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[发明专利]氮化物半导体基板的制造方法和氮化物半导体基板-CN201980081552.0有效
发明人：吉田丈洋 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种氮化物半导体基板的制造方法，其使用了气相外延法，所述制造方法具有如下工序：准备基底基板的工序，所述基底基板由与III族氮化物半导体的单晶不同的材料形成；使基底层在基底基板的上方生长的工序；第一工序，使具有露出(0001)面的顶面的III族氮化物半导体的单晶在基底层的基底面上直接外延生长，使顶面产生由除了(0001)面之外的倾斜界面构成的多个凹部，使该倾斜界面随着向基底层的基底面的上方去而缓缓扩大，使(0001)面从顶面消失，从而使表面仅由倾斜界面构成的第一层生长；以及第二工序，使III族氮化物半导体的单晶在第一层上外延生长，使倾斜界面消失，使具有经镜面化的表面的第二层生长，在第一工序中，使单晶以(0001)面作为生长面并以规定的厚度生长后，使该单晶的顶面产生多个凹部。
氮化物半导体制造方法

[发明专利]GaN层叠基板的制造方法-CN201980052719.0有效
发明人：久保田芳宏;永田和寿 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：将偏角0.5～5度的C面蓝宝石薄膜(1t)转印至由800K下的热膨胀率比硅大、比C面蓝宝石小的陶瓷材料构成的操作基板上，从而制作GaN外延生长用基板(11)；进行GaN外延生长用基板(11)的高温氮化处理而将C面蓝宝石薄膜(1t)表面用由AlN构成的表面处理层(11a)被覆；使GaN在该表面处理层(11a)上外延生长，制作表面由N极性面构成的GaN膜负载体；对GaN膜(13)进行离子注入；将经离子注入的GaN膜负载体的GaN膜侧表面与支撑基板(12)贴合以接合；在GaN膜(13)中的离子注入区域(13ion)进行剥离而将GaN薄膜(13a)转印至支撑基板(12)上，得到在支撑基板(12)上具有表面由Ga极性面构成的结晶性和平坦性良好的GaN薄膜(13a)的GaN层叠基板(10)。
gan 层叠制造方法

[发明专利]氮化物晶体基板以及氮化物晶体基板的制造方法-CN201910399256.7有效
发明人：堀切文正;木村健 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明涉及氮化物晶体基板以及氮化物晶体基板的制造方法，提供一种能够使氮化物晶体基板中的载流子浓度和迁移率中的至少任一者大致均匀地分布的技术。一种氮化物晶体基板，其具有主面，由III族氮化物的晶体形成，将基于利用反射型傅立叶变换红外光谱法测定的主面的反射率而求出的氮化物晶体基板的主面侧的载流子浓度设为NIR、将基于氮化物晶体基板的电阻率和利用涡流法测定的氮化物晶体基板的迁移率而求出的氮化物晶体基板中的载流子浓度设为NElec时，主面中央的载流子浓度NIR相对于载流子浓度NElec的比率NIR/NElec满足式(1)(0.5≤NIR/NElec≤1.5)。
氮化物晶体以及制造方法

[发明专利]一种超薄二维过渡金属氮化物单晶结构及其制备方法与应用-CN202110981014.6在审
发明人：傅强;赵常保;王彬;孟彩霞 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄二维过渡金属氮化物单晶结构及其制备方法与应用，属于纳米材料技术领域。主要包括以下步骤：配置不同浓度的过渡金属盐溶液；对蓝宝石基底进行表面预处理，使其表面亲水；利用旋涂仪将过渡金属盐溶液旋涂至蓝宝石基底的表面；在程序升温管式炉中进行化学气相沉积反应制备超薄二维过渡金属氮化物单晶。通过调变调控生长温度及前驱体浓度可控制备不同物相的超薄二维过渡金属氮化物单晶。这种通过调变温度和气氛压力直接熔融过渡金属盐的制备方法，简单易行，可以扩展到其他过渡金属氮化物的可控制备，为后续氮化物薄膜材料的可控制备和应用研究奠定了良好的基础。
一种超薄二维过渡金属氮化物结构及其制备方法应用

