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[发明专利]氮化物晶体-CN201811400336.1在审
发明人：藤仓序章;今野泰一郎;铃木贵征;北村寿朗;藤本哲尔;吉田丈洋 -专利权人：赛奥科思有限公司;住友化学株式会社
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化物晶体。本发明的课题在于，提高III族氮化物的晶体的品质，提高使用该晶体而制造的半导体设备的性能、成品率。本发明的解决手段是提供一种氮化物晶体，其是用In
氮化物晶体纳米压痕法测定半导体设备最大载荷成品率晶体的组成式制造

[发明专利]一种晶体制备方法及反应炉-CN201710525806.6有效
发明人：鲁正乾;王芳;刘玉怀 -专利权人：郑州大学
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明通过可控的多种源材料的送料结构，改变了传统的晶体反应炉结构，使在不改变生长条件的情况下，可以分别生长至少两种晶体，形成ABABA……的多层结构；通过多层结构的方式，让生长的晶体厚度可以控制在不会产生过大应力的范围内；且采用了多层结构，即晶体的单次产量不受制约，同时，每一生长周期所生长的晶体可以控制在不会产生过大应力的范围，从而可以减少由应力造成的缺陷，有效提高了晶体质量。
一种晶体制备方法反应炉

[发明专利]氮化物晶体基板、半导体层叠物、半导体层叠物的制造方法以及半导体装置的制造方法-CN201880035191.1在审
发明人：堀切文正;吉田丈洋 -专利权人：赛奥科思有限公司;住友化学株式会社
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种氮化物晶体基板，其由III族氮化物的晶体形成，且含有n型杂质，将波长设为λ(μm)、将27℃下的氮化物晶体基板的吸收系数设为α(cm
氮化物晶体式( 1 )基板吸收系数波长晶体形成自由电子近似

[发明专利]13族元素氮化物结晶基板及功能元件-CN201580063728.1有效
发明人：岩井真;吉野隆史 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：结晶基板2由13族元素氮化物结晶构成，且具有第一主面2a及第二主面2b。低载流子浓度区域4和高载流子浓度区域5在第一主面2a与第二主面2b之间延伸。低载流子浓度区域4的载流子浓度为10
载流子浓度区域主面氮化物结晶结晶基板族元素延伸

[发明专利]氮化物的单晶-CN201880033081.1在审
发明人：大井户敦;川崎克己;山泽和人 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高结晶性的氮化物的单晶。氮化物的单晶(10)具有纤锌矿型晶体结构，硼的含量为0.5质量ppm以上且251质量ppm以下。
氮化物单晶纤锌矿型晶体结构高结晶性

[发明专利]掺杂的稀土氮化物材料和包含其的器件-CN201580024829.8有效
发明人： F·纳塔利;B·J·鲁克;H·J·特罗达尔;S·A·韦齐恩 -专利权人： F·纳塔利;B·J·鲁克;H·J·特罗达尔;S·A·韦齐恩
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了镁掺杂的稀土氮化物材料，其中的一些为半绝缘的或绝缘的。本发明还公开了制备所述材料的方法。所述镁掺杂的稀土氮化物材料可以用于例如电子自旋器件、电子器件和光电器件的制造。
掺杂稀土氮化物材料包含器件

[发明专利]III族氮化物半导体基板和III族氮化物半导体基板的制造方法-CN201880021145.6在审
发明人：后藤裕辉;石原裕次郎 -专利权人：古河机械金属株式会社
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种III族氮化物半导体基板(自支撑基板(30))，其中，其由III族氮化物半导体晶体构成，厚度为300μm以上且1000μm以下，处于正背关系的露出的第一主表面和第二主表面均为半极性面，分别对于所述第一主表面和第二主表面使X射线与所述III族氮化物半导体晶体的m轴平行地入射而进行测定所获得的XRC(X‑ray Rocking Curve，X射线摇摆曲线)的半值宽度之差为500arcsec以下。
主表面自支撑基板半极性面晶体的入射平行

[发明专利]III族氮化物半导体基板的制造方法、III族氮化物半导体基板及块状晶体-CN201880021151.1在审
发明人：石原裕次郎;后藤裕辉;布田将一;小林智浩;佐佐木斉 -专利权人：古河机械金属株式会社
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种III族氮化物半导体基板的制造方法，其中，其具有：固定工序(S10)，该工序使包含以半极性面为主表面的III族氮化物半导体层的基底基板固定于基座；第一生长工序(S11)，该工序在使基底基板已固定于基座的状态下，以HVPE法使III族氮化物半导体在III族氮化物半导体层的主表面上生长，形成第一生长层；冷却工序(S12)，该工序对包含基座、基底基板和第一生长层的层叠体进行冷却；和第二生长工序(S13)，该工序在使基底基板已固定于基座的状态下，以HVPE法使III族氮化物半导体在第一生长层上生长，形成第二生长层。
基底基板生长层生长半极性面固定工序冷却工序层叠体主表面冷却制造

[发明专利]III族氮化物半导体基板-CN201880019839.6在审
发明人：后藤裕辉;石原裕次郎 -专利权人：古河机械金属株式会社
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：根据本发明，提供一种III族氮化物半导体基板(自支撑基板(30))，其由III族氮化物半导体晶体构成，处于正背关系的露出的第一主表面和第二主表面均为半极性面，在室温条件下，照射波长为325nm、输出为10mW以上且40mW以下的氦‑镉(He‑Cd)激光，以面积1mm²为单位进行成像(mapping)的光致发光(PL，photoluminescence)测定中的所述第一主表面和第二主表面各自的发光波长的变动系数均为0.05％以下，所述变动系数是通过以发光波长的标准偏差除以发光波长的平均值来算出的。如果在该自支撑基板(30)上制作器件，可抑制器件间的品质的偏差。
主表面发光波长自支撑基板变动系数半极性面光致发光室温条件抑制器件照射波长成像激光输出制作

