包括：将镍、钴和锰金属单质纳米粉末和助熔剂按比例混合分散均匀；将分散均匀后的物料在第一温度曲线下进行烧结；将烧结后的物料自然冷却至室温，经过破碎和过筛，得到纳米级单晶三元正极材料前驱体。本发明制备过程中避免了产生副产物气体，工艺简单且成本低。
一种纳米级单晶三元正极材料前驱制备方法

[发明专利]助溶剂法单晶生长井式炉-CN202110398536.3在审
发明人：王渊;刘健慧;廖奕;郝占阳;梅佳伟;陈朝宇 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种助溶剂法单晶生长井式炉。包括加热炉和位于加热炉下端的离心机，加热炉底部与离心机顶部以活动的离心机隔热块相间隔，离心机隔热块固定连接在直线电机的直线电机杆上，直线电机杆与轮之间形成传动机构，所述轮带动旋转机构旋转，在所述旋转机构上设置有夹具，离心机隔热块以及离心机杯均处于所述夹具的旋转范围内。本发明将加热炉与离心机一体化，从样品的加热到离心过程可以全程自动化完成。在玻璃管外层加用钽管包裹，减少了从加热炉到离心机转运过程中的热量损失。同时转运过程时间一定，使热量损失基本保持一定，便于实验分析。本发明自动化程度高，保证实验人员的安全，同时克服了实验中玻璃管易碎等问题。
溶剂法单晶生长井式炉

[发明专利]一种单晶三元材料的制备方法和应用-CN201911057863.1有效
发明人：唐淼;吕菲;徐宁;吴孟涛 -专利权人：天津巴莫科技有限责任公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶三元材料的制备方法及其应用。本发明首先制备了单晶前驱体，在制备前驱体的过程中加入了助熔剂，再配锂锂化后制备了单晶三元材料。制备步骤如下：1)称取一定量的前躯体A；2)按质量比1:0.001～1称取前驱体A和助熔剂B，混合均匀后，在含氧气氛下进行一次焙烧，焙烧产物粉碎后水洗除去助熔剂，烘干后得到单晶三元前驱体C；3)将单晶三元前驱体C和锂源按摩尔比1:1～1.1进行混合，混合均匀后，在含氧气氛下进行二次焙烧，焙烧产物经粉碎除磁后即为单晶三元材料产物。本发明将传统的一步合成法拆解为单晶前驱体的合成和配锂焙烧两步，相对于一步完成锂化的单晶化工艺，减小了Li/Ni混排，提高了单晶三元材料的容量和首效。
一种三元材料制备方法应用

[发明专利]利用电熔α-β氧化铝砖的除尘灰和铝-空气电池废电解液浆料制备莫来石晶须的方法-CN202011527881.4在审
发明人：武杏荣;王丹丹;申星梅;曹发斌 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开了固废利用技术领域的利用电熔α‑β氧化铝砖的除尘灰和铝‑空气电池废电解液浆料制备莫来石晶须的方法，包括以下步骤：(1)将废浆料进行酸解，加热浓缩、冷却结晶，过滤后得到滤固；(2)将滤固用乙醇多次洗涤后低温干燥，得到硫酸铝钾；(3)将硫酸铝钾和除尘灰混合向混合料中加入熔盐介质，混合均匀后研磨至粉体，随后放入电阻炉中，得到煅烧料；(4)煅烧料用蒸馏水反复洗涤，过滤后烘干，得到莫来石粉体；本发明与其他传统的莫来石的合成方法相比，采用熔盐法制备晶体的制备过程相对简单，所用到的主要原料均为废弃物，极大的节约了原料成本，有效地实现了对电熔α‑β氧化铝砖的除尘灰和铝‑空气电池废电解液浆料的再利用。
利用氧化铝尘灰空气电池电解液浆料制备莫来石晶须方法

[发明专利]一种利用硼酸盐助熔剂生长二氧化铀晶体的方法-CN202010262173.6有效
发明人：徐家跃;潘芸芳;李志超;冯海威;周鼎;田甜 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2020-04-06 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明申请属于晶体制备技术领域，具体公开了一种利用硼酸盐助熔剂生长二氧化铀晶体的方法，包括以下步骤：(1)助熔剂Li5U(BO3)3通过化学计量比的Li2CO3、H3BO3和UO2粉末进行混合研磨3h；(2)将步骤(1)中的混合粉末装入铂金坩埚中，通过三段温度烧结；(3)将助熔剂Li5U(BO3)3与UO2按摩尔比83mol％:17mol％配料，充分混合研磨后，装入铂金坩埚中，通Ar/5％H2，放置管式电阻炉中，升温至1235℃，利用Li5U(BO3)3助熔剂将UO2溶解，体系达到熔融态，通过缓慢冷却来达到过饱和度驱动晶体生长，得到UO2晶体。本方案主要用于制备二氧化铀晶体，解决了现有熔体法难以生长超高熔点二氧化铀晶体的问题。
一种利用硼酸盐熔剂生长氧化晶体方法

[发明专利]一种具有高载流子浓度的SnSe晶体及其生长方法和应用-CN201910444904.6有效
发明人：姚淑华;张航飞;吕洋洋;曹琳;陈延彬;陈延峰 -专利权人：南京大学
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高载流子浓度的SnSe晶体及其制备方法和应用。所述SnSe晶体采用助溶剂法生长，设备简单，成本低廉，晶体生长周期较短，有利于工业化生产，且发明人发现，采用NaCl作为助熔剂进行SnSe晶体生长，极大提升了SnSe晶体材料的电学性能。本发明仅需使用SnSe纯净粉体原料(Sn和Se按照化学计量比配料)，无需刻意掺杂其他元素或者非化学计量比配料，所得到的晶体即可自掺杂一定量的SnSe2，且载流子浓度在2K～300K范围内都是1019/cm3量级，具有优良的SnSe材料的电学性能，可有效地拓宽SnSe材料的高ZT值窗口，在热电应用方面具有重要意义。
一种具有载流子浓度 snse 晶体及其生长方法应用