[实用新型]半导体封装结构有效
| 申请号: | 202221017097.3 | 申请日: | 2022-04-28 |
| 公开(公告)号: | CN217507300U | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
| 发明(设计)人: | 许嘉芸 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京植德律师事务所 11780 | 代理人: | 唐华东 |
| 地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 结构 | ||
1.一种半导体封装结构,包括:
承载体;
盖体,设于所述承载体的上方;
第一缓冲层和第二缓冲层,设于所述承载体和所述盖体之间,所述第二缓冲层设于所述第一缓冲层上。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述半导体封装结构还包括:
封装层,包覆所述盖体与所述承载体,所述第一缓冲层和第二缓冲层设于所述盖体和所述封装层之间。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第一缓冲层在所述承载体的竖直投影区域、所述第二缓冲层在所述承载体的竖直投影区域与所述盖体在所述承载体的竖直投影区域重叠。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第一缓冲层的宽度大于所述第二缓冲层的宽度。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述盖体与所述第一缓冲层之间通过所述第二缓冲层隔开。
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述半导体封装结构还包括:
基板,设于所述承载体的下方;
导线,电连接所述基板和所述承载体,所述第一缓冲层包覆所述导线。
7.根据权利要求6所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第二缓冲层包覆所述导线。
8.根据权利要求7所述的半导体封装结构,其特征在于,所述盖体在所述基板的竖直投影区域与所述导线在所述基板的竖直投影区域重叠。
9.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述盖体和所述承载体之间具有一空腔,所述第一缓冲层和所述第二缓冲层用于定义所述空腔的高度。
10.根据权利要求1或9所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第一缓冲层的厚度与所述第二缓冲层的厚度大于所述盖体的厚度。
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