[发明专利]芯片封装结构和芯片封装结构的制备方法

说明书

本发明提供了一种芯片封装结构和芯片封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该芯片封装结构包括第一布线组合层、第一基底芯片、转接板、第一转接芯片、第二转接芯片和塑封体，本发明通过直接在转接板上开错位槽的方式来实现两侧芯片的直接接触，从而使得两侧芯片能够直接电连接，避免了开设TSV通孔来实现两侧芯片的互连，同时也有效地利用了转接板的承载和电连功能。而第一凹槽和第二凹槽错位贯通也使得转接板的上下侧均处于相互贯通的状态，方便塑封时塑封料自由流动，有助于一次塑封成型。相较于现有技术，本发明实施例提供的芯片封装结构，能够优化芯片之间的电信号传输率，提升芯片性能，同时能够实现一次塑封，简化了塑封工艺。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，具体而言，涉及一种芯片封装结构和芯片封装结构的制备方法。

背景技术

随着半导体行业的快速发展，chiplet技术新的设计方式，将不同功能的小芯片封装在一起，形成异构集成芯片封装结构，随着芯片的输入/输出密度越来越高以及集成在单个封装件内的数量已经显著增加。现有台积电的2.5D封装技术是把芯片封装到硅转接板上作为多芯片封装方案来连接单个封装件内的相邻芯片焊盘线路，提升其封装集成度，或者使用硅转接板上采用硅通孔技术（Through Silicon Via，缩写TSV）能实现两侧芯片Die与Die间的垂直互连，即通过在硅（Si）上打通孔进行芯片间的互连，有效缩短互连线长度，减少信号传输延迟和损失，降低功耗和封装体积，实现多功能、高性能的芯片系统级封装，硅通孔技术中通常采用蚀刻或者激光开孔技术形成孔后，再次采用电镀方式沉积金属层（铜）形成导电柱。

然而，这种TSV技术中铜层与二氧化硅结合力不佳，容易出现脱落而影响芯片之间的电信号传输率，进而使得芯片性能受到影响。并且，由于转接板采用整板结构，在转接板尺寸与封装尺寸相同时，导致塑封时难以实现转接板两侧同时塑封，因此需要进行二次塑封，工艺复杂。

发明内容

本发明的目的包括，例如，提供了一种芯片封装结构和芯片封装结构的制备方法，其能够优化芯片之间的电信号传输率，提升芯片性能，同时能够实现一次塑封，简化了塑封工艺。

本发明的实施例可以这样实现：

第一方面，本发明提供一种芯片封装结构，包括：

第一布线组合层；

第一基底芯片，所述第一基底芯片贴装在所述第一布线组合层上；

转接板，所述转接板设置在所述第一基底芯片远离所述第一布线组合层的一侧，且所述转接板的正面设置有第一凹槽，所述转接板的背面设置有第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽错位贯通；

第一转接芯片，所述第一转接芯片贴装在所述转接板的正面，并位于所述第一凹槽内；

第二转接芯片，所述第二转接芯片贴装在所述转接板的背面，并位于所述第二凹槽内；

以及塑封体，所述塑封体设置在所述第一布线组合层上，并包覆在所述第一基底芯片、所述第一转接芯片和所述第二转接芯片外；

其中，所述第一转接芯片和所述第二转接芯片部分重叠且连接，所述第二转接芯片贴装在所述第一基底芯片上，以使所述转接板与所述第一布线组合层间隔设置，所述塑封体中设置有第一导电柱，所述第一导电柱的一端与所述转接板连接，另一端与所述第一布线组合层连接，以使所述转接板与所述第一布线组合层电连接。

在可选的实施方式中，所述第一布线组合层上还贴装有第二基底芯片，所述转接板的背面还贴装有第三转接芯片，所述第三转接芯片与所述第二凹槽间隔设置，并与所述转接板电连接，且所述第三转接芯片贴装在所述第二基底芯片上。

在可选的实施方式中，所述转接板的正面还贴装有第四转接芯片，所述第四转接芯片与所述第一凹槽间隔设置，并与所述转接板电连接。