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[发明专利]一种在高L-Pits硅单晶衬底上制备低密度缺陷外延层的方法-CN202310291611.5在审
发明人： 李慎重;马向阳;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种在高L‑Pits硅单晶衬底上制备低密度缺陷外延层的方法，属于硅外延片生长技术领域。所述方法包括：(1)将高L‑Pits硅单晶衬底置于外延炉中，升温至1200～1250℃，通入HCl气体去除硅单晶衬底近表面L‑Pits聚集物；(2)降温至800～1100℃，继续通入HCl气体清洁硅单晶衬底表面，得到预处理衬底；(3)调节温度至外延生长工艺温度生长外延层，制得低密度缺陷外延片。本发明通过对高L‑Pits硅单晶衬底表面进行高低温预处理，实现硅衬底表面L‑Pits缺陷减少或消除。利用本发明制备方法获得的硅外延片具有低密度的表面微缺陷，表面颗粒极少分布，达到硅外延片质量提升的目的。
一种 pits 硅单晶衬底制备密度缺陷外延方法

[发明专利]一种外延硅片表面粗糙度可控生长技术-CN202211374987.4在审
发明人： 李慎重;梁兴勃;田达晰;王震;李刚;蒋玉龙;杨德仁;马向阳 -专利权人：浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延硅片表面粗糙度可控生长技术，包括以下具体步骤：S1：启动外延设备，进行升温操作，升温至1160‑1220℃；S2：对硅片外表面进行处理，在1160‑1220℃进行硅片表面预处理，去除自然氧化层和小颗粒等异物，获得洁净的外延种子表面；S3：降温至种子生长温度，降温至1000‑1100℃；S4：进行高平整度种子层生长，生长温度1000‑1100℃，通入大流量10‑30slm硅源气体SiHCl3和H2反应生成Si沉积在衬底上，厚度控制在0.1～0.5um，本发明实现表面粗糙度和雾面积的可控生长，确保外延层表面低水平的粗糙度和低密度的雾缺陷，获得质量稳定可靠的外延硅片。
一种外延硅片表面粗糙可控生长技术

[实用新型]一种外延炉调节气流用省力扳手-CN202222185098.5有效
发明人： 李慎重;梁兴勃;田达晰;蒋玉龙;李刚;唐开恩;童科峰 -专利权人：浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： B25B13/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种外延炉调节气流用省力扳手，包括引脚固定把手、引脚支架和引脚移动把手，所述的引脚固定把手下侧竖直安装有引脚支架，所述的引脚固定把手的一端上转动安装有引脚移动把手，所述的引脚移动把手的一端朝引脚支架上部延伸，并插入到引脚支架内，所述的引脚支架内部设置有贯穿两侧的中空部，中空部内安装有引脚固定头，所述的引脚固定头上端与引脚移动把手的插入端转动相连，所述的引脚固定头的下端安装有引脚安装部，所述的引脚安装部上安装有引脚结构。本实用新型具有结构简单、安装难度低、操作简便、使用寿命长等特点。
一种外延调节气流省力扳手

[实用新型]一种硅片晶点去除装置-CN202221711491.7有效
发明人： 李慎重;梁兴勃;田达晰;蒋玉龙;李刚;张银光;童科峰 -专利权人：浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅片晶点去除装置，包括底板、竖直支架和旋转机台，所述的底板上端面中部竖直安装有旋转机台，旋转机台上端的旋转台上放置有硅片，所述的底板两端均设置有竖直支架，所述的竖直支架上端靠近旋转机台一侧设置有伸出刀架，伸出刀架上安装有与硅片下侧贴合对应的刮刀，所述的旋转机台上端面中部设置有带中心吸盘的升降台，所述的旋转机台上端面设置有若干个呈均匀布置的且围绕升降台的定位吸盘。本实用新型具有操作简便、提高硅片去除效率、确保硅片质量、确保硅片的可追溯性等特点。
一种硅片去除装置

[发明专利]一种识别片盒内硅片的自动控制系统及其操作方法-CN202210932290.8在审
发明人： 李慎重;梁兴勃;田达晰;李刚;蒋玉龙;张银光 -专利权人：浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种识别片盒内硅片的自动控制系统及其操作方法，包括识别片盒、平行光光源阵列、光栅片、二维码扫描器、全自动相机、EAP控制系统和MES控制系统；识别片盒用来放置硅片，识别片盒上安装有带有硅片信息的二维码标签；平行光光源阵列位于识别片盒下方，同时平行光光源阵列上安装有光栅片，平行光光源阵列发出平行光穿过光栅片和硅片，形成测定硅片是否发生夹片现象和硅片数量的识别信息。本发明具有降低管理成本、提高检测核对效率、确保包装准确、避免出现夹片、混片、多片、少片等异常现象等特点。
一种识别片盒内硅片自动控制系统及其操作方法

