[发明专利]半导体封装件及半导体封装件的制造方法在审

专利信息
申请号: 202210347036.1 申请日: 2017-04-10
公开(公告)号: CN114823629A 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 竹原靖之;北野一彦 申请(专利权)人: 安靠科技日本公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 代理人: 何尤玉;郭仁建
地址: 日本大分*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 制造 方法
【说明书】:

发明提供用于获得在将半导体装置配置于基材时的高对准精度的半导体封装件的制造方法。半导体封装件具有:基材,设置有凹部;半导体装置,配置于基材的设置有凹部的面一侧;以及树脂绝缘层,覆盖半导体装置。半导体封装件还可以具有在基材与半导体装置之间的粘接层。粘接层具有用于露出凹部的开口部,树脂绝缘层可以与开口部的侧壁相接触。

技术领域

本发明涉及半导体封装件及半导体封装件的制造方法。尤其,本发明涉及基材上的半导体装置的封装技术。

背景技术

以往,在移动电话或智能电话等的电子设备中,采用在支承基板上搭载有集成电路(integrated circuit,IC)芯片等的半导体装置的半导体封装件结构(例如日本特开2010-278334号公报)。在这种半导体封装件中,通常采用如下结构:在支承基材上经由粘接层粘合IC芯片或存储器等的半导体装置,并通过利用密封体(密封用树脂材料)覆盖该半导体装置来保护半导体器件。

作为用于半导体装置的支承基材,使用印刷基材、陶瓷基材等各种基材。尤其,近年来,使用金属基材的半导体封装件的开发不断推进。在金属基材上搭载半导体装置,并利用再布线而扇出的半导体封装件具有电磁屏蔽性能、热性能优异的优点,且作为高可靠性的半导体封装件而备受瞩目。这种半导体封装件还具有封装设计的自由度高的优点。

在采用了在支承基材上搭载有半导体装置的结构的情况下,在大型支承基材上搭载有多个半导体装置,由此利用同一工序能够制造多个半导体封装件。在这种情况下,形成于支承基材上的多个半导体封装件,在结束制造工序之后被单片化,从而完成各个半导体封装件。像这种在支承基材上搭载有半导体装置的半导体封装件的结构具有生产率高的优点。

发明内容

如上所述,在考虑到使用大型金属基材来作为支承基材的大量生产方法的情况下,需要满足如下条件:向该金属基材配置半导体装置时的高对准精度、半导体装置与布线之间的良好的接触、或成品率高的半导体封装件的单片化等。

本发明是鉴于这些技术问题而作出的,其目的在于提供用于获得向基材配置半导体装置时的高对准精度的半导体封装件的制造方法。

(解决问题的手段)

本发明的一个实施方式的半导体封装件具有:基材,设置有至少一个凹部;半导体装置,配置于所述基材的设置有所述凹部的面一侧;以及树脂绝缘层,覆盖所述半导体装置。

还可以具有在所述基材与所述半导体装置之间的粘接层。

所述粘接层具有用于露出所述凹部的开口部,所述树脂绝缘层可以与所述开口部的侧壁相接触。

设置有两个以上的所述凹部,所述凹部可以设置在与所述半导体装置的各个对角相对应的位置。

所述树脂绝缘层可以与所述凹部的侧壁相接触。

所述树脂绝缘层可以充满所述凹部的内部。

所述凹部的大小可以为005mm以上且1.0mm以下。

所述凹部的大小可以为0.1mm以上且0.3mm以下。

所述凹部与所述半导体装置之间的距离为0.05mm以上且0.5mm以下。

本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法包括如下步骤:在基材的第一面一侧形成至少一个凹部;通过基于凹部进行位置对准,来在基材的第一面一侧配置半导体装置;以及形成覆盖半导体装置的树脂绝缘层。

在所述第一面上还形成粘接层,半导体装置可以配置在粘接层上。

于粘接层还形成用于露出凹部的开口部,树脂绝缘层可以形成为与开口部的侧壁相接触。

形成两个以上的凹部,可以基于两个以上的凹部来进行位置对准。

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