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[实用新型]一种重掺磷单晶炉炉压控制系统-CN202223213606.2有效
发明人：程建国;梁兴勃;龚益峰;郑铁波;王体俊;李滨;王少辉;范宋杰;牛鹏举;严锦堂 -专利权人： 浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C30B31/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种重掺磷单晶炉炉压控制系统，包括过滤装置，所述的过滤装置的进口端连接有进气管，该进气管上设置有流量计和阀门，所述的过滤装置的出口端连接有输出管路，该输出管路上设置有水阀以及控制水阀的定时器。本实用新型具有以下几个优点：1、添加过滤装置，使产生的挥发物均速、持久的通过管路，避免挥发物大量进入管路，局部堵塞或引起炉压波动；2、增加管路吹气，使磷的挥发物氧化，改变其特性，不易黏附；3、过滤网罩表面以及过滤罐内壁均喷有PTFE涂层，使挥发物不易黏附；4、增加定期清洗装置，对部件定期冲洗，清洁部件。
一种重掺磷单晶炉炉压控制系统

[实用新型]一种用于提升硅片少子寿命精度的钝化设备-CN202223125239.0有效
发明人：牛鹏举;梁兴勃;范宋杰;郑铁波;程建国 -专利权人： 浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于提升硅片少子寿命精度的钝化设备，包括加热炉和冷却装置，所述的加热炉包括加热炉本体、内腔石英件和加热炉密封盖，所述的加热炉本体的前端下部安装有加热炉密封盖，所述的加热炉本体的内腔内安装有内腔石英件，所述的加热炉本体的前端两侧设置有与外部氮气气源连通的氮气输入管，所述的氮气输入管从内腔石英件两侧伸入到内腔，所述的内腔石英件的底部内安装有呈叠放的硅片装夹件。本实用新型具有操作简便、成本低、效率高等特点。
一种用于提升硅片少子寿命精度钝化设备

[实用新型]一种在狭小空间中使用的清洗槽-CN202223213581.6有效
发明人：刘亮荣;戴弘立 -专利权人： 浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种在狭小空间中使用的清洗槽，所述的清洗槽主体上端开口的两侧各转动安装有一L形翻盖，该L形翻盖的前后两端均设有与清洗槽主体转动连接的转轴，位于前方的转轴其端部贯穿清洗槽主体前端面并连接固定有摆臂，所述的清洗槽主体前端的两侧各转动安装有一驱动气缸，该驱动气缸的活塞杆与对应的摆臂转动连接。本实用新型由两个L形翻盖组成盖子，盖子关闭时可以全部盖住清洗槽主体上端口，当驱动气缸控制盖子打开时，L形翻盖开始直立，继续向外翻时，L形翻盖会自动再次向下翻开，不用其它控制。
一种狭小空间使用清洗

[实用新型]一种压缩空气式喷砂机的控制系统-CN202223121113.6有效
发明人：潘建平;梁兴勃;马天扬;张海英;张科峰;肖宏武 -专利权人： 浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B24C9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种压缩空气式喷砂机的控制系统，包括空气源、压缩空气分路器和电气比例阀，所述的空气源的出气口通过管道与压缩空气分路器进气口相连，所述的压缩空气分路器有若干个出气口，每个出气口通过管道与电气比例阀的进口相连，所述的电气比例阀的出口通过管道与防逆压阀的进口相连，所述的防逆压阀的出口与喷枪对接，所述的电气比例阀的控制端与电气控制模块相连。本实用新型具有提高生产效率、降低检修难度、提供产品质量等特点。
一种压缩空气喷砂机控制系统

[实用新型]一种单晶炉用的高精度大扭矩的蝶阀控制结构-CN202223312099.8有效
发明人：龚益峰;梁兴勃;王少辉;范宋杰;王国有;李滨 -专利权人： 浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： F16K1/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单晶炉用的高精度大扭矩的蝶阀控制结构，包括蝶阀以及安装在蝶阀上方的安装板，安装板上端安装有基座，基座上端安装有步进电机，步进电机输出轴的下端竖直穿过基座并安装有驱动齿轮，蝶阀上设有控制开度的阀杆，阀杆的上端穿过安装板与基座转动连接，阀杆上位于装板与基座之间安装有齿轮盘，齿轮盘与驱动齿轮啮合。本实用新型采用大扭力高精度的步进电机与蝶阀相配合，通过信号指令控制阀杆进行转动，阀杆转动实现调节蝶阀的开度，这样不会因为炉子运行过程中吸附在管壁、蝶阀上的氧化物的沉积，对其转动产生任何的影响；即便单晶炉运行的时间再长，蝶阀上的氧化物也会在大扭矩高精度的步进电机的动作下脱落，被抽气管道吸走。
一种单晶炉用高精度扭矩控制结构

