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[发明专利]制造氮化物半导体晶体的装置、制造氮化物半导体晶体的方法和氮化物半导体晶体-CN201080002414.8有效
发明人：佐藤一成;宫永伦正;山本喜之;中幡英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造氮化物半导体晶体的装置，其具有足够的耐久性且在从坩埚外部混入杂质方面受到抑制。本发明还公开了一种制造氮化物半导体晶体的方法以及氮化物半导体晶体。具体地，本发明公开了一种制造氮化物半导体晶体的装置(100)，其包含坩埚(101)、加热单元(125)和覆盖部件(110)。在所述坩埚(101)内部设置源材料(17)。在所述坩埚(101)的外围设置加热单元(125)，其中所述加热单元对所述坩埚(101)的内部进行加热。在所述坩埚(101)与所述加热单元(125)之间布置覆盖部件(110)。所述覆盖部件(110)包含第一层(111)和第二层(112)，所述第一层(111)被布置在面对所述坩埚(101)的侧上，并由熔点比所述源材料(17)的熔点高的金属形成，所述第二层(112)被布置在所述第一层(111)的外围侧上，并由构成所述第一层(111)的金属的碳化物形成。
制造氮化物半导体晶体装置方法

[发明专利]化合物半导体衬底、半导体器件及其制造方法-CN200980130082.9无效
发明人：石桥惠二;中西文毅 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-01-26 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明的化合物半导体衬底(10)由Ⅲ族氮化物构成且表面具有表面层(12)，该表面层(12)含有以Cl换算为200×1010个/cm2以上且12000×1010个/cm2以下的氯化物、和以O换算为3.0原子％以上且15.0原子％以下的氧化物。本发明人经过深入研究，结果新发现：当化合物半导体衬底(10)的表面的表面层(12)含有以Cl换算为200×1010个/cm2以上且12000×1010个/cm2以下的氯化物和以O换算为3.0原子％以上且15.0原子％以下的氧化物时，化合物半导体衬底(10)与形成于其上的外延层(14)之间的界面处的Si减少，结果界面处的电阻降低。
化合物半导体衬底半导体器件及其制造方法

[发明专利]Ⅲ族氮化物晶体的制造方法及Ⅲ族氮化物晶体-CN200980127950.8无效
发明人：宫永伦正;水原奈保;谷崎圭祐;佐藤一成;中幡英章;荒川聪;山本喜之;樱田隆 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-06-26 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种III族氮化物晶体的制造方法及III族氮化物晶体，用于生长具有大的厚度且高品质的III族氮化物晶体。III族氮化物晶体13的制造方法具备以下的工序。首先，准备具有相对于(0001)面向<1-100>方向倾斜的主表面(11a)的底部基板(11)。然后，通过气相生长法在底部基板(11)的主表面(11a)上生长III族氮化物晶体(13)。底部基板(11)的主表面(11a)优选为相对于{01-10}面倾斜-5°以上且5°以下的面。
氮化物晶体制造方法

[发明专利]制造Al_xGa_(1-x)N单晶的方法、Al_xGa_(1-x)N单晶和光学部件-CN200980125958.0有效
发明人：荒川聪;樱田隆;山本喜之;佐藤一成;谷崎圭祐;中幡英章;水原奈保;宫永伦正 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-06-25 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种通过以升华法来生长AlxGa(1-x)N单晶而制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括：准备衬底的步骤，所述衬底具有与所述AlxGa(1-x)N单晶的组成比相同的组成比(x)；准备高纯度原料的步骤；以及升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶的步骤。AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250nm至小于300nm的光显示100cm-1以下的吸收系数，并且对波长为300nm至小于350nm的光显示21cm-1以下的吸收系数，每个吸收系数是在300K下确定的。
制造 al sub ga 方法光学部件

[发明专利]制造Al_xGa_(1-x)N单晶的方法、Al_xGa_(1-x)N单晶和光学透镜-CN200980125962.7无效
发明人：荒川聪;樱田隆;山本喜之;佐藤一成;谷崎圭祐;中幡英章;水原奈保;宫永伦正 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-06-25 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种通过以升华法生长AlxGa(1-x)N单晶(10)来制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括准备衬底的步骤、准备高纯度原料的步骤和升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶(10)的步骤。所述AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250至300nm的光显示2.4以上的折射率，并且对波长超过300nm并且短于350nm的光显示2.3以上的折射率，每个折射率都是在300K下测定的。
制造 al sub ga 方法光学透镜

