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[发明专利]一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法-CN201110286896.0无效
发明人：夏洋;饶志鹏;万军;刘键;李超波;陈波;黄成强;石莎莉;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明涉及氮化碳的制备技术，具体涉及一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向原子层沉积设备反应腔中通入碳源气体，碳源气体作为第一反应前驱体在硅衬底表面进行碳化学吸附，碳源气体中的碳原子吸附在硅衬底上；吸附在硅衬底上的碳原子与通入含氮的第二反应前驱体发生卤代反应，并产生相应的产物，直到硅衬底表面的碳原子完全消耗，在衬底表面形成单晶立方型氮化碳薄膜。本发明利用原子层沉积技术制备单晶立方型氮化碳薄膜，该制备方法操作简单，转化率高，能耗小，且制得的单晶立方型氮化碳薄膜结构完整。
一种立方氮化薄膜制备方法

[发明专利]3B族氮化物的晶体生长方法及3B族氮化物晶体-CN200980156873.9有效
发明人：下平孝直;平尾崇行;今井克宏 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：在使氮化镓晶体生长时，将晶种基板浸泡于含有镓和钠的混合熔液中。接着，在含氮气不含氧气的加压气氛下，以加热混合熔液的状态，使氮化镓晶体生长在晶种基板上。此时，作为搅拌混合熔液的条件，先采用第1搅拌条件，其被设定为使氮化镓晶体生长于晶种基板上以使生长面变凹凸，其后，再采用第2搅拌条件，其被设定为使氮化镓晶体生长于晶种基板上以使生长面变平滑。
氮化物晶体生长方法晶体

[发明专利]GaN衬底、制造GaN衬底的方法、制造接合有GaN层的衬底的方法和制造半导体器件的方法-CN200980156201.8无效
发明人：八乡昭广 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-11-13 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种具有最小的机械加工余量以便于稳定加工的GaN衬底及其制造方法；本发明还提供一种利用所述GaN衬底制造接合有GaN层的衬底和半导体器件的方法。本发明的GaN衬底20包含第一区域20j和具有比所述第一区域20j的Ga/N原子比更高的Ga/N原子比的第二区域20i；其中所述第二区域20i以自一个主表面20m起预定深度为D的位置为中心，从深度D-ΔD扩展到深度D+ΔD，所述第二区域的所述深度为D的部位的Ga/N原子比与所述第一区域20j的深度在D+4ΔD以上的部位的Ga/N原子比之差是所述深度为D+ΔD的部位的Ga/N原子比与所述第一区域20j的所述深度在D+4ΔD以上的部位的Ga/N原子比之差的三倍，且其中所述第二区域20i的Ga/N原子比对所述第一区域20j的深度在D+4ΔD以上的部位的Ga/N原子比之比至少为1.05。
gan 衬底制造方法接合半导体器件

[发明专利]3B族氮化物晶体-CN200980155467.0无效
发明人：平尾崇行;岩井真;今井克宏 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：以蓝宝石基板作为晶种基板，在其表面形成氮化镓薄膜，将其装入培育容器12中。再称取摩尔比25～32∶68～75的金属镓与金属钠装入培育容器12中。将此培育容器12放入反应容器20中，连结进气管22与反应容器20，介由压力控制器40从氮气瓶42中向反应容器20中填充氮气。然后，控制反应容器20内的氮气压使其达到所定值，设定各个目标温度使下层加热器46的温度高于上层加热器44，进行氮化镓晶体生长。由此可以获得晶粒尺寸大且位错密度小的3B族氮化物晶体。
氮化物晶体

[发明专利]3B族氮化物晶板-CN200980154840.0有效
发明人：下平孝直;今井克宏;岩井真;平尾崇行 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2009-12-14 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明的3B族氮化物晶板是通过助熔剂法使3B族氮化物晶体生成于晶种基板上的3B族氮化物晶板，在所述晶种基板中，所述晶种基板中除去外围部的全部面积的70％的区域上生成的3B族氮化物晶体的夹杂物含有率在10％以下，优选2％以下。
氮化物