[发明专利]一种硅片晶点去除的自动化系统-CN202210783202.2在审
发明人： 李慎重;梁兴勃;田达晰;蒋玉龙;李刚;张银光;童科峰 -专利权人：浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅片晶点去除的自动化系统，包括硅片晶点去除装置、机械手、升降载台、硅片晶点去除自动控制系统、信息管理系统和二维码扫描器，所述的升降载台上放置有带二维码标记的片架，该片架的上方设置有二维码扫描器，所述的片架与硅片晶点去除装置之间安装有机械手，所述的信息管理系统与硅片晶点去除自动控制系统之间进行信息交互，所述的信息管理系统与二维码扫描器相连，所述的硅片晶点去除自动控制系统分别与机械手、硅片晶点去除装置以及升降载台相连。本发明采用硅片晶点去除的自动化智能化，避免人为操作引入的不确定性，保证硅片的可追溯性，提高加工效率和稳定性，确保产品质量稳定可靠。
一种硅片去除自动化系统

[发明专利]一种可稳定硅源浓度的自动控制系统及其控制方法-CN201911248924.2有效
发明人： 李慎重;杨德仁;马向阳;王震;田达晰;蒋玉龙;邓伟;张银光;梁兴勃 -专利权人：金瑞泓微电子（衢州）有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种可稳定硅源浓度的自动控制系统及其控制方法，包括氢气输入阀组和TCS气源钢瓶，TCS气源钢瓶与氢气输入阀组、TCS输入管和TCS输出管均相连，PLC控制器与TCS输入管上的常闭控制阀以及TCS气源钢瓶内的液位传感器相连。外延生长过程结束后，进行自动充料，启动PLC控制器，液位传感器检测液面，如果处于低液位，开启常闭控制阀进行充料，反复充料至液位达到固定液位，液位传感器探测到固定液位，在充料过程中完成第一片衬底硅片的取下、基座净化和第二片衬底硅片的安装。本发明采用新的控制系统及方法，充分延长充料时间，且增加充料频率、减少充料量以获得相对固定的液面，保证均匀的小气泡饱和浓度压力相对稳定。
一种稳定浓度自动控制系统及其控制方法

[实用新型]一种防止硅片放偏的自动探测控制系统-CN202023072836.2有效
发明人： 李慎重;童科峰;田达晰;蒋玉龙;王震;袁东宁 -专利权人：浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G05B19/414 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防止硅片放偏的自动探测控制系统，包括外延机台，外延机台上设置有旋转基座，旋转基座上绕着中心呈环形阵列布置有若干个用于放置硅片的基座槽，旋转基座的上方靠近基座槽中心的位置设置有第二测距传感器，第二测距传感器的一侧靠近基座槽边缘的位置设置有第一测距传感器，第二测距传感器和第一测距传感器均与PLC控制器电性相连，PLC控制器与控制外延机台的EAP控制执行操作系统相连。本实用新型增加硅片装入槽内的自动探测和识别系统，使用PLC采集和输出数据，利用EAP自动控制平台，实现硅片位置偏离检测技术监控和实时反馈，有效防止异常外延片的产生，确保外延片质量稳定可靠。
一种防止硅片自动探测控制系统

[实用新型]一种可稳定硅源浓度的气动阀门组件-CN201922183477.9有效
发明人： 李慎重;蒋玉龙;王震;陈华;田达晰;张银光;邓伟;马向阳;杨德仁 -专利权人：金瑞泓微电子（衢州）有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： F17C13/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可稳定硅源浓度的气动阀门组件，包括与氢气输入端相连的进气阀，所述的进气阀同时连接静态气路和载气气路，所述的静态气路上设置有静态手动阀、静态常开气动阀和静态调压阀，所述的载气气路上设置有常闭气动阀和载气调压阀，所述的静态气路和载气气路同时通入到气源钢瓶中。本实用新型通过设置两个气路，实现动态和静态压力的自动切换，保持动态和静态压力为同一数值，从而达到硅源浓度稳定的目的。
一种稳定浓度气动阀门组件

[发明专利]一种原位清洗200mm-300mm外延设备基座背面的方法-CN201610082473.X有效
发明人：王震;梁兴勃;陈华;李慎重;邬幸福;杨胜聪;王振波;田达淅 -专利权人：浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种原位清洗200mm‑300mm外延设备基座背面的方法，包括：在副进气口设置HCl/H2混合器，HCl和H2预先混合后通入反应腔室，控制外延生长时和反应腔室清洗时通入的HCl和H2的混合比例。本发明使得沉积在预热环和基座背面的硅和吸附的掺杂剂杂质得到了有效的清洗，可有效地抑制背景杂质的增加并提高基座上温度场的均匀性和稳定性，从而提升200mm‑300mm硅外延片质量及其稳定性。
一种原位清洗 200 mm 300 外延设备基座背面方法