[发明专利]AlN块状单晶、使用该单晶的半导体装置和生产该单晶的方法-CN200980119077.8有效
发明人：永田俊郎;阿尔博瑞特·文纳克尔;鲍里斯·M·爱普鲍姆;马提亚·柏克曼恩;奥克塔维安·菲利普;保罗·黑曼恩 -专利权人：杰富意矿物股份有限公司;埃尔朗根-纽伦堡弗里德里希·亚历山大大学;克里斯塔尔-N股份公司
申请日： 2009-03-26 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明的目的为提供即使将不同于AlN的单晶材料充当晶体，具有较少缺陷和高品质AlN块状单晶、制备该AlN块状单晶的方法和半导体装置。其特征为将相对于C面以10°到80°的角度倾斜的面选择充当晶种(1)(图1(a))的六方单晶基板的表面(1a)并且AlN单晶(2)通过升华方法(图1(b))生长在作为生长面(2a)的表面(1a)上。
aln 块状使用半导体装置生产方法

[发明专利]Al_xGa_1-xN单晶和电磁波透过体-CN200980119278.8无效
发明人：荒川聪;樱田隆;宫永伦正;谷崎圭祐;水原奈保;佐藤一成;中幡英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-05-25 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种适合作为电磁波透过体的AlxGa1-xN单晶。本发明还公开了一种包含AlxGa1-xN单晶的电磁波透过体。当在25℃的气氛温度下，施加1MHz和1GHz中的至少任何一种高频信号时，AlxGa1-xN(0＜x≤1)单晶(2)具有不大于5×10-3的介电损耗角正切。电磁波透过体(4)包括具有一个主面(2m)的AlxGa1-xN单晶(2)，其中当在25℃的气氛温度下，施加1MHz和1GHz中的至少任何一种高频信号时，所述AlxGa1-xN单晶(2)具有不大于5×10-3的介电损耗角正切。
al sub ga 电磁波透过

[发明专利]制造Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v衬底以及外延晶片-CN200980114398.9无效
发明人：佐藤一成;宫永伦正;藤原伸介;中幡英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-04-17 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供了制造裂纹数减少且具有高加工性的Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底、以及外延晶片。所述制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底(10a)的方法包括下列步骤：首先，准备Si衬底(11)；然后，在低于550℃的温度下在所述Si衬底上生长Si(1-v-w-x)CwAlxNv层(0＜v＜1，0＜w＜1，0＜x＜1，且0＜v+w+x＜1)。
制造 si sub al 衬底方法外延晶片以及

[发明专利]层叠体及其制造方法-CN200980102299.9无效
发明人：纐纈明伯;熊谷义直;石附正成;永岛彻;箱守明;高田和哉 -专利权人：国立大学法人东京农工大学;株式会社德山
申请日： 2009-01-09 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种晶面的曲率半径大的Al系III族氮化物单晶自立基板，其是AlN等III族氮化物单晶自立基板，其可适合用于形成紫外发光元件等半导体元件，该自立基板如下获得：在由蓝宝石等无机物质的单晶构成的基底基板上形成厚度3～200nm的Al系III族氮化物单晶薄膜层后，在含有氨气的还原性气体气氛中在800～1600℃下加热处理，在所得层叠基板的基底基板与Al系III族氮化物单晶薄膜层的界面处形成空隙，接着在上述Al系III族氮化物单晶薄膜层上形成III族氮化物单晶厚膜，将其分离，从而获得自立基板；所述无机物质在惰性气体中800℃下不会实质性分解，而在800～1600℃下与氢气等还原性气体接触而分解并生成挥发性物质。
层叠及其制造方法

[发明专利]Ⅲ族金属氮化物单晶的制造方法-CN200980103154.0有效
发明人：平尾崇行;今井克宏;市村干也 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2009-01-22 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种III族金属氮化物单晶的制造方法，使用模板基板(10A)，其具有：具备侧面(1b)以及一对主面(1a)的基板主体(1)、形成在主面(1a)上的III族金属氮化物单晶的基膜(2)。通过液相法，在基板主体1的至少一个主面(1a)上培养III族金属氮化物单晶(3)。从平面观测，基膜(2)呈凸图形。未设置基膜的未成面(4)包围在基膜(2)的整个周围。在基膜(2)成长的III族金属氮化物单晶(3)不与成长在其他基膜的III族金属氮化物单晶接触。
金属氮化物制造方法