[发明专利]Ⅲ族氮化物衬底、包含其的半导体设备及制造经表面处理的Ⅲ族氮化物衬底的方法-CN200980154114.9有效
发明人：石桥惠二 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-01-19 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明一实施方式涉及的III族氮化物衬底具有表面层。该表面层含有3at.％～25at.％的碳，并且含有5×1010原子/cm2～200×1010原子/cm2的p型金属元素。该III族氮化物衬底成为具有稳定表面的III族氮化物衬底。
氮化物衬底包含半导体设备制造表面处理方法

[发明专利]氮化物系化合物半导体基板的制造方法及氮化物系化合物半导体自支撑基板-CN201180000506.7无效
发明人：森冈理;高草木操;三上充;清水孝幸 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种可防止氮化物系化合物半导体层产生翘曲、能够使面内偏角的偏差小的氮化物系化合物半导体层以良好的再现性生长的技术。在利用HVPE法制造氮化物系化合物半导体基板的方法中，在第1生长温度下，在稀土类钙钛矿基板上形成低温保护层(第1步骤)，在高于第1生长温度的第2生长温度下，在该低温保护层上形成包含氮化物系化合物半导体的厚膜层(第2步骤)。在第1步骤中，对HCl及NH3的供给量进行调整，使HCl与NH3的供给比III/V为0.016~0.13，形成膜厚50~90nm的低温保护层。
氮化物化合物半导体制造方法支撑

[发明专利]生长氮化镓晶体的方法和制造氮化镓晶体的方法-CN200980148584.4无效
发明人：竹山知阳 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-11-26 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：在一个方面中的生长GaN晶体的方法中，实施下列步骤。准备底部衬底(步骤S1)。然后，在所述底部衬底上形成具有开口部分并由SiO2构成的掩模层(步骤S2)。然后，在底部衬底和掩模层上生长GaN晶体(步骤S5)。所述掩模层具有不大于2nm的表面粗糙度Rms或不小于8m的曲率半径。在一个方面中的生长GaN晶体的方法中，实施下列步骤。准备底部衬底(步骤S 1)。然后，使用抗蚀剂，在所述底部衬底上形成具有开口部分的掩模层(步骤S2)。然后，利用酸溶液对所述底部衬底和所述掩模层进行清洁(步骤S3)。然后，在利用酸溶液进行清洁的步骤S3之后，利用有机溶剂对所述底部衬底和所述掩模层进行清洁(步骤S4)。然后，在所述底部衬底和所述掩模层上生长GaN晶体(步骤S5)。
生长氮化晶体方法制造

[发明专利]氮化物半导体衬底、其制造方法及氮化物半导体装置-CN201010518494.4有效
发明人：大岛佑一;吉田丈洋 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供氮化物半导体衬底、其制造方法以及使用其的氮化物半导体装置。通过研究具有与内部区域相比特别优秀品质的最外表面(表层区域)的氮化物半导体衬底以及表面加工方法，提供释放最外表面(表层区域)的应变、可在最外表面上设置高品质层的氮化物半导体衬底。该衬底具有由作为生长面的表面和其反对侧的背面构成的两个主面，利用从相对于所述表面倾斜的特定非对称面的衍射，通过X射线摆动曲线测定得到距所述表面规定深度的区域的对应的半值宽度，由此所得的距所述表面深度为0～250nm的表层区域的半值宽度比距所述表面深度超过5μm的内部区域的半值宽度窄。
氮化物半导体衬底制造方法装置

