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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器装置及其制造方法-CN202211424280.X在审
发明人：崔元根;朴美性;张晶植 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置及其制造方法。一种存储器装置包括层叠结构以及穿过所述层叠结构的主插塞，所述主插塞在第一方向上彼此间隔开。所述存储器装置还包括在第二方向上分离所述主插塞的分离图案以及将所述层叠结构分离为第一存储块和第二存储块的狭缝图案，所述狭缝图案具有椭圆形状。
存储器装置及其制造方法

[发明专利]半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法-CN202210003352.7在审
发明人：金场院;朴美性;朴寅洙;张晶植;崔元根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/11575 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器装置包括栅极层叠结构，该栅极层叠结构具有单元阵列区域和具有阶梯形状的接触区域，并且单元阵列区域的第一侧壁的粗糙度大于接触区域的第二侧壁的粗糙度。
半导体存储器装置制造方法

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN202210163185.2在审
发明人： 朴美性;金场院;朴寅洙;张晶植;崔元根;崔正达 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：栅极结构，该栅极结构包括彼此交替层叠的导电层和绝缘层；沟道结构，该沟道结构穿过栅极结构并且在第一方向上排布；切割结构，该切割结构在第一方向上延伸并且穿过沟道结构；以及第一狭缝结构，该第一狭缝结构穿过栅极结构并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]存储器装置和该存储器装置的制造方法-CN202111121448.5在审
发明人：崔元根;张晶植;金场院;朴美性 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：提供了一种存储器装置和该存储器装置的制造方法。该存储器装置包括：设置在基板上的第一栅极层叠结构和第二栅极层叠结构；以及狭缝，其设置在第一栅极层叠结构和第二栅极层叠结构之间以将第一栅极层叠结构和第二栅极层叠结构彼此电隔离。
存储器装置制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202110855896.1在审
发明人：李东训;金定焕;朴美性;张晶植;崔元根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：提供了一种制造半导体器件的方法。该方法可以包括：形成堆叠；通过将堆叠图案化形成初步阶梯结构；通过蚀刻初步阶梯结构形成第一阶梯结构、第二阶梯结构、以及开口，该开口位于第一阶梯结构与第二阶梯结构之间；形成钝化层，该钝化层填充开口并且覆盖第一阶梯结构；以及通过使用钝化层作为蚀刻阻挡层蚀刻第二阶梯结构来形成第三阶梯结构。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110516119.4在审
发明人：李东训;朴美性;张晶植 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：堆叠体，其包括交替堆叠的导电图案和绝缘图案；填充层，其被配置为穿过所述堆叠体；第一沟道层，其被配置为穿过所述堆叠体且联接到所述填充层；第二沟道层，其被配置为穿过所述堆叠体且联接到所述填充层；第一插置层，其被配置为穿过所述堆叠体并且设置在所述第一沟道层和所述填充层之间；第二插置层，其被配置为穿过所述堆叠体并且设置在所述第二沟道层和所述填充层之间；以及存储器层，其围绕所述填充层、所述第一沟道层和所述第二沟道层以及所述第一插置层和所述第二插置层。
半导体装置及其制造方法

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