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[发明专利]间隙填充方法以及使用该方法制造半导体器件的方法-CN201910014839.3有效
发明人： 朴寅洙;李起洪 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：间隙填充方法以及使用该方法制造半导体器件的方法。一种用于对高纵横比结构进行间隙填充的方法包括以下步骤：形成包括凹陷的间隙填充目标结构；在凹陷中形成具有第一开口的第一层；将第一层暴露于氧化工艺以形成用于封闭第一开口的入口的第一层的氧化物；通过选择性地去除第一层的氧化物来形成第二开口，该第二开口具有比第一开口的入口宽的入口；以及形成对第二开口进行间隙填充的第二层。
间隙填充方法以及使用制造半导体器件

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN201910921407.0有效
发明人： 朴寅洙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：半导体装置和制造半导体装置的方法。一种制造半导体装置的方法包括以下步骤：在底部结构上方交替地层叠介电层和牺牲层，并且蚀刻介电层和牺牲层以形成彼此间隔开的多个沟道孔。该方法还包括以下步骤：利用焊盘材料分别填充所述多个沟道孔，并且蚀刻介电层和牺牲层以形成用于将焊盘材料隔离成第一区域和第二区域的隔离沟槽，其中，所述隔离沟槽形成为与设置在第一区域和第二区域之间的边界处的焊盘材料自对准。该方法还包括以下步骤：利用隔离层填充隔离沟槽。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件以及该半导体器件的制造方法-CN201910333960.2有效
发明人： 朴寅洙;金度渊;李起洪 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件以及该半导体器件的制造方法。一种半导体器件包括：在第一方向上延伸的芯绝缘层、设置在芯绝缘层上的刻蚀停止层、沿芯绝缘层的侧壁和刻蚀停止层的侧壁延伸的沟道层、每个包围沟道层并且在第一方向上彼此间隔开地层叠的导电图案以及形成在沟道层的上端中的杂质区。
半导体器件以及制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201910116205.9有效
发明人： 朴寅洙;尹基准;李起洪 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10B43/00 文献下载
摘要：半导体器件的制造方法。一种制造半导体器件的方法，该方法包括如下步骤：在包括有第一区域和第二区域的下部结构上形成第一蚀刻停止图案以暴露所述第二区域；在所述下部结构上堆叠多个堆叠结构以与所述第二区域和所述第一蚀刻停止图案交叠；通过蚀刻所述多个堆叠结构形成阶梯式堆叠结构以暴露所述第一蚀刻停止图案的端部；形成穿过所述阶梯式堆叠结构和所述第一蚀刻停止图案的狭缝；以及经由所述狭缝用导电图案替代所述第一蚀刻停止图案和所述多个堆叠结构的牺牲层。
半导体器件制造方法

[发明专利]存储器装置和操作存储器装置的方法-CN202211172998.4在审
发明人：张晶植;朴寅洙;郑羽杓;崔正达;金在雄;金定焕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本公开提供了存储器装置和操作存储器装置的方法。该存储器装置包括：第一主插塞，其在垂直方向上形成在基板上方并布置在第一方向上；第二主插塞；第三主插塞，其布置在第一主插塞和第二主插塞之间，所述第三主插塞与所述第一主插塞和所述第二主插塞相邻；以及位线，其在所述第一主插塞至所述第三主插塞上方，其中，所述第一主插塞至第三主插塞中的每一个包括彼此面对的第一子插塞和第二子插塞，其中，所述第一主插塞和所述第三主插塞中的每一个中所包括的所述第一子插塞和所述第二子插塞的部分联接到不同的选择线，并且其中，所述第二主插塞和所述第三主插塞中的每一个中所包括的所述第一子插塞和所述第二子插塞的部分联接到不同的选择线。
存储器装置操作方法

[发明专利]可方便地对可拆装软垫进行收纳的上衣-CN202210065641.X在审
发明人： 朴寅洙 -专利权人：爱恩优恩爱有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： A41D1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种可方便地对可拆装软垫进行收纳的上衣，尤其涉及一种只需要穿着上衣就可以防止胸部以及乳头的轮廓显露到外部，而且还可以方便地将可拆装软垫收纳到上衣的可方便地对对可拆装软垫进行收纳的上衣，包括：上衣主体部；内衬部，以通过配置在所述上衣主体部内侧的胸部部分而形成收纳空间部的方式进行缝制，在所述上衣主体部开放的外侧一侧端形成开放的侧面开放口，并且在下部形成开放的下部开放口，外侧面部作为与皮肤接触的面而利用柔软的面部形成，在内侧面部形成拉绒；以及，软垫部，通过所述内衬部的侧面开方口以及下部开放口插入，而且通过在一侧面配备魔术贴而可在所述内衬部的拉绒上进行拆装。
方便拆装软垫进行收纳上衣

[发明专利]半导体器件-CN201810519978.7有效
发明人： 朴寅洙;辛东善 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10B41/41 文献下载
摘要：半导体器件。本文可提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件可包括存储器串，该存储器串包括经由沟道层彼此串联联接的存储器单元，该存储器串联接在位线与第二源极线之间。该半导体器件可包括通过沟道层电联接到第二源极线的第一源极线。
半导体器件

