[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其中，包括：

半导体芯片，所述半导体芯片的第一表面具有至少一个焊盘；

至少一个导电柱，分别形成于所述至少一个焊盘上，且所述至少一个导电柱中每个导电柱的顶部均设置有焊料层；

封装载体，通过所述至少一个导电柱及位于每个导电柱顶部的所述焊料层与所述半导体芯片电连接；

塑封体，用于封装所述半导体芯片、所述至少一个导电柱和所述封装载体，

其中，所述封装载体面向所述半导体芯片的表面上选择性的设置有至少一个金属镀点，且当所述半导体芯片与所述封装载体电连接时，所述至少一个导电柱通过位于每个导电柱顶部的所述焊料层与所述至少一个金属镀点一一对应连接。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述至少一个金属镀点的表面的粗糙度小于所述封装载体的表面的粗糙度。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述至少一个金属镀点被配置为采用化学电镀的方式形成于所述封装载体上。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，当所述至少一个导电柱与所述至少一个金属镀点对应连接时，所述至少一个金属镀点中的每个金属镀点均位于对应导电柱的正下方。

5.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其中，所述封装载体包括铜层和基底，所述至少一个金属镀点被配置为采用化学电镀的方式形成于所述铜层表面。

6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其中，所述铜层的表面上具有经粗化处理后形成的微结构。

7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述至少一个金属镀点中每个金属镀点的形成材料均包括铜、银、镍、钯、金中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述至少一个金属镀点中每个金属镀点的横截面尺寸均大于对应的导电柱的横截面尺寸。

9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其中，所述至少一个金属镀点中的任意两个金属镀点之间均彼此间隔预定距离。

10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述封装载体包括引线框架和封装基板中的任一。

11.一种半导体封装结构的制造方法，其中，包括：

提供封装载体；

在所述封装载体的上表面选择性的设置至少一个金属镀点；

将半导体芯片置于所述封装载体的上表面，并将所述导体芯片上的至少一个导电柱与所述至少一个金属镀点一一对应连接，以实现所述半导体芯片与所述封装载体的电连接；

对所述封装载体和所述半导体芯片进行封装，以形成封装结构。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其中，所述至少一个金属镀点的表面的粗糙度小于所述封装载体的表面的粗糙度。

13.根据权利要求11所述的制造方法，其中，在所述封装载体的上表面选择性的设置至少一个金属镀点包括：

采用化学电镀的方式于所述封装载体中的铜层表面形成对应所述至少一个导电柱的至少一个金属镀点，

其中，在形成每个金属镀点时均包括：采用化学电镀的方式于所述封装载体的上表面形成银层或者依次形成镍层、钯层和金层。

14.根据权利要求13所述的制造方法，其中，所述制造方法还包括：对所述封装载体中的铜层表面进行粗化处理。