[发明专利]新型半导体电容封装结构及其封装方法

说明书

本发明提供一种新型半导体电容封装结构及其封装方法，所述半导体电容封装结构包括：至少一个芯片载板框架；至少一个半导体电容芯片，所述半导体电容芯片固定在所述芯片载板框架上；塑封材料，设置在所述芯片载板框架四周，并包封所述半导体电容芯片；导电柱，设置在所述塑封材料中，下端部连接所述半导体电容芯片的电极，上端部伸出所述塑封材料；重布线层，设置在所述导电柱的上端部一侧的所述塑封材料表面。本发明提出的新型半导体电容封装结构及封装方法，可以实现半导体电容方便地在印制电路板上使用，并且可以对电容实现堆叠并联，扩展电容量。

技术领域

本发明涉及半导体电容制造技术领域，具体涉及一种新型半导体电容封装结构及其封装方法。

背景技术

电容器作为集成电路中的必要元件之一，在电路中具有电压调整、滤波等功能，因而被广泛用于集成电路中。目前，半导体工艺中常见的电容结构有金属氧化物半导体(MOS)电容、PN结电容以及金属-绝缘-金属(MIM)电容等。

现有的半导体电容为裸芯片形式，主要用于封装集成，不方便应用在印制电路板上，且容值较小，使得应用受限。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种新型半导体电容封装结构及其封装方法，以达到可以将半导体电容方便地在印制电路板上使用，以及扩展电容量的目的。

本申请实施例提供以下技术方案：一种新型半导体电容封装结构，所述半导体电容封装结构包括：

至少一个芯片载板框架；

至少一个半导体电容芯片，所述半导体电容芯片固定在所述芯片载板框架上；

塑封材料，设置在所述芯片载板框架四周，并包封所述半导体电容芯片；

多个导电柱，设置在所述塑封材料中，所述导电柱的下端部连接所述半导体电容芯片的电极，所述导电柱的上端部伸出所述塑封材料；

重布线层，设置在所述导电柱的上端部一侧的所述塑封材料表面。

进一步地，所述芯片载板框架采用金属材质制成的载板框架。

进一步地，所述半导体电容封装结构还包括种子层，所述种子层设置在所述导电柱的下端部与所述半导体电容芯片的电极之间。

进一步地，所述种子层包括钛层。

进一步地，所述导电柱为铜柱。

进一步地，所述塑封材料为环氧塑封料。

本发明实施例还提供一种新型半导体电容封装结构的封装方法，包括如下步骤：

将半导体电容芯片固定在芯片载板框架上；在所述芯片载板框架四周灌注塑封材料，并使所述塑封材料包封所述半导体电容芯片；在所述塑封材料上开设多个通孔，所述多个通孔的底部连接所述半导体电容芯片的电极；在所述多个通孔内设置导电柱；在所述塑封材料表面设置重布线层。

进一步地，在所述多个通孔内设置导电柱的步骤之前还包括：先在所述多个通孔底部的所述半导体电容芯片的电极表面通过真空溅射形成种子层。

进一步地，在所述多个通孔内通过电镀工艺形成所述导电柱。

进一步地，在所述塑封材料上通过激光钻孔形成所述多个通孔。

与现有技术相比，本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括：本发明实施例提出的新型半导体电容封装架构，可以实现将半导体电容方便地在印制电路板上使用的技术目的，并且该半导体电容封装架构可以对电容实现堆叠并联，扩展电容量。

附图说明