[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

说明书

本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：栅极结构，该栅极结构包括彼此交替层叠的导电层和绝缘层；沟道结构，该沟道结构穿过栅极结构并且在第一方向上排布；切割结构，该切割结构在第一方向上延伸并且穿过沟道结构；以及第一狭缝结构，该第一狭缝结构穿过栅极结构并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。

技术领域

所公开的技术总体上涉及一种电子装置，并且更具体地，涉及一种半导体装置和制造该半导体装置的方法。

背景技术

半导体装置的集成密度可以主要由单位存储器单元的面积确定。最近，在基板上以单层形成存储器单元的半导体装置的集成密度的增加受到限制。因此，已经提出了一种存储器单元层叠在基板上的三维半导体装置。另外，为了提高半导体装置的操作可靠性，已经开发了各种结构和制造方法。

发明内容

各个实施方式涉及一种具有稳定的结构和改进的特性的半导体装置，以及制造该半导体装置的方法。

根据一个实施方式，半导体装置可以包括：栅极结构，该栅极结构包括彼此交替层叠的导电层和绝缘层；沟道结构，该沟道结构穿过栅极结构并且在第一方向上排布；切割结构，该切割结构在第一方向上延伸并且穿过沟道结构；以及第一狭缝结构，该第一狭缝结构穿过栅极结构并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。

根据一个实施方式，一种半导体装置可以包括：栅极结构，该栅极结构包括彼此交替层叠的导电层和绝缘层；柱状结构，该柱状结构穿过栅极结构；切割结构，该切割结构穿过柱状结构并且将柱状结构中的每一个分离为第一柱状结构和第二柱状结构；第一狭缝结构，该第一狭缝结构穿过栅极结构并且在与切割结构交叉的方向上延伸；第一互连线，该第一互连线在与第一狭缝结构交叉的方向延伸并且联接到第一柱状结构；以及第二互连线，该第二互连线在与第一狭缝结构交叉的方向上延伸并且联接到第二柱状结构。

根据一个实施方式，一种制造半导体装置的方法可以包括以下步骤：形成层叠结构；形成穿过层叠结构并且在第一方向上排布的沟道结构；形成穿过沟道结构并且在第一方向上延伸的切割结构；以及形成穿过层叠结构并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第一狭缝结构。

附图说明

图1A至图1D是例示根据本公开的一个实施方式的半导体装置的结构的图；

图2A至图2C是例示根据本公开的一个实施方式的半导体装置的结构的图；

图3A至图3C是例示根据本公开的一个实施方式的半导体装置的结构的图；

图4A至图4D是例示根据本公开的一个实施方式的半导体装置的结构的图；

图5A和图5B、图6A和图6B、图7A至图7C以及图8A至图8C是例示根据本公开的一个实施方式的制造半导体装置的方法的图；

图9A和图9B是例示根据本公开的一个实施方式的制造半导体装置的方法的图；

图10是例示根据本公开的一个实施方式的存储器系统的图；

图11是例示根据本公开的一个实施方式的存储器系统的图；

图12是例示根据本公开的一个实施方式的存储器系统的图；

图13是例示根据本公开的一个实施方式的存储器系统的图；以及

图14是例示根据本公开的一个实施方式的存储器系统的图。

具体实施方式

示出根据本说明书中公开的构思的实施方式的示例的具体结构或功能描述仅用于描述根据构思的实施方式的示例，并且根据构思的实施方式的示例可以通过各种形式来执行，但是描述不限于在本说明书中描述的实施方式的示例。

图1A至图1D是例示根据本公开的一个实施方式的半导体装置的结构的图。