[发明专利]具有A1系Ⅲ族氮化物单晶层的层叠体的制造方法、通过该制法制得的层叠体、使用该层叠体的A1系Ⅲ族氮化物单晶基板的制造方法及氮化铝单晶基板-CN200880124855.8无效
发明人：永岛彻;箱守明;高田和哉;石附正成;纐纈明伯;熊谷义直 -专利权人：国立大学法人东京农工大学;株式会社德山
申请日： 2008-12-16 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：利用下述层叠体的制造方法，提供可适合作为制造Al系III族氮化物单晶自立基板的基底基板来使用的、表面由Al系III族氮化物的单晶构成、且没有裂纹、翘曲的基板。所述制造方法包括以下工序：(1)准备基底基板的工序，所述基底基板具有由与构成欲形成的Al系III族氮化物单晶层的材料不同的材料的单晶构成的表面；(2)在所准备的基底基板的单晶面上形成厚度为10nm～1.5μm的Al系III族氮化物单晶层的工序；(3)在Al系III族氮化物单晶层上形成厚度为Al系III族氮化物单晶层的100倍以上的非单晶层而不破坏Al系III族氮化物单晶层的工序；及(4)将基底基板除去的工序。
具有 a1 氮化物单晶层层叠制造方法通过制法使用单晶基板氮化铝单晶基板

[发明专利]生长Ⅲ族氮化物晶体的方法-CN200980102461.7无效
发明人：佐藤史隆;中畑成二 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-01-08 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了用于生长III族氮化物晶体的方法，其包括如下步骤：准备衬底(10)，所述衬底包括构成其一个主面(10m)的III族氮化物晶种(10a)；通过气相腐蚀在所述衬底(10)的所述主面(10m)上形成多个小平面(10ms、10mt、10mu)；以及在其上形成有所述小平面(10ms、10mt、10mu)的所述主面(10m)上生长III族氮化物晶体(20)。以此方式，能够容易且有效地得到具有低位错密度的III族氮化物晶体(20)。
生长氮化物晶体方法

[发明专利]Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法、包括Ⅲ族氮化物系化合物半导体的晶片以及Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件-CN200980101248.4有效
发明人：奥野浩司;新田州吾;斋藤义树;牛田泰久;中田尚幸;坊山晋也 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2009-01-27 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：为了制造具有m面主表面和均匀取向的晶轴的III族氮化物系化合物半导体。在蓝宝石衬底的a面主表面中形成具有侧表面的台面，该侧表面具有与c面成45°或更小的倾角。随后，在300-420℃下供应三甲基铝，从而形成具有或更小厚度的铝层。将铝层氮化以形成氮化铝层。通过该程序，在具有a面主表面的蓝宝石衬底中，III族氮化物系化合物半导体仅从具有与c面成45°或更小倾角的台面侧表面外延生长。因此，可形成具有与蓝宝石衬底的主表面平行的m面的III族氮化物系化合物半导体。
氮化物化合物半导体制造方法包括晶片以及半导体器件

[发明专利]制造Ⅲ族氮化物半导体的方法-CN201010139890.6有效
发明人：佐藤峻之;永井诚二;森勇介;北冈康夫;岩井真;东原周平 -专利权人：丰田合成株式会社;国立大学法人大阪大学;日本碍子株式会社
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明制造III族氮化物半导体的方法，本发明的一个目的是在通过Na助熔剂法制造GaN的过程中有效地添加Ge。在坩埚中，将种晶衬底放置为使得衬底的一端保持在支撑基座上，由此使种晶衬底相对于坩埚的底表面保持倾斜，并且将镓固体和锗固体放置在种晶衬底和坩埚的底表面之间的空间中。然后，将钠固体放置在种晶衬底上。通过采用这种配置，当通过Na助熔剂法在种晶衬底上生长GaN晶体时，使得锗在形成钠-锗合金之前溶于熔融镓中。因此，GaN晶体可以有效地掺杂Ge。
制造氮化物半导体方法

[发明专利]用于生长平坦半极性氮化镓的技术-CN201010111379.5无效
发明人：特洛伊·J·贝克;本杰明·A·哈斯克尔;保罗·T·菲尼;史蒂文·P·登巴尔斯;詹姆斯·S·斯佩克;中村修二 -专利权人：加利福尼亚大学董事会;独立行政法人科学技术振兴机构
申请日： 2006-03-10 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种用于在斜切尖晶石衬底上生长平坦半极性氮化物薄膜的方法，其中大面积的所述平坦半极性氮化物薄膜与所述衬底的表面平行。所述平坦薄膜和衬底为：(1)生长于沿特定方向斜切的{100}尖晶石衬底上的{101 1}氮化镓(GaN)，(2)生长于{110}尖晶石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)，(3)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1122}氮化镓(GaN)，和(4)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)。
用于生长平坦极性氮化技术