[发明专利]半导体存储器结构及制备方法

权利要求书

1.一种半导体存储器结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，所述衬底表面形成有多个接触窗，所述接触窗内形成有堆叠结构，且所述堆叠结构的上表面高于所述衬底的上表面；

对所述堆叠结构的侧壁表面进行氮化处理；

在所述堆叠结构的侧壁表面形成第一侧墙；

对所述第一侧墙进行氧化处理。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对所述堆叠结构的侧壁表面进行氮化处理前，至少包括以下步骤：

在所述堆叠结构的侧壁表面形成第二侧墙。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述堆叠结构的侧壁表面形成第二侧墙的方法，至少包括以下步骤：

在所述堆叠结构的侧壁表面至少形成一个子侧墙。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述对所述堆叠结构的侧壁表面进行氮化处理的方法，至少包括以下步骤：

在所述堆叠结构的侧壁表面至少形成一个子侧墙前，对所述堆叠结构表面进行所述氮化处理。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述对所述堆叠结构的侧壁表面进行氮化处理的方法，至少包括以下步骤：

对最外层的子侧墙进行氮化处理。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述子侧墙包括硅层、氧化硅层中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用选择性外延生长的方法制备所述第一侧墙。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氮化处理包括等离子体氮化处理，所述等离子体氮化处理的氮化深度为0.5nm～2nm。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，进行所述等离子体氮化处理时的工作温度为500℃至600℃。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一侧墙包括氮化硅层。

11.一种半导体存储器结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底表面的接触窗，所述接触窗暴露所述衬底内部；

位于所述接触窗内，并突出于所述衬底上表面的堆叠结构；

位于所述堆叠结构的侧壁表面的第二侧墙，所述第二侧墙至少包括：

第一子侧墙，位于所述堆叠结构的侧壁表面；

氮化子侧墙，位于所述第一子侧墙的表面，且所述的氮化子侧墙是藉由所述第一子侧墙通过氮化处理得到；

位于所述氮化子侧墙表面的第一侧墙，且所述第一侧墙至少包括：

第三子侧墙，位于所述氮化子侧墙的表面；

第四子侧墙，位于所述第三子侧墙的表面，且所述第四子侧墙是藉由所述第三子侧墙通过氧化处理得到。

12.根据权利要求11所述的半导体存储器结构，其特征在于，所述第一子侧墙与第三子侧墙的组成成分相同。

13.根据权利要求11所述的半导体存储器结构，其特征在于，氮化子侧墙部分不连续。

14.根据权利要求11所述的半导体存储器结构，其特征在于，所述氮化子侧墙的厚度为所述第一子侧墙的厚度的五分之一至三分之一。

15.根据权利要求11所述的半导体存储器结构，其特征在于，所述衬底内部形成有多个隔离结构以及多个有源区，且各个有源区以所述隔离结构分隔开来。