[发明专利]一种多孔氮化钛单晶材料及其制备方法和应用-CN201810342214.5在审
发明人：谢奎;林国明 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种多孔氮化钛单晶材料及其制备方法和应用，所述多孔氮化钛单晶材料中含有10nm～1000nm的孔。多孔氮化钛单晶作为一种新材料，在光电转换，催化，电催化领域以及电化学能源存储系统中都有潜在的应用。此外，该晶体材料的方法操作简单、重复性好、价格低廉。
多孔氮化钛单晶材料制备方法和应用电化学能源存储系统光电转换晶体材料电催化潜在的单晶催化申请应用

[发明专利]氧化铝基板-CN201580042829.0有效
发明人：山泽和人;大井户敦;川崎克己 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2015-08-06 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明涉及氧化铝基板。本发明的目的在于提供一种在将AlN结晶等制作于氧化铝基板上时能够制作出更高质量的结晶的氧化铝基板。本发明的另外一个目的在于提供一种AlN层的翘曲被减小的氧化铝基板。本发明的再有一个目的在于提供一种基板材料，在作为种基板进行使用的情况下，当被过度施加由不可避免发生的晶格不匹配引起的应力时，能够促进自然剥离主导的基板独立化。通过将AlN层形成于氧化铝基板的表面上并且将稀土含有层以及/或者稀土含有区域形成于AlN层的内部或者AlN层与所述氧化铝基板的界面上从而缓和对AlN层的应力，能够减小翘曲。另外，如果使用这样的基板来培养AlN结晶则能够通过自然剥离令培养了的结晶独立化。
氧化铝

[发明专利]自立基板、功能元件及其制造方法-CN201680004629.0有效
发明人：吉野隆史;今井克宏;坂井正宏 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：自立基板包括第一氮化物层和第二氮化物层，该第一氮化物层是通过氢化物气相生长法或氨热法培养得到的且包含从由镓、铝以及铟构成的组中选择的一种以上元素的氮化物，该第二氮化物层通过钠助熔剂法在第一氮化物层上培养得到且包含从由镓、铝以及铟构成的组中选择的一种以上元素的氮化物。第一氮化物层中，排列有多个在第一氮化物层的一对主面间延伸的单晶粒子，第二氮化物层中，排列有多个在第二氮化物层的一对主面间延伸的单晶粒子，第一氮化物层的厚度大于第二氮化物层的厚度。
自立功能元件及其制造方法

[发明专利]一种多孔氮化钼单晶材料及其制备方法和应用-CN201910559681.8在审
发明人：谢奎;席少波 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有纳米孔道结构的多孔氮化钼单晶材料及其制备方法，多孔氮化钼单晶材料具有大尺寸，目前还没有报道制备大尺寸的多孔氮化钼单晶的方法。所述多孔氮化钼单晶材料中含有10nm～1000nm的孔。本发明的多孔氮化钼单晶可以作为新型的催化材料、性能优异的超级电容器电极材料。
氮化钼单晶材料单晶制备超级电容器电极制备方法和应用纳米孔道结构催化材料申请

[发明专利]13族元素氮化物结晶的培养方法及装置-CN201580067845.5有效
发明人：野口卓;东原周平;平尾崇行;内川哲哉 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：通过将13族元素源、包含碱金属和碱土金属中的至少一方的助熔剂、及在常温下为液体的添加剂5收纳于结晶培养容器10，在含有氮原子的气体气氛下对结晶培养容器10进行加热、加压，由此生成包含13族元素源、助熔剂及添加剂的熔液14。此时，防止添加剂5蒸发直至助熔剂熔融，使13族元素氮化物结晶在熔液中生长。
族元素助熔剂添加剂氮化物结晶培养容器熔液碱金属收纳碱土金属气体气氛常温下氮原子熔融加热加压蒸发生长

[发明专利]氮化物半导体基板及其制造方法以及半导体器件-CN201780072551.0在审
发明人：藤原康文;朱婉新;小泉淳;布兰登·米切尔;汤姆·格雷戈尔凯维奇 -专利权人：国立大学法人大阪大学
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体基板的制造技术，其即使在蓝宝石等廉价基材上也能够大面积制造位错密度充分降低的氮化物半导体基板。一种氮化物半导体基板，其中，在基材上形成的氮化物半导体层通过非掺杂氮化物层与添加有稀土元素作为掺杂材料的稀土元素添加氮化物层进行层叠而形成，位错密度为10⁶cm^‑2数量级以下。一种氮化物半导体基板的制造方法，其使用有机金属气相外延法，在900～1200℃的温度条件下，不从反应容器取出而通过一连串的形成工序来进行下述工序：使GaN、InN、AlN或这些之中的任意两种以上的混晶在基材上生长而形成非掺杂氮化物层的工序；以及形成添加有稀土元素从而置换Ga、In或Al的稀土元素添加氮化物层的工序。
氮化物半导体基板稀土元素基材非掺杂氮化物层氮化物层位错制造有机金属气相外延氮化物半导体层半导体器件蓝宝石掺杂材料温度条件形成工序混晶取出置换生长