[发明专利]外延结晶生长用自立基板及功能元件-CN202180043074.1在审
发明人：坂井正宏;吉野隆史 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：在包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或者它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的外延结晶生长用自立基板的基础上，防止在使外延结晶生长的工序中在自立基板或外延结晶发生开裂。包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或者它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的外延结晶生长用自立基板21具有氮极性面21a和13族元素极性面21b。氮极性面21a呈凸状翘曲，在氮极性面21a的外周部21c设置有倒角部21c。
外延结晶生长自立功能元件

[发明专利]一种氮化硅单晶材料及其制备方法-CN202211138651.8在审
发明人：林伟毅;刘卫平;林武城;陈智 -专利权人：福建镓镒半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅单晶材料及其制备方法，涉及氮化硅单晶技术领域，包括步骤10、提供单晶硅片衬底：将单晶硅片放入陶瓷舟中，在将陶瓷舟放入加热炉中，并通入惰性气体；步骤20、加热并恒温：将加热炉的温度逐渐升至1150‑1350℃，并恒温保持2‑10h；步骤30、加热反应：在持续加热过程中，通入恒定的反应气流惰性气体和氮气，质量比为10:2；步骤40、外延生长：等待加热炉冷却至室温后再晶硅片表面上有白色絮状物，并通过机械玻璃，获得氮化硅单晶材料，本发明以优选氨气作为预处理气体，在高温中对单晶硅片表面进行清洁处理，去除单晶硅片表面形成的一层氧化层，便于通过化学气相沉积方式促进氮化硅晶体生成。
一种氮化硅单晶材料及其制备方法

[发明专利]氮化物半导体基板的制造方法、氮化物半导体基板和层叠结构体-CN201980056250.8有效
发明人：吉田丈洋 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明具有如下工序：准备基底基板的工序；在基底基板的主面上形成具有多个开口部的掩膜层的工序；第一工序，使表面仅由倾斜界面构成的第一层在基底基板的主面上生长；以及第二工序，使III族氮化物半导体的单晶在第一层上外延生长，使倾斜界面消失，使具有经镜面化的表面的第二层生长，在第一工序中，通过使单晶的顶面产生多个凹部，使(0001)面消失，从而在掩膜层的多个开口部之中的各1个开口部的上方形成至少1个谷部和多个顶部，观察与主面垂直的任意截面时，夹着1个谷部的多个顶部之中最接近的一对顶部彼此在沿着主面的方向上间隔的平均距离设为超过100μm。
氮化物半导体制造方法层叠结构

[发明专利]氮化铝衬底的制造方法、氮化铝衬底以及形成氮化铝层的方法-CN202180028128.7在审
发明人：金子忠昭;堂岛大地;松原萌子;西尾佳高 -专利权人：学校法人关西学院;东洋铝株式会社;丰田通商株式会社
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明要解决的问题在于提供一种能够制造大口径的AlN衬底的新颖技术。本发明涉及一种AlN衬底的制造方法，包括在具有贯通孔(11)的SiC基底衬底(10)上形成AlN层(20)的晶体生长步骤(S30)。此外，本发明还涉及一种形成AlN层(20)的方法，包括在SiC基底衬底(10)的表面上形成AlN层(20)之前在SiC基底衬底(10)上形成贯通孔(11)的贯通孔形成步骤(S10)。
氮化衬底制造方法以及形成

[发明专利]氮化铝衬底的制造方法、氮化铝衬底和抑制在氮化铝层中产生裂纹的方法-CN202180028189.3在审
发明人：金子忠昭;堂岛大地;村川拓;松原萌子;西尾佳高 -专利权人：学校法人关西学院;东洋铝株式会社;丰田通商株式会社
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明要解决的问题在于提供一种能够抑制在AlN层中产生裂纹的新颖技术。本发明是一种AlN衬底的制造方法，包括：降低SiC基底衬底(10)的强度的脆加工步骤(S10)；和在SiC基底衬底(10)上形成AlN层(20)的晶体生长步骤(S20)。此外，本发明是一种抑制在AlN层(20)中产生裂纹的方法，包括：在SiC基底衬底(10)上形成AlN层(20)之前降低SiC基底衬底(10)的强度的脆加工步骤(S10)。
氮化衬底制造方法抑制铝层中产生裂纹

