[发明专利]半导体封装件及半导体封装件的制造方法在审

专利信息
申请号: 202210347036.1 申请日: 2017-04-10
公开(公告)号: CN114823629A 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 竹原靖之;北野一彦 申请(专利权)人: 安靠科技日本公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 代理人: 何尤玉;郭仁建
地址: 日本大分*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装件,具有:

基材,具有设置有凹部的第一面;

半导体装置,其借由粘接层而耦接到所述第一面并且包括:

装置顶侧;

装置底侧,其借由所述粘接层耦接到所述基材的所述第一面;以及

在所述装置顶侧处的外部端子;

树脂绝缘层,覆盖所述半导体装置和所述基材的部分;

导线,其在所述树脂绝缘层上方并且通过所述树脂绝缘层而耦接到所述外部端子;

绝缘层,其在所述导线上方;以及

导电结构,其通过所述绝缘层而耦接到所述导线。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中:

所述粘接层延伸横跨所述基材的所述第一面,但是没有覆盖所述凹部;并且

所述半导体装置是在所述凹部的外部。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中:

所述粘接层具有开口以曝露所述凹部;

在平面视图中,所述开口的边缘围绕所述凹部;并且

包括导电材料并且连接到所述半导体装置的任何结构没有位在所述开口处。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中:

所述树脂绝缘层比所述绝缘层厚。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中:

所述导线通过在所述树脂绝缘层中的开口而耦接到所述外部端子;

所述导线包括第一导电层和第二导电层;并且

所述第二导电层是在所述开口中,但是所述开口没有第一导电层。

6.根据权利要求5所述的半导体封装件,其中:

所述基材包括侧表面,其延伸于所述第一面和所述第二面之间;并且

所述基材的所述侧表面没有所述树脂绝缘层。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中:

所述树脂绝缘层与所述凹部的侧壁接触。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中:

所述树脂绝缘层填入所述凹部的内部。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中:

所述凹部是对准标记。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中:

所述基材包括没有内部绝缘层的金属镀敷结构。

11.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中:

所述导线是镀敷结构。

12.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中:

所述凹部具有部分邻近于所述导体装置的相对侧。

13.一种半导体封装件,具有:

基材,其具有设置有凹部的第一面,其中所述基材包括连续金属镀敷结构;

半导体装置,其耦接到所述第一面并且包括:

装置顶侧;

装置底侧,其借由所述粘接层耦接到所述基材的所述第一面;以及

在所述装置顶侧处的外部端子;

树脂绝缘层,其覆盖所述半导体装置以及所述基材的部分;

导线,其在所述树脂绝缘层上方并且通过所述树脂绝缘层而耦接到所述外部端子;以及

绝缘层,其在所述导线上方。

14.根据权利要求13所述的半导体封装件,其中:

导电结构通过所述绝缘层而耦接到所述导线。

15.根据权利要求13所述的半导体封装件,其中:

所述基材包括侧表面,所述侧表面延伸在所述第一面和所述第二表面之间;并且

所述基材的所述测表面没有所述树脂绝缘层。

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