[实用新型]一种防止晶盒放反的晶盒组件-CN202223115373.2有效
发明人：应家敏;梁兴勃;黄昆;张海英;王雷;黄羽辰 -专利权人： 浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种防止晶盒放反的晶盒组件，包括晶盒本体和定位盒体，所述的晶盒本体包括存放支架本体、存放槽和卡槽，所述的存放支架本体两端朝上凸出，形成存放凸出，两个存放凸出上均均匀布置有存放槽，所述的存放支架本体前侧设置有卡槽，所述的定位盒体上设置有一端带有开口的安装槽，所述的安装槽内侧壁上设置有与卡槽对应的卡接凸片。本实用新型具有结构简单、指示明显、预防晶盒放置错误、降低生产失误概率、提高生产效率等特点。
一种防止晶盒放反组件

[发明专利]一种防止硅片崩边的处理工艺以及操作用石英舟-CN202211474676.5在审
发明人：张海英;梁兴勃;董燕军;黄昆;应家敏;雷超 -专利权人： 浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种防止硅片崩边的处理工艺以及操作用石英舟，包括以下操作步骤：步骤一：将清洗干净的石英舟放入多晶炉内(不放硅片)，在多晶生长工艺条件下运行设备，使石英舟表面生长一层多晶硅；步骤二：将硅片放置在出现多晶硅的石英舟上，并使得硅片在多晶炉内进行多晶硅的生产；步骤三：将完成达标状态的硅片从石英舟中取下，并换上新的硅片进行生产；步骤四：经过多次生产的石英舟需要取下，并进行清洗，完成后再次重复步骤一至步骤四的操作。本发明具有结构简单、操作成本低、生产效益高、降低了单晶硅片多晶生长过程中崩边的比例等特点。
一种防止硅片处理工艺以及作用石英

[发明专利]一种提升硅片少子寿命精度的钝化方法以及钝化设备-CN202211480612.6在审
发明人：牛鹏举;梁兴勃;范宋杰;郑铁波;程建国 -专利权人： 浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种提升硅片少子寿命精度的钝化方法以及钝化设备，包括以下具体步骤：步骤一：将待测硅片放入HF和HNO3的混合溶液中，去除表面的杂质和氧化层；步骤二：每次做硅片热氧化前，需打开炉门，打开N2进气开关吹扫炉腔，确保炉腔无细微颗粒存在；步骤三：关闭炉门，关闭N2进气开关，打开加温开关，以100℃/h的加温速率从室温加热到600‑700℃，炉腔温度达到设定温度后，稳定10‑15min；步骤四：将镜面抛光后的硅片装入片架，打开炉门推入炉腔，关闭炉门；步骤五：高温处理达到规定时间后，打开炉门取出样片采用冷却装置快速冷却到室温，对样片进行少子寿命测试。本发明具有操作简便、成本低、效率高等特点。
一种提升硅片少子寿命精度钝化方法以及设备

[发明专利]一种掺磷、掺砷单晶改善轴向电阻率均匀性的工艺方法-CN202211473951.1在审
发明人：范宋杰;梁兴勃;郑铁波;何永增;王少辉;牛鹏举;程建国;龚益峰 -专利权人： 浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺磷、掺砷单晶改善轴向电阻率均匀性的工艺方法，包括以下步骤：将炉体内的热屏的下端开口直径设置为300‑360mm，将炉体拆开，记录籽晶的初始位置的底部与热屏的下端开口平面之间的第一距离；生产前根据之前记录的第一距离将籽晶下降至底面与热屏的下端开口齐平的位置，再下降第二距离，炉体内盛放有溶液的埚位上升，直到籽晶的底面与溶液刚好接触；开始拉晶，籽晶向上移动拉近籽晶底面与热屏的下端开口之间的距离，在拉晶的同时控制炉内的压强。本发明可以解决现有技术中轴向电阻率偏高的问题，可以将轴向电阻率偏差控制在15％以内。
一种掺砷单晶改善轴向电阻率均匀工艺方法

[实用新型]一种应用于半导体清洗设备的防漏液旋转结构-CN202222498193.0有效
发明人：刘亮荣;刘建刚;卢锋 -专利权人： 浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种应用于半导体清洗设备的防漏液旋转结构，包括转轴，所述的转轴上部转动安装有卡盘，该卡盘上端中部设置有向上凸起的圆台，所述的转轴上端位于圆台的上方设置有圆板部，该圆板部下端沿着边缘布置有一圈环形凸缘，所述的环形凸缘罩住圆台。本实用新型通过环形凸缘和圆台配合遮挡住卡盘内孔与转轴之间的间隙，极大程度的减少冲洗液进入到该间隙内，且整体结构不影响转轴与卡盘之间的旋转动作，也不影响其它装配关系，对半导体清洗工艺也没有影响。
一种应用于半导体清洗设备防漏旋转结构

