[发明专利]半导体存储器结构及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体存储器结构的方法，包括：

在衬底上方形成堆叠件，所述堆叠件包括垂直交替布置的第一介电层和第二介电层；

形成穿过所述堆叠件的第一介电柱；

蚀刻所述堆叠件以形成第一沟槽，其中所述第一介电柱的侧壁暴露于所述第一沟槽；

去除所述第一介电柱以形成贯通孔；

去除所述堆叠件的所述第二介电层以在所述第一介电层之间形成间隙；以及

在所述间隙中形成第一导线。

2.根据权利要求1所述的形成半导体存储器结构的方法，还包括：

在去除所述第一介电柱之前，在所述第一沟槽中形成牺牲层；以及

在所述间隙中形成所述第一导线后去除所述牺牲层以形成第二沟槽。

3.根据权利要求2所述的形成半导体存储器结构的方法，还包括：

在所述第二沟槽中形成铁电层；

在所述第二沟槽中的所述铁电层上方形成沟道层；以及

在所述第二沟槽中的所述沟道层上方形成绝缘层。

4.根据权利要求3所述的形成半导体存储器结构的方法，还包括：

形成垂直贯穿所述绝缘层的第二导线。

5.根据权利要求1所述的形成半导体存储器结构的方法，其中去除所述堆叠件的所述第二介电层包括将蚀刻剂引入所述贯通孔中以横向蚀刻所述堆叠件的所述第二介电层。

6.根据权利要求1所述的形成半导体存储器结构的方法，还包括：

用第二介电柱填充所述贯通孔。

7.根据权利要求1所述的形成半导体存储结构的方法，其中，在所述间隙中形成所述第一导线包括：

形成阻挡层以部分填充所述间隙；

形成金属块体层以过度填充所述间隙的剩余部分；以及

回蚀刻所述阻挡层和所述金属块体层。

8.根据权利要求1所述的形成半导体存储结构的方法，其中，所述第一导线之一的侧壁具有暴露于所述贯通孔之一的部分，并且所述侧壁的所述为凹形。

9.一种半导体存储器结构，包括：

条带，包括交替堆叠在衬底上的第一导线和介电层；

第二导线，沿所述条带的第一侧垂直延伸；

沟道层，夹在所述条带与所述第二导线之间；以及

介电柱，沿与所述条带的所述第一侧相对的所述条带的第二侧垂直延伸。

10.一种半导体存储器结构，包括：

第一字线和与所述第一字线横向间隔开的第二字线；

第一沟道层和第二沟道层，位于所述第一字线与所述第二字线之间；以及

介电柱，位于所述第一字线和所述第二字线之间以及位于所述第一沟道层和所述第二沟道层之间，其中所述介电柱包括延伸到所述第一字线中的第一突出部分和延伸到所述第二字线中的第二突出部分。