[发明专利]半导体封装件及其形成方法

说明书

本申请提供了一种半导体封装件及其形成方法，该半导体封装件包括管芯以及基板，其中，基板包括层状堆叠的多个层，管芯设置于基板上，基板中内埋有管状结构，管状结构的截面形状是封闭的，并且管状结构具有在水平平面中的接合面。本申请提供的半导体封装件实施例至少解决了半导体封装件中热管脱落的问题。

技术领域

本申请涉及领域半导体领域，具体地，涉及一种在基板中内埋有具有散热功能的管状结构的半导体封装件及其形成方法。

背景技术

现有的BT树脂(Bismaleimide Triazine)有芯(Core)基板的热传导能力较低，参考图1，当管芯内埋在基板10里工作时，热量容易在基板10内累积。若管芯是耗能较大、产生热能较高的芯片时，芯片工作时产生的热量会因无法及时导出而累积在基板10上，这样，芯片的温度会无法符合顾客的要求。为了将芯片工作时产生的热能带走，而避免累积在基板10上，已知的方法是在基板10里内埋“热管(Heat Pipe)”20，热管20内容纳相变材料，相变材料可以根据温度的不同在液相与汽相之间变化，因此可以藉由热管20内的相变材料进行吸热、放热，而达到导热功能。但热管20的材料为金属，与基板10的材料不同，二者的热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion，CTE)不同，当热管20内埋于基板10时，二者针对热涨冷缩会出现不同的形变量，因此，热管20容易出现从基板10脱落的现象，并且不利于热量的传导和散出。

发明内容

针对相关技术中存在的问题，本申请的目的在于提供一种半导体封装件及其形成方法，至少解决了半导体封装件中热管脱落的问题。

为实现上述目的，本申请提供了一种半导体封装件，包括：管芯以及基板，其中，基板包括层状堆叠的多个层，管芯设置于基板上，基板中内埋有管状结构，管状结构的截面形状是封闭的，并且管状结构具有在水平平面中的接合面。

在一些实施例中，管状结构由两种不同晶格排列的金属材料构成。

在一些实施例中，两种不同晶格排列的金属材料包括第一金属材料和位于第一金属材料外围的第二金属材料，其中，第二金属材料形成管状结构的外表面，第二金属材料比第一金属材料更致密。

在一些实施例中，第一金属材料为电镀金属层，第二金属材料为溅镀晶种层。

在一些实施例中，管状结构的内表面是具有微结构的粗糙表面。

在一些实施例中，管状结构的一端与管芯的位置重叠。

在一些实施例中，管状结构的另一端连接至冷区。

在一些实施例中，冷区包括位于基板下方的通孔。

在一些实施例中，管状结构包括弯折部，弯折部临近基板中的通孔设置。

在一些实施例中，管状结构的接合面与管状结构的延伸方向平行。

在一些实施例中，基板的多个层中的相邻层之间具有接合面。

在一些实施例中，管状结构的接合面与基板的相邻层之间的一个接合面重合。

本申请还提供了一种形成半导体封装件的方法，包括：提供用于形成基板的第一介电层，并且在第一介电层的第一表面上形成第一凹槽；提供用于形成基板的第二介电层，并且在第二介电层的第二表面上形成第二凹槽；将第一介电层和第一表面与第二介电层的第二表面相对的压合，使得第一凹槽与第二凹槽组合形成管状结构。

在一些实施例中，在将第一介电层和第一表面与第二介电层的第二表面相对的压合之前，方法还包括：通过溅镀制程在第一凹槽和第二凹槽内的表面上形成晶种层；通过电镀制程在晶种层上形成金属层。

附图说明