[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，该半导体装置包括：

栅极结构，所述栅极结构包括彼此交替层叠的导电层和绝缘层；

沟道结构，所述沟道结构穿过所述栅极结构并且在第一方向上排布；

切割结构，所述切割结构在所述第一方向上延伸并且穿过所述沟道结构；以及

第一狭缝结构，所述第一狭缝结构穿过所述栅极结构并且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述沟道结构中的每一个被所述切割结构分离为第一沟道结构和第二沟道结构。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，该半导体装置还包括：

至少一条第一位线，所述至少一条第一位线在所述第一方向上延伸并且联接到所述第一沟道结构；以及

至少一条第二位线，所述至少一条第二位线在所述第一方向上延伸并且联接到所述第二沟道结构。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括第二狭缝结构，所述第二狭缝结构以比所述第一狭缝结构和所述切割结构两者更浅的深度穿入所述栅极结构，所述第二狭缝结构在所述第二方向上延伸。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述切割结构与所述第二狭缝结构彼此接触。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述切割结构包括绝缘材料。

7.一种半导体装置，该半导体装置包括：

栅极结构，所述栅极结构包括彼此交替层叠的导电层和绝缘层；

柱状结构，所述柱状结构穿过所述栅极结构；

切割结构，所述切割结构穿过所述柱状结构并且将所述柱状结构中的每一个分离为第一柱状结构和第二柱状结构；

第一狭缝结构，所述第一狭缝结构穿过所述栅极结构并且在与所述切割结构交叉的方向上延伸；

第一互连线，所述第一互连线在与所述第一狭缝结构交叉的方向上延伸，所述第一互连线联接到所述第一柱状结构；以及

第二互连线，所述第二互连线在所述与所述第一狭缝结构交叉的方向上延伸，所述第二互连线联接到所述第二柱状结构。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，该半导体装置还包括：

第一接触插塞，所述第一接触插塞分别联接到所述第一柱状结构，所述第一接触插塞将所述第一柱状结构联接到所述第一互连线；以及

第二接触插塞，所述第二接触插塞分别联接到所述第二柱状结构，所述第二接触插塞将所述第二柱状结构联接到所述第二互连线。

9.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：

形成层叠结构；

形成穿过所述层叠结构并且在第一方向上排布的沟道结构；

形成穿过所述沟道结构并且在所述第一方向上延伸的切割结构；以及

形成穿过所述层叠结构并且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第一狭缝结构。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述切割结构的步骤包括以下步骤：蚀刻所述沟道结构，以使得所述沟道结构中的每一个被分离为第一沟道结构和第二沟道结构。

11.根据权利要求10所述的方法，该方法还包括以下步骤：

形成在所述第一方向上延伸并且联接到所述第一沟道结构的至少一条第一位线；以及

形成在所述第一方向上延伸并且联接到所述第二沟道结构的至少一条第二位线。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述切割结构的步骤包括以下步骤：

形成与至少两个沟道结构交叉的沟槽；以及

形成所述切割结构以在所述沟槽中包括绝缘材料。