[发明专利]半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法-CN202210003352.7在审
发明人：金场院;朴美性;朴寅洙;张晶植;崔元根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/11575 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器装置包括栅极层叠结构，该栅极层叠结构具有单元阵列区域和具有阶梯形状的接触区域，并且单元阵列区域的第一侧壁的粗糙度大于接触区域的第二侧壁的粗糙度。
半导体存储器装置制造方法

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN202210163185.2在审
发明人：朴美性;金场院;朴寅洙;张晶植;崔元根;崔正达 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：栅极结构，该栅极结构包括彼此交替层叠的导电层和绝缘层；沟道结构，该沟道结构穿过栅极结构并且在第一方向上排布；切割结构，该切割结构在第一方向上延伸并且穿过沟道结构；以及第一狭缝结构，该第一狭缝结构穿过栅极结构并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]包括裂纹传播引导件的半导体芯片的制造方法-CN202210341021.4在审
发明人： 朴寅洙;崔正达 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本申请涉及包括裂纹传播引导件的半导体芯片的制造方法。可以提供一种制造半导体芯片的方法。在包括芯片区域和划道区域的半导体基板上形成其中第一材料层和第二材料层交替地层叠的层堆叠体；以及在层堆叠体的在划道区域内的第一部分中形成裂纹传播引导件。
包括裂纹传播引导半导体芯片制造方法

[发明专利]功能性胸罩-CN202011529923.8在审
发明人： 朴寅洙 -专利权人：爱恩优恩爱有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： A41C3/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种功能性胸罩，包括左·右罩杯垫、纵连接边条、横连接边条、连接件、下部支持面料、侧面支持面料、背面面料以及一对肩带。该功能性胸罩不使用由合成树脂发泡形成的模杯而使得而重量变轻，整体由纤维构成而使得吸湿速干能力卓越并容易保持罩杯形状，而且，通气性优异并且皮肤接触部位以天然纤维构成而发挥出保护皮肤的效果，不受穿戴者的身体类型影响地能紧贴地穿戴，让两侧乳房在乳房中央方向聚拢而能发挥出即使长时间穿戴也能防止所聚拢的乳房往旁边变形的效果，还能发挥出衬托两侧乳房整体而防止其下坠的效果。
功能胸罩

[实用新型]具有拆装式胸垫的女士上衣-CN202023272955.2有效
发明人： 朴寅洙 -专利权人：爱恩优恩爱有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： A41D1/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了具有拆装式胸垫的女士上衣。本实用新型公开的具有拆装式胸垫的女士上衣的特征在于，包括：附着片，以重叠的方式设置在上衣的内部面，以沿着上衣左右宽度方向长的方式形成，实现胸垫的拆装；一对胸垫，在上述上衣的内侧，以通过位置调整来拆装的方式形成在上述附着片的规定位置，用于遮挡佩戴人员的胸部；以及结合单元，形成在上述一对胸垫，用于使上述一对胸垫以能够分离的方式与上述附着片相结合。
具有拆装式胸垫女士上衣

[发明专利]半导体器件-CN202011580043.3在审
发明人： 朴寅洙;李起洪;千慧祯 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：半导体器件。本文提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：沟道层；数据存储层，所述数据存储层围绕所述沟道层并且沿着沟道层延伸；层间绝缘层，所述层间绝缘层围绕数据存储层并且沿着沟道层层叠，其中，所述层间绝缘层彼此间隔开，其中，在所述层间绝缘层之间设置导电区域；导电图案，所述导电图案被设置在导电区域中并且围绕数据存储层；缓冲图案，所述缓冲图案被设置在所述层间绝缘层与所述数据存储层之间，并且围绕数据存储层，其中，各个缓冲图案包括致密区域，其中，所述缓冲图案通过导电区域彼此间隔开；以及阻挡绝缘图案，所述阻挡绝缘图案被设置在所述导电图案与所述数据存储层之间并且围绕所述数据存储层。
半导体器件

[发明专利]非易失性存储器装置及其制造方法-CN202010376973.0在审
发明人： 朴寅洙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：非易失性存储器装置及其制造方法。非易失性存储器装置可以包括半导体基板、层叠结构和源极结构。层叠结构可以形成在半导体基板上。源极结构可以形成在被配置为划分层叠结构的狭缝中。源极结构可以包括密封层、源极衬垫、间隙填充层和源极接触图案。密封层可以形成在狭缝的内壁上。源极衬垫可以形成在密封层的表面和狭缝的底表面上。间隙填充层可以形成在狭缝中。源极接触图案可以形成在狭缝中的间隙填充层上。源极接触图案可以与源极衬垫电连接。
非易失性存储器装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610917261.9有效
发明人： 朴寅洙;李起洪;千慧祯 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：半导体器件及其制造方法。本文提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：沟道层；数据存储层，所述数据存储层围绕所述沟道层并且沿着沟道层延伸；层间绝缘层，所述层间绝缘层围绕数据存储层并且沿着沟道层层叠，其中，所述层间绝缘层彼此间隔开，其中，在所述层间绝缘层之间设置导电区域；导电图案，所述导电图案被设置在导电区域中并且围绕数据存储层；缓冲图案，所述缓冲图案被设置在所述层间绝缘层与所述数据存储层之间，并且围绕数据存储层，其中，各个缓冲图案包括致密区域，其中，所述缓冲图案通过导电区域彼此间隔开；以及阻挡绝缘图案，所述阻挡绝缘图案被设置在所述导电图案与所述数据存储层之间并且围绕所述数据存储层。
半导体器件及其制造方法

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