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[发明专利]一种半导体薄膜生长装置及其生长方法-CN201310315026.0有效
发明人：刘兴昉;刘斌;郑柳;董林;刘胜北;闫果果;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体薄膜生长设备及其生长方法，该生长设备适用于化学气相沉积工艺进行半导体薄膜的生长。所述半导体薄膜生长设备，其包括：载气装置、液态源装置、生长室、旁路以及真空系统，这些部件之间通过管道按一定的逻辑关系连结成一个整体；且每条管道可独立的打开或关闭。所述液态源装置包括多个源瓶，安装在一个惰性气体控制柜里，其中源瓶安装在恒温槽里，通过载气鼓泡法将液态源输送至生长室，并在生长室中进行化学反应合成所需半导体薄膜。所述载气直接通过主管道进入生长室，并通过打开或关闭旁路控制生长室气源，以达到控制薄膜生长以及切换过程中平衡生长室压力的目的。
一种半导体薄膜生长装置及其方法

[发明专利]LED外延片沉积方法和LED外延片沉积设备-CN201210592958.5无效
发明人：林翔;梁秉文 -专利权人：光达光电设备科技（嘉兴）有限公司
申请日： 2012-12-29 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED外延片沉积方法及用于实施该方法的LED外延片沉积设备。所述LED外延片包括衬底、N型氮化III族材料层、氮化III族材料量子阱层和P型氮化III族材料层；所述LED外延片沉积方法包括：提供一反应腔，衬底被放置到反应腔中；在所述反应腔中加热所述衬底；向所述反应腔中通入包含氮气的反应腔环境气体；向所述反应腔中通入氮源气体和III族源；所述氮源气体和所述III族源在所述反应腔环境气体环境中反应并在所述衬底上沉积形成所述N型氮化III族材料层、所述氮化III族材料量子阱层和所述P型氮化III族材料层。本发明的LED外延片沉积方法能够提高LED外延片的沉积速率。
led 外延沉积方法设备

[发明专利]一种实现具有自剥离功能半导体材料生长的边缘保护方法-CN201210337143.2有效
发明人：徐永宽;杨丹丹;张嵩;程红娟;李晖;徐所成;张丽;王迪;兰飞飞;张政;史月增 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2012-09-13 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现具有自剥离功能半导体材料生长的边缘保护方法，所述方法包括：在半导体生长衬底上制备自剥离插入层；在具有自剥离插入层的衬底上放置全覆盖衬底边缘的边缘保护环；在具有所述边缘保护环的衬底上生长氮化物半导体材料；待生长完成后，去除所述边缘保护环，得到自支撑氮化物衬底材料。本发明提供的实现半导体材料自剥离的边缘保护方法，解决了现有技术中制备自剥离氮化物衬底时出现的边缘效应、多晶沉积等影响自支撑氮化物衬底完整性差的问题。
一种实现具有剥离功能半导体材料生长边缘保护方法

[发明专利]气体系统-CN201110409679.6无效
发明人：叶芷飞;梁秉文 -专利权人：光达光电设备科技（嘉兴）有限公司
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明实施例提了一种气体系统，包括：设置有第一气体控制单元的第一气体管路，所述第一气体控制单元用于控制所述第一气体管路上的气体流量或气体压力；设置有第二气体控制单元的第二气体管路，所述第二气体控制单元用于控制所述第二气体管路上的气体压力；气体压力平衡控制单元，跨接于所述第一气体管路和第二气体管路之间，用于产生压力控制信号，该压力控制信号作为第二气体控制单元的输入信号，使得所述第二气体管路与所述第一气体管路的气体压力保持平衡，从而使得第一气体管路和第二气体管路的气体压力基本不会波动，使得反应腔室的源气体的浓度以及质量的稳定，提高了外延工艺的稳定性和重复性，改善了形成的外延材料层的质量。
气体系统

[实用新型]一种气相外延设备进行材料生长的控制系统-CN201220221883.5有效
发明人：袁志鹏;刘鹏;赵红军;张茶根;张俊业;毕绿燕;张国义;童玉珍;孙永健 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种气相外延设备进行材料生长的控制系统，属于半导体技术领域。本系统包括一工控机和一可编程控制器，所述工控机通过工业通信总线分别与气相外延设备的可编程控制器、气体流量计、和/或压力控制器、和/或加热器、和/或转动盘连接。设置多个温区加热器进行动态补偿衬底温度。在气动阀控制方面取消逐个控制，设置联动自动控制开关，根据各路源气的设定值，联动打开气动阀和设定MFC。在压力控制方面，增加限制蝶阀角度控制，控制范围在大于5°小于40°之间，达到压力平稳控制和保证气体一直往下流。在材料生长控制方面，除了能实现自动运行菜单外，创造实行跳步生长、无缝更新菜单和中途指定步生长。
一种外延设备进行材料生长控制系统

