[实用新型]一种半导体封装结构

说明书

本实用新型提供一种半导体封装结构，包括：重布线结构；倒装在所述重布线结构一侧的芯片，所述芯片的有源面包括焊盘面和包围所述焊盘面的边缘面，所述边缘面和所述芯片的侧壁之间设置有阶梯状的凹槽；导电件，位于所述芯片的焊盘面和所述重布线结构之间；位于所述芯片和所述重布线结构之间的底填胶层，所述底填胶层包封所述导电件的侧壁和芯片的部分侧壁且填充在所述凹槽内。所述半导体封装结构的结构稳定性好。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体封装结构。

背景技术

现有的半导体封装结构，参考图1，包括：重布线结构10；倒装在所述重布线结构10一侧的芯片20，所述芯片20的有源面包括焊盘面和包围所述焊盘面的边缘面；导电件30，位于所述芯片20的焊盘面和所述重布线结构10之间，所述导电件30包括导电柱302、焊球303和导联盘301；位于所述芯片20和所述重布线结构10之间的底填胶层40，所述底填胶层40包封所述导电件30的侧壁和所述芯片20的部分侧壁。所述芯片20依次通过芯片20的内置焊盘、导电柱302、焊球303、导联盘301与重布线结构10中的金属布线层电连接。底填胶层由底填胶液固化而成，由于芯片的边缘面和焊盘面的表面较为光滑，底填胶液难以与芯片的边缘面和焊盘面形成紧密的抓着力，导致底填胶液固化后形成的底填胶层与芯片存在黏结不牢固的问题，导致后续工艺中易出现芯片和底填胶层脱离分层的现象。因此，需要提供一种半导体封装结构。

实用新型内容

因此，本实用新型要解决的技术问题在于克服现有技术中的半导体封装结构存在底填胶层与芯片存在黏结不牢固的缺陷，从而提供一种半导体封装结构。

本实用新型提供一种半导体封装结构，包括：重布线结构；倒装在所述重布线结构一侧的芯片，所述芯片的有源面包括焊盘面和包围所述焊盘面的边缘面，所述边缘面和所述芯片的侧壁之间设置有阶梯状的凹槽；导电件，位于所述芯片的焊盘面和所述重布线结构之间；位于所述芯片和所述重布线结构之间的底填胶层，所述底填胶层包封所述导电件的侧壁和芯片的部分侧壁且填充在所述凹槽内。

可选的，自所述芯片中心至所述芯片边缘的方向上，所述凹槽包括依次相连的第一子凹槽至第N子凹槽，N为大于或者等于2的整数，第k子凹槽的底面至所述重布线结构的距离大于第k－1子凹槽至重布线结构的距离，k为大于或等于2且小于或等于N的整数；第k子凹槽的侧壁与第k－1子凹槽的底面形成第k台阶，第一子凹槽的侧壁与所述芯片的焊盘面形成第一台阶，第N子凹槽和芯片的侧壁形成第N+1台阶。

可选的，任意的第n子凹槽的深度为3微米－10微米，n为大于或等于1且小于或等于N的整数。

可选的，对于相邻的第一子凹槽和导电件，第一子凹槽的侧壁和导电件之间的距离为120微米－200微米。

可选的，所述第一子凹槽的底面和所述重布线结构之间的距离为所述芯片厚度的18％－22％；所述第N子凹槽的底面和所述重布线结构之间的距离为所述芯片厚度的45％－55％。

可选的，任意的第n子凹槽呈环绕所述焊盘面的环状结构，n为大于或等于1且小于或等于N的整数。

可选的，所述焊盘面还设置有与所述导电件间隔的凸件，所述凸件与所述重布线结构间隔。

可选的，所述导电件包括导联盘、导电柱和焊球，所述导联盘位于所述重布线结构朝向所述芯片的有源面且与所述重布线结构电连接，所述导电柱位于所述芯片的有源面上且与所述芯片中的内置焊盘电连接，所述焊球位于所述导电柱和所述导联盘之间且与所述导电柱和所述导联盘电连接；所述凸件的宽度小于所述导电柱的宽度。

可选的，所述凸件的材料和所述导电柱的材料相同，所述凸件的高度与所述导电柱的高度相同。

可选的，相邻导电件之间的凸件的数量为一个或若干个。

本实用新型技术方案，具有如下优点：