[发明专利]一种外延硅片表面粗糙度可控生长技术-CN202211374987.4在审
发明人：李慎重;梁兴勃;田达晰;王震;李刚;蒋玉龙;杨德仁;马向阳 -专利权人： 浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延硅片表面粗糙度可控生长技术，包括以下具体步骤：S1：启动外延设备，进行升温操作，升温至1160‑1220℃；S2：对硅片外表面进行处理，在1160‑1220℃进行硅片表面预处理，去除自然氧化层和小颗粒等异物，获得洁净的外延种子表面；S3：降温至种子生长温度，降温至1000‑1100℃；S4：进行高平整度种子层生长，生长温度1000‑1100℃，通入大流量10‑30slm硅源气体SiHCl3和H2反应生成Si沉积在衬底上，厚度控制在0.1～0.5um，本发明实现表面粗糙度和雾面积的可控生长，确保外延层表面低水平的粗糙度和低密度的雾缺陷，获得质量稳定可靠的外延硅片。
一种外延硅片表面粗糙可控生长技术

[实用新型]一种用于去除硅片背封层的吸盘结构-CN202221917011.2有效
发明人：潘建平;梁兴勃;张科峰;马天扬;董燕军;樊向柯 -专利权人： 浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于去除硅片背封层的吸盘结构，包括吸盘本体、嵌入式橡胶环和吸气孔，所述的吸盘本体内部设置有吸气通道，所述的吸盘本体的上端中部设置有与吸气通道连通的集气管，集气管与外部气源对接，所述的吸盘本体下端面设置有若干个与吸气通道连通的吸气孔，吸气孔呈环形布置，所述的吸盘本体下端面边缘处设置有一圈嵌入式橡胶环。本实用新型具有稳固性好、密封性强、避免倒角边缘损坏、操作简便等特点。
一种用于去除硅片背封层吸盘结构

[实用新型]一种自动式湿氧发生器-CN202221917786.X有效
发明人：王雷;应家敏;黄昆;黄羽辰;雷超 -专利权人： 浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： F22B1/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种自动式湿氧发生器，包括罐体、纯水进口和温度探测器，所述的罐体上端左右并排安装有下端伸入罐体内部的温度探测器和干氧输入管，所述的罐体左侧下部设置有伸入罐体的纯水进口，所述的罐体右侧上部设置有湿氧输出管，所述的罐体的内腔底部设置有加热管，加热管的两端与罐体下部前侧上的两个电源接头相连。本实用新型具有实现自动化生产、确保生产效率、确保持续性输出湿氧等特点。
一种自动式湿氧发生器

[实用新型]一种外延炉调节气流用省力扳手-CN202222185098.5有效
发明人：李慎重;梁兴勃;田达晰;蒋玉龙;李刚;唐开恩;童科峰 -专利权人： 浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： B25B13/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种外延炉调节气流用省力扳手，包括引脚固定把手、引脚支架和引脚移动把手，所述的引脚固定把手下侧竖直安装有引脚支架，所述的引脚固定把手的一端上转动安装有引脚移动把手，所述的引脚移动把手的一端朝引脚支架上部延伸，并插入到引脚支架内，所述的引脚支架内部设置有贯穿两侧的中空部，中空部内安装有引脚固定头，所述的引脚固定头上端与引脚移动把手的插入端转动相连，所述的引脚固定头的下端安装有引脚安装部，所述的引脚安装部上安装有引脚结构。本实用新型具有结构简单、安装难度低、操作简便、使用寿命长等特点。
一种外延调节气流省力扳手

[实用新型]一种检测硅片边缘状况的装置-CN202221770131.4有效
发明人：周峰;梁兴勃;潘建平;张海英;沈海潮 -专利权人： 浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种检测硅片边缘状况的装置，包括平台，所述的平台上端的两侧分别转动安装有手轮和真空吸盘，所述的手轮与真空吸盘之间传动连接，所述的真空吸盘随着手轮的转动而转动，所述的平台上端位于真空吸盘的前方竖直安装有一升降气缸，该升降气缸的活塞杆上安装有对中块，所述的对中块的后端设有圆环板，该圆环板套在真空吸盘外，所述的圆环板的后端开设有缺口，所述的圆环板上方设置有电子放大镜。本实用新型解决了人眼检查容易疲劳，以及效率低下等问题，能更方便快捷地将硅片边缘的状况展现出来，提供全方位的视觉效果；硅片能够很好的显示出来，并提供相片保存。
一种检测硅片边缘状况装置

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