[发明专利]半导体衬底的制造方法、半导体衬底以及抑制生长层裂纹产生的方法-CN202180028129.1在审
发明人：金子忠昭;堂岛大地 -专利权人：学校法人关西学院;丰田通商株式会社
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明要解决的问题在于提供一种能够抑制生长层的裂纹产生的新颖技术。本发明是一种半导体衬底的制造方法，包括：用于降低基底衬底(10)的强度的脆加工步骤(S10)；和用于在基底衬底(10)上形成生长层(20)的晶体生长步骤(S20)。此外，本发明是一种用于抑制生长层(20)中裂纹的产生的方法，包括在基底衬底(10)上形成生长层(20)之前降低基底衬底(10)强度的脆加工步骤(S10)。
半导体衬底制造方法以及抑制生长裂纹产生

[发明专利]半导体衬底的制造方法、半导体衬底以及抑制位错向生长层引入的方法-CN202180028166.2在审
发明人：金子忠昭;堂岛大地 -专利权人：学校法人关西学院;丰田通商株式会社
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明要解决的问题是提供一种能够抑制位错向生长层引入的新颖技术。解决上述问题的本发明是一种半导体衬底的制造方法，包括去除基底衬底的一部分并形成包含劣角的图案的加工步骤和在形成有所述图案的所述基底衬底上形成生长层的晶体生长步骤。此外，本发明是一种抑制位错向生长层引入的方法，包括在基底衬底上形成生长层之前去除所述基底衬底的一部分并形成包含劣角的图案的加工步骤。
半导体衬底制造方法以及抑制生长引入

[发明专利]改性氮化铝原料的制造方法、改性氮化铝原料、氮化铝晶体的制造方法、塌陷抑制方法-CN202180028167.7在审
发明人：金子忠昭;堂岛大地;松原萌子;西尾佳高 -专利权人：学校法人关西学院;东洋铝株式会社;丰田通商株式会社
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种抑制塌陷的改性AlN原料。改性氮化铝原料的制造方法包括对氮化铝原料进行加热处理并生成氮化铝烧结体的加热处理步骤。
改性氮化原料制造方法晶体塌陷抑制

[发明专利]氮化铝衬底的制造方法、氮化铝衬底以及抑制位错向氮化铝生长层引入的方法-CN202180028216.7在审
发明人：金子忠昭;堂岛大地;村川拓;松原萌子;西尾佳高 -专利权人：学校法人关西学院;东洋铝株式会社;丰田通商株式会社
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明要解决的问题是提供一种能够抑制位错向氮化铝生长层引入的新颖技术。解决上述问题的本发明是一种氮化铝衬底的制造方法，包括去除碳化硅衬底的一部分并形成包含劣角的图案的加工步骤和在形成有所述图案的所述碳化硅衬底上形成氮化铝生长层的晶体生长步骤。此外，本发明是一种抑制位错向氮化铝生长层引入的方法，包括在碳化硅衬底上形成氮化铝生长层之前去除所述碳化硅衬底的一部分并形成包含劣角的图案的加工步骤。
氮化衬底制造方法以及抑制生长引入

[发明专利]氮化物半导体基板、氮化物半导体基板的制造方法和层叠结构体-CN201980056200.X有效
发明人：吉田丈洋 -专利权人：赛奥科思有限公司;住友化学株式会社
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种氮化物半导体基板，其具有2英寸以上的直径，且具有最近的低指数晶面为(0001)面的主面，隔着Ge(220)面的双晶单色器和狭缝对主面照射Cu的Kα1的X射线，进行(0002)面衍射的X射线摇摆曲线测定时，将狭缝的ω方向的宽度设为0.1mm时的(0002)面衍射的半值宽度FWHMb为32arcsec以下，从将狭缝的ω方向的宽度设为1mm时的(0002)面衍射的半值宽度FWHMa减去FWHMb而得到的差值FWHMa‑FWHMb为FWHMa的30％以下。
氮化物半导体制造方法层叠结构

[发明专利]氮化物半导体基板、半导体元件及氮化物半导体基板的制造方法-CN202180016240.9在审
发明人：三宅秀人;王丁;上杉谦次郎 -专利权人：国立大学法人三重大学
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：氮化物半导体基板(11、21)具备基板(2)和设在基板(2)的上方的含AlN膜(100、200)，含AlN膜(100、200)的膜厚为10000nm以下，含AlN膜(100、200)的贯通位错密度为2×108cm‑2以下。
氮化物半导体元件制造方法