[发明专利]改善的半绝缘III族金属氮化物及其制造方法-CN201110061625.5无效
发明人：马克·P·德伊夫林 -专利权人： SORAA有限公司
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供可用作制造用于电子和/或光电子应用的GaN器件的衬底的大面积、高纯度、低成本单晶半绝缘氮化镓。所述氮化镓通过在氨热生长过程中以深受体掺杂剂物质例如Mn、Fe、Co、Ni、Cu等掺杂氮化镓材料以补偿氮化镓中的供体物质，并且赋予氮化镓的半绝缘特性而形成。
改善绝缘 iii 金属氮化物及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体晶体、氮化物半导体自支撑衬底的制造方法以及氮化物半导体器件-CN201010547424.1有效
发明人：藤仓序章 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2010-11-15 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供氮化物半导体晶体、氮化物半导体自支撑衬底的制造方法以及氮化物半导体器件。所述氮化物半导体晶体不会产生开裂、裂纹，具有可取得多张氮化物半导体自支撑衬底的结构。所述氮化物半导体晶体(10)的特征在于，层叠同种的氮化物半导体层至厚度2mm以上，且前述层叠的同种氮化物半导体层是通过杂质浓度低的氮化物半导体层(1)和杂质浓度高的氮化物半导体层(2)交替2周期以上地层叠而构成的。
氮化物半导体晶体支撑衬底制造方法以及半导体器件

[发明专利]制造氮化物半导体晶体的方法、氮化物半导体晶体以及制造氮化物半导体晶体的装置-CN201080002639.3有效
发明人：佐藤一成;宫永伦正;山本喜之 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-01-13 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了制造氮化物半导体晶体的方法，其中实施下列步骤。首先，准备在内部配置源材料(17)的坩埚(101)。然后，在所述坩埚(101)内，通过加热和升华所述源材料(17)而淀积源材料气体，从而生长氮化物半导体晶体。在所述准备步骤中，准备由熔点比所述源材料(17)的熔点高的金属制成的坩埚(101)。
制造氮化物半导体晶体方法以及装置

[发明专利]衬底、提供有外延层的衬底、制造衬底的方法和制造提供有外延层的衬底的方法-CN200980135114.4无效
发明人：松本直树 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种以低成本形成并且具有受控的板形的衬底、通过在衬底上形成外延层而获得的提供有外延层的衬底及其制造方法。根据本发明的制造衬底的方法包括如下步骤：晶锭生长步骤(S110)，其用作制备由氮化镓(GaN)形成的晶锭的步骤；以及切片步骤(S120)，其用作通过对所述晶锭进行切片而获得由氮化镓形成的衬底的步骤。在切片步骤(S120)中，通过所述切片而获得的所述衬底具有在10mm的线上不小于0.05μm且不大于1μm的算术平均粗糙度Ra的主表面。
衬底提供外延制造方法

[发明专利]制造氮化物衬底的方法和氮化物衬底-CN200980134190.3有效
发明人：荒川聪;宫永伦正;樱田隆;山本喜之;中幡英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-08-26 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种制造氮化物衬底(10)的方法，其提供有以下步骤。首先，生长氮化物晶体。然后，从该氮化物晶体切割包括前表面(11)的氮化物衬底(10)。在该切割步骤中，切割氮化物衬底(10)，使得在与前表面(11)正交的轴和m轴或a轴之间形成的偏离角大于零。当在c轴方向上生长氮化物晶体时，在切割步骤中，沿着穿过氮化物晶体的前表面和后表面且没有穿过连接氮化物晶体的前表面的曲率半径中心与后表面的曲率半径中心的线段的平面，从氮化物晶体切割氮化物衬底(10)。
制造氮化物衬底方法

[发明专利]III族氮化物晶体及其制造方法-CN201080002480.5无效
发明人：上松康二;长田英树;中畑成二;藤原伸介 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-06-03 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种制造III族氮化物晶体的方法，在所述方法中能够在高晶体生长速率下生长具有主面的高结晶度III族氮化物晶体，所述主面的面取向不同于{0001}。本发明的制造III族氮化物晶体的方法包括：从III族氮化物块晶体1切割多个具有主面的III族氮化物晶体衬底10p和10q的步骤，所述主面10pm和10qm的面取向对于选自{20-21}、{20-2-1}、{22-41}和{22-4-1}中的晶体几何等价面取向的偏离角为五度以下；以相互邻接的方式横向布置所述衬底10p和10q使得所述衬底10p和10q的所述主面10pm和10qm相互平行且所述衬底10p和10q的各个[0001]方向相互一致的步骤；以及在所述衬底10p和10q的所述主面10pm和10qm上生长III族氮化物晶体20的步骤。
iii 氮化物晶体及其制造方法