[发明专利]一种在高COP硅单晶衬底上制备200mm-300mm低缺陷外延片的方法-CN201610041286.7有效
发明人：梁兴勃;王震;陈华;李慎重;杨盛聪;邬幸富;田达晰 -专利权人：浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种在高COP硅单晶衬底上制备200mm‑300mm低缺陷外延片的方法，包括：(1)将高COP硅单晶衬底在纯氢气气氛中升温至800～850℃，保温5～10s；(2)然后升温至烘烤温度，将外延炉的保护气氛切换为氢气、氩气其中的一种或几种气氛，对上述硅单晶衬底进行烘烤；(3)将外延炉的保护气氛切换为纯氢气气氛，降温至外延生长工艺温度并保温；通入硅源气体，先在硅单晶衬底上生长本征外延层，随后通入硅源气体和掺杂气体，生长掺杂外延层即得。本发明工艺简单，成本低，利用外延炉对硅单晶衬底片进行短时间的高温烘烤使表面COP数量减少或消除，并结合特定的外延生长工艺控制技术，制备得到了低缺陷密度的硅外延片。
一种 cop 硅单晶衬底制备 200 mm 300 缺陷外延方法

[实用新型]一种可切换气体的阀门分配面板-CN201220178914.3有效
发明人：周国锋;田达晰;李慎重;王震;陈华;梁兴勃 -专利权人：浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2012-04-24 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： F17D3/01 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可切换气体的阀门分配面板，包括底板，所述底板上安装有相互连通的进气管和多路出气管，所述进气管为多路进气管；所述多路进气管的每条支路上都设有一条带有阀门的旁路；所述旁路和支路通过三通接口与对应的出气管相连。本实用新型采用多路进气管，无需更换钢瓶即可更换不同气源，将原本需要6-8小时的更换时间缩短至30分钟以内，提高了生产设备利用率，也提高了安全性。
一种切换气体阀门分配面板

[发明专利]一种单片炉外延层厚度均匀性生长的控制方法-CN201210123065.6有效
发明人：陈华;田达晰;李慎重;王震;梁兴勃 -专利权人：浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2012-04-24 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种单片炉外延层厚度均匀性生长的控制方法，包括以下步骤：将上部石英圆盖的内表面制作成倾斜面；将上部石英圆盖安装在基座上，上部石英圆盖的倾斜面沿气流方向安装，即越离气流末尾的位置上部石英圆盖离基座越近；通入反应气体，反应气体通过硅片时在硅片上沉积下硅，形成外延。本发明解决沿着气流方向硅源浓度越来越少导致生长速率不断下降的问题，消除了外延层厚度沿硅片径向分布成特殊的“W”形，极大提高外延片产品质量。
一种单片外延厚度均匀生长控制方法

[发明专利]一种双排气平板式外延炉-CN201210104802.8有效
发明人：彭世煜;田达晰;王震;张世波;梁兴勃;陈华;李慎重 -专利权人：浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2012-04-11 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种双排气平板式外延炉，包括石英钟罩(1)和底板(15)，底板(15)上端安装有石英钟罩(1)，石英钟罩(1)的上端中部开有一个石英法兰接口(2)，石英法兰接口(2)的上端通过法兰(3)与不锈钢排气管(4)相连接，不锈钢排气管(4)与动力电机(10)相连，法兰(3)与动力电机(10)之间安装有气动阀(5)，气动阀(5)与右侧的电磁阀(6)相连，位置传感器(8)通过导线与电磁阀(6)相连，位置传感器(8)与电磁阀(6)之间导线中间安装有时间开关(7)。本发明结构简单，采用双排气系统，可以将钟罩内部的高颗粒密度气氛真空排出，将低颗粒密度的洁净室气氛引入，从而得到相对洁净的外延生长环境。
一种排气平板外延

[发明专利]一种准减压外延生长方法-CN201210105604.3有效
发明人：王震;田达晰;张世波;梁兴勃;陈华;李慎重 -专利权人：浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2012-04-11 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种准减压外延生长方法，在常压反应系统中，以惰性气体氩气为载气和填充气，以三氯氢硅和氢气为反应气体，来达到减压外延条件下反应系统所处的平衡状态。本发明通过在常压硅外延生长系统中，以惰性气体氩气为载气和填充气体，来达到减压外延条件下反应系统所处的平衡状态，从而达到减压外延的效果。通过此方法，克服了传统减压外延所需要的复杂的减压设备问题。
一种减压外延生长方法

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