[发明专利]化学气相淀积硅外延生长方法-CN201110177850.5有效
发明人：刘继全 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-06-28 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学气相淀积硅外延生长方法，将基片传入工艺腔体，通入氢气净化，然后使压力控制到第一压力，使基片温度升高到第一温度，以第一流量通入氢气并持续第一时间进行烘烤；然后使基片温度降低到第二温度，将压力升高为第二压力，将向通入氢气的流量降低到第二流量并持续第二时间进行稳定，第二温度低于第一温度，第二压力高于第一压力，第二流量低于第一流量；稳定结束后通入硅源气体，进行硅外延生长；最后降低基片温度，将基片传出。本发明的化学气相淀积硅外延生长方法，能降低在具有P型重掺杂的或具有P型埋层的硅衬底上生长硅外延时的P型自掺杂程度。
化学气相淀积硅外延生长方法

[发明专利]基于原位应力控制的III族氮化物厚膜自分离方法-CN201210256655.6有效
发明人：马志芳;杨志坚;张国义;李丁;吴洁君;贾传宇;陈志忠;于彤军;康香宁;胡晓东;秦志新;龙浩 -专利权人：北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司
申请日： 2012-07-23 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于原位应力控制的III族氮化物厚膜自分离方法，在适当的退火条件下，对生长于衬底上的III族氮化物厚膜逐渐升高温度，同时利用在位应力监测系统监测其应力，当应力状态由负应力转变为正应力后，在高温下保持一段时间，然后逐渐降低温度，应力由正应力转变为负应力，循环重复该升温至降温的过程，直至III族氮化物厚膜与衬底分离。本发明通过热循环条件的调节，实现厚膜材料在特定位置的应力集中，在不断的应力正负切换过程中，使厚膜的特定位置发生形变，降低了特定位置界面结合强度，从而实现了厚膜自分离，可运用于GaN厚膜的分离，工艺简单可控，具有良好的应用前景。
基于原位应力控制 iii 氮化物分离方法

[发明专利]掺杂半导体材料生长设备及方法-CN201210223493.6无效
发明人：金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：一种掺杂半导体材料生长设备及方法，其中掺杂半导体材料的生长设备，包括：一生长室，该生长室用于维持生长所需环境；一衬底加热装置，该衬底加热装置位于生长室的中心部位，用于衬底的加热；一个或多个掺杂剂源，该掺杂剂源位于生长室的下方，用于提供一种或多种具有一定动能的掺杂剂原子、分子或离子，将掺杂剂原子、分子或离子注入到待生长材料的表面以下，完成掺杂；一个或多个用于组成半导体材料的原子或分子源，该原子或分子源位于生长室的下方，用于提供形成半导体材料的一种或多种原子或分子，在衬底上形成外延层。
掺杂半导体材料生长设备方法

[实用新型]LED外延生长装置-CN201120464155.2有效
发明人：田宇;韩效亚;杜石磊;叶培飞;耿松涛;张双翔;张银桥;王向武 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：LED外延生长装置，属于外延生长设备技术领域，炉筒的上、下两端分别连接炉盖和炉底，在炉盖上分别设氮气进气口、混合气体接入通道和若干氢气进气通道；在炉盖和环形石墨护罩之间夹持环形均温组件，于环形石墨护罩内，在环形均温组件下端布置冷却装置；在环形均温组件上开设氢气引入通道，氢气引入通道的上端与炉盖上的氢气进气通道连接，氢气引入通道的下端布置在小石墨基盘的上方；在炉筒内的炉底上设置排气口。本实用新型可控制反应室与炉盖之间的温度，当反应室内的温度与炉盖的温度差较小时，在冷却装置表面就不容易生长颗粒。可省去更换冷却装置的工作量，节省时间，提高外延生产效率和外延产品的质量。
led 外延生长装置

[发明专利]一种准减压外延生长方法-CN201210105604.3有效
发明人：王震;田达晰;张世波;梁兴勃;陈华;李慎重 -专利权人：浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2012-04-11 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种准减压外延生长方法，在常压反应系统中，以惰性气体氩气为载气和填充气，以三氯氢硅和氢气为反应气体，来达到减压外延条件下反应系统所处的平衡状态。本发明通过在常压硅外延生长系统中，以惰性气体氩气为载气和填充气体，来达到减压外延条件下反应系统所处的平衡状态，从而达到减压外延的效果。通过此方法，克服了传统减压外延所需要的复杂的减压设备问题。
一种减压外延生长方法

[发明专利]一种在Si基片上外延生长GaAs薄膜的方法-CN201210099098.1无效
发明人：赵志飞;李新华;文龙;郭浩民;步绍姜 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2012-04-06 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种Si基生长GaAs薄膜分子束外延的方法，使用分子束外延设备在预处理的Si(111)衬底上先自催化生长1μm的GaAs纳米柱，之后降低温度使Ga液滴固化，气-液-固机制（Vapor-Liquid-Solid,VLS机制）的外延生长停止，主要侧向外延生长，逐步形成薄膜。一定时间后固化Ga液滴被覆盖，形成表面均匀、光滑的GaAs薄膜。本发明实现了在价格便宜的Si（111）衬底上制备高质量的GaAs晶体薄膜；外延层与衬底应力很小，且界面处的位错和缺陷密度被大幅度减小；外延生长为原位生长，不需要引入其它工艺，无外部污染杂质引入，制备工艺简单。
一种 si 基片上外延生长 gaas 薄膜方法

[发明专利]一种MBE同质外延生长SrTiO₃薄膜的方法-CN201110447762.2有效
发明人：杨芳;汪志明;冯加贵;郭建东 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明提供一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的方法，包括：在氧气氛中于SrTiO3衬底的(110)面上共沉积Ti和Sr，同时对样品进行反射式高能电子衍射的原位实时监测；根据反射式高能电子衍射的特征衍射条纹的图案的变化来调整Sr束流和Ti束流的比例，使SrTiO3薄膜表面的重构始终围绕SrTiO3衬底表面的重构进行转换。
一种 mbe 同质外延生长 srtio sub 薄膜方法

[发明专利]LED外延生长装置-CN201110371287.5有效
发明人：田宇;韩效亚;马子越;杜石磊;林晓珊;张双翔;张银桥;王向武 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：LED外延生长装置，属于外延生长设备技术领域，炉筒的上、下两端分别连接炉盖和炉底，在炉盖上分别设氮气进气口、混合气体接入通道和若干氢气进气通道；在炉盖和环形石墨护罩之间夹持环形均温组件，于环形石墨护罩内，在环形均温组件下端布置冷却装置；在环形均温组件上开设氢气引入通道，氢气引入通道的上端与炉盖上的氢气进气通道连接，氢气引入通道的下端布置在小石墨基盘的上方；在炉筒内的炉底上设置排气口。本发明可控制反应室与炉盖之间的温度，当反应室内的温度与炉盖的温度差较小时，在冷却装置表面就不容易生长颗粒。可省去更换冷却装置的工作量，节省时间，提高外延生产效率和外延产品的质量。
led 外延生长装置

[发明专利]碲镉汞液相外延系统生长起始温度的精确控制方法-CN201010565049.3有效
发明人：张传杰;陈晓静;魏彦锋;杨建荣 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞垂直液相外延工艺中的起始生长温度精确控制方法，其特征是：在预生长之前增加一个二次降温过程，保证预生长温度高于生长温度并在一个允许范围内；在母液温度接近需要控制的开始生长温度前进行一次尝试性的短时间生长，观察样品架温度的变化情况来决定正式开始生长的时机。该方法的优点是：可以精确控制碲镉汞垂直液相外延系统的起始生长温度，既不会因为碲锌镉衬底过分回融导致生长组分偏高，也不会因为起始生长温度过低，导致样品架和衬底表面严重疯长，影响外延层的质量和外延的成品率。
碲镉汞液相外延系统生长起始温度精确控制方法

[发明专利]一种晶格渐变缓冲层的制备方法-CN201010295458.6有效
发明人：刘如彬;王帅;孙强;孙彦铮 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2010-09-28 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶格渐变缓冲层的制备方法，步骤(1)：以商用锗单晶、砷化镓单晶或磷化铟单晶为衬底；步骤(2)：利用外延技术外延一层与衬底材料晶格匹配的材料作为成核层；步骤(3)：在成核层外延生长晶格渐变层，该晶格渐变层由若干组份逐渐增大的砷化铟镓材料组成，直至顶层材料晶格达到理想晶格或略低于理想晶格；步骤(4)：在晶格渐变层上外延一层晶格常数大于理想晶格的砷化铟镓材料作为晶格过冲层；步骤(5)：外延一层晶格常数等于理想晶格的、与在其紧邻上层生长的材料相同的材料作为晶格缓冲层。本发明解决了现有外延材料因与衬底晶格不匹配造成的器件性能恶化的影响，能有效控制器件表面的穿透位错密度。
一种晶格渐变